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1. 发明专利

TWI465830B 視覺顯示用發光裝置失效
简体标题：视觉显示用发光设备
公开(公告)号：TWI465830B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW096137186
申请日：2007-10-04
申请人：艾匹克里斯托公司 , EPICRYSTALS OY
发明人：詹妮康笛寧 , KONTTINEN, JANNE , 比塔利脫密史多 , TUOMISTO, PIETARI , 湯米約迪 , JOUHTI, TOMI
IPC分类号： G03B21/20
CPC分类号： H01S5/026 , G02F1/3501 , G02F1/37 , G02F2001/3503 , G03B21/2013 , G03B21/204 , G03B21/208 , H01S3/109 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/0092 , H01S5/02292 , H01S5/0267 , H01S5/0604 , H01S5/06256 , H01S5/065 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/18 , H01S5/4012 , H01S5/42 , H04N9/3161

3. 发明专利

TW201106566A 在光學封裝中在原處污染去除 IN-SITU CONTAMINANT REMOVAL IN OPTICAL PACKAGES 审中-公开
简体标题：在光学封装中在原处污染去除 IN-SITU CONTAMINANT REMOVAL IN OPTICAL PACKAGES
公开(公告)号：TW201106566A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW098136395
申请日：2009-10-27
申请人：康寧公司
发明人：構耳由它巴拔拉
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/0092 , H01S5/005 , H01S5/0071
摘要：本發明提供控制光學套組的方法,其中在相對高功率的波長轉換模式下,半導體雷射輸出光束在波長轉換裝置輸入面上的平均功率密度超過在相對低功率的污染物去除模式下半導體雷射輸出光束在波長轉換裝置輸入面上的功率密度。在相對高功率的波長轉換模式下,可調式光學組件用來將波長轉換裝置之波長轉換輸出的最佳强度値對應到半導體雷射輸出光束在波長轉換裝置輸入面之波導部份上的最佳位置座標。在相對低功率的污染物去除模式下,可調式光學元件用來將半導體雷射的輸出光束掃瞄過波長轉換裝置輸入面的波導部份,同時將輸出光束在波長轉換裝置輸入面上的功率密度維持在低於相對高功率波長轉換模式下輸出光束的平均功率密度。另外還提出其他實施例以及申請專利範圍。
简体摘要：本发明提供控制光学套组的方法,其中在相对高功率的波长转换模式下,半导体激光输出光束在波长转换设备输入面上的平均功率密度超过在相对低功率的污染物去除模式下半导体激光输出光束在波长转换设备输入面上的功率密度。在相对高功率的波长转换模式下,可调式光学组件用来将波长转换设备之波长转换输出的最佳强度値对应到半导体激光输出光束在波长转换设备输入面之波导部份上的最佳位置座标。在相对低功率的污染物去除模式下,可调式光学组件用来将半导体激光的输出光束扫瞄过波长转换设备输入面的波导部份,同时将输出光束在波长转换设备输入面上的功率密度维持在低于相对高功率波长转换模式下输出光束的平均功率密度。另外还提出其他实施例以及申请专利范围。

4. 发明专利

TWI334676B 光激升半導體裝置之製造方法 METHOD FOR FABRICATING OPTICALLY PUMPED SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：光激升半导体设备之制造方法 METHOD FOR FABRICATING OPTICALLY PUMPED SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI334676B
公开(公告)日：2010-12-11
申请号：TW095149778
申请日：2006-12-29
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：羅蘭史休茲 , 湯瑪斯休瓦茲 , 法蘭克辛格 , 尤瑞屈史提格慕勒
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/14 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01S3/109 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/0206 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/02407 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/041 , H01S5/0612 , H01S5/183 , H01S5/4025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明涉及一種光激升(optically pumped)半導體裝置之制造方法，其包括以下各步驟：-製備一連接載體複合體(50)，其包含多個連接載體(14)，各連接載體以機械方式固定地互相連接著，-在連接載體複合體(50)之一連接載體(14)上配置一種表面發射式半導體本體(1)，以及-將該連接載體複合體(50)劃分成各別的半導體裝置。
简体摘要：本发明涉及一种光激升(optically pumped)半导体设备之制造方法，其包括以下各步骤：-制备一连接载体复合体(50)，其包含多个连接载体(14)，各连接载体以机械方式固定地互相连接着，-在连接载体复合体(50)之一连接载体(14)上配置一种表面发射式半导体本体(1)，以及-将该连接载体复合体(50)划分成各别的半导体设备。

5. 发明专利

TW200742211A 製造光泵浦半導體裝置之方法 METHOD FOR FABRICATING OPTICAL PUMP SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：制造光泵浦半导体设备之方法 METHOD FOR FABRICATING OPTICAL PUMP SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200742211A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095149778
申请日：2006-12-29
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：羅蘭史休茲 SCHULZ, ROLAND , 湯瑪斯休瓦茲 SCHWARZ, THOMAS , 法蘭克辛格 SINGER, FRANK , 尤瑞屈史提格慕勒 STEEGMUELLER, ULRICH
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/14 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01S3/109 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/0206 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/02407 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/041 , H01S5/0612 , H01S5/183 , H01S5/4025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明涉及一種光學泵浦式半導體裝置之製造方法,其包括以下各步驟:-製備一終端載體複合物(50),其包含多個終端載體(14),各終端載體以機械方式固定地互相連接著,-在終端載體複合物(50)之一終端載體(14)上配置一種表面發射式半導體本體(1),以及-將該終端載體複合物(50)劃分成各別的半導體裝置。
简体摘要：本发明涉及一种光学泵浦式半导体设备之制造方法,其包括以下各步骤:-制备一终端载体复合物(50),其包含多个终端载体(14),各终端载体以机械方式固定地互相连接着,-在终端载体复合物(50)之一终端载体(14)上配置一种表面发射式半导体本体(1),以及-将该终端载体复合物(50)划分成各别的半导体设备。

6. 发明专利

TW588485B 半導體雷射裝置有权
简体标题：半导体激光设备
公开(公告)号：TW588485B
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：TW092106533
申请日：2003-03-24
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：河本聰
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/02244 , H01L2224/48091 , H01S5/0071 , H01S5/02248 , H01S5/02469 , H01S5/0683 , H01L2924/00014
摘要：本發明的半導體雷射元件具備半導體雷射元件、搭載前述半導體雷射元件的前導框架和安裝在前述前導框架的外圍器，將從前述半導體雷射元件射出主光線的方向定義為前方向的場合，前述前導框架在較載置前述半導體雷射元件的部分更後方，具有形成對前述半導體雷射元件的前後方向基準的基準面。
简体摘要：本发明的半导体激光组件具备半导体激光组件、搭载前述半导体激光组件的前导框架和安装在前述前导框架的外围器，将从前述半导体激光组件射出主光线的方向定义为前方向的场合，前述前导框架在较载置前述半导体激光组件的部分更后方，具有形成对前述半导体激光组件的前后方向基准的基准面。

7. 发明专利

TW201627694A 光插座及光模組审中-公开
简体标题：光插座及光模块
公开(公告)号：TW201627694A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW105101976
申请日：2016-01-22
申请人：恩普樂股份有限公司 , ENPLAS CORPORATION
发明人：森岡心平 , MORIOKA, SHIMPEI , 美留町直史 , MIRUMACHI, NAOFUMI , 鈴木康弘 , SUZUKI, YASUHIRO
IPC分类号： G02B6/42 , G02B5/08
CPC分类号： G02B6/4214 , G02B6/4249 , G02B6/4286 , G02B6/4292 , H01S5/0071 , H01S5/02284 , H01S5/02292 , H01S5/42
摘要：本發明的光插座包括：第1光學面，供從光電轉換元件出射的光入射；第2光學面，使在第1光學面上入射的光朝向光傳輸體的端面出射；光分離部，配置於第1光學面及第2光學面間的光路上，將在第1光學面上入射的光分離為朝向光傳輸體的端面側的信號光、與以向信號光的前進方向大致相反的方向前進的方式朝向檢測元件側的監控光；以及第3光學面，使經光分離部分離的監控光朝向檢測元件出射。第1光學面及第2光學面間的總光路配置於光插座的內部。
简体摘要：本发明的光插座包括：第1光学面，供从光电转换组件出射的光入射；第2光学面，使在第1光学面上入射的光朝向光传输体的端面出射；光分离部，配置于第1光学面及第2光学面间的光路上，将在第1光学面上入射的光分离为朝向光传输体的端面侧的信号光、与以向信号光的前进方向大致相反的方向前进的方式朝向检测组件侧的监控光；以及第3光学面，使经光分离部分离的监控光朝向检测组件出射。第1光学面及第2光学面间的总光路配置于光插座的内部。

8. 发明专利

TW201614916A １８３奈米雷射及檢測系統审中-公开
简体标题：１８３奈米激光及检测系统
公开(公告)号：TW201614916A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104132616
申请日：2015-10-02
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：莊勇和艾力克斯 , CHUANG, YUNG-HO ALEX , 阿姆斯壯 J 喬瑟夫 , ARMSTRONG, J. JOSEPH , 杜立賓斯基維拉得摩 , DRIBINSKI, VLADIMIR , 鄧宇俊 , DENG, YUJUN , 費爾登約翰 , FIELDEN, JOHN , 章繼東 , ZHANG, JIDONG
IPC分类号： H01S3/00 , H01S3/108 , G02F1/35 , G01N21/84 , G01N21/95
CPC分类号： H01F17/0006 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G02B21/10 , G02B21/16 , G02B21/361 , G02F1/353 , G02F2001/3507 , G02F2001/354 , H01F17/04 , H01F27/292 , H01S3/0092 , H01S3/10007 , H01S3/10084 , H01S3/1083 , H01S3/109 , H01S5/0071 , H01S5/0085 , H01S5/0604 , H01S5/4012
摘要：本發明揭示一種用於產生處於大約183奈米之一輸出波長之雷射輸出光之雷射總成，其包含一基本雷射、一光學參數系統(OPS)、一個五次諧波產生器及一混頻模組。該基本雷射產生處於一基本頻率之基本光。該OPS產生處於一經降頻轉換頻率之一經降頻轉換信號。該五次諧波產生器產生該基本光之一個五次諧波。該混頻模組混合該經降頻轉換信號與該五次諧波以產生處於等於該五次諧波頻率與該經降頻轉換頻率之一總和之一頻率之該雷射輸出光。該OPS藉由產生處於該經降頻轉換頻率之一經降頻轉換種子信號且然後混合該經降頻轉換種子信號與該基本光之一部分而產生該經降頻轉換信號。該頻率混合、頻率轉換或諧波產生中之至少一者利用一經退火、經氘處理或經氫處理之CLBO晶體。
简体摘要：本发明揭示一种用于产生处于大约183奈米之一输出波长之激光输出光之激光总成，其包含一基本激光、一光学参数系统(OPS)、一个五次谐波产生器及一混频模块。该基本激光产生处于一基本频率之基本光。该OPS产生处于一经降频转换频率之一经降频转换信号。该五次谐波产生器产生该基本光之一个五次谐波。该混频模块混合该经降频转换信号与该五次谐波以产生处于等于该五次谐波频率与该经降频转换频率之一总和之一频率之该激光输出光。该OPS借由产生处于该经降频转换频率之一经降频转换种子信号且然后混合该经降频转换种子信号与该基本光之一部分而产生该经降频转换信号。该频率混合、频率转换或谐波产生中之至少一者利用一经退火、经氘处理或经氢处理之CLBO晶体。

9. 发明专利

TWI477884B 發光裝置及投影系統有权
简体标题：发光设备及投影系统
公开(公告)号：TWI477884B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW103107709
申请日：2014-03-06
申请人：深圳市繹立銳光科技開發有限公司 , APPOTRONICS CHINA CORPORATION
发明人：胡飛 , HU, FEI
IPC分类号： G03B21/20 , G03B21/00
CPC分类号： G03B21/2066 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21V13/08 , G02B5/285 , G02B26/008 , G02B27/0905 , G02B27/1006 , G03B21/204 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/4087 , H04N9/3158 , H04N9/3161 , H04N9/3164

10. 发明专利

TW201301699A 半導體光學放大器裝置及光學矩陣交換器审中-公开
简体标题：半导体光学放大器设备及光学矩阵交换器
公开(公告)号：TW201301699A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101115410
申请日：2012-04-30
申请人：阿卡特朗訊公司 , ALCATEL LUCENT
发明人：梅爾吉哈德 , MEYER, GERHARD
IPC分类号： H01S5/50 , G02B6/35
CPC分类号： H01S5/4031 , G02B6/3546 , H01S5/0071 , H01S5/0267 , H01S5/22 , H01S5/4087 , H01S5/50 , H01S5/5072 , H04J14/0212
摘要：本發明係關於一種半導體光學放大器裝置(10)。根據本發明，該半導體光學放大器裝置(10)包括：- 複數個主動單元(12、14)，每一主動單元(12、14)包括一光學放大媒體之一主動條帶結構(16、18)及用於將電流注入至對應主動條帶結構(16、18)中之一電流電路(42)，其中每一主動條帶結構(16、18)自一輸入端(20)延伸至一輸出端(22)；及- 一光學分離器裝置(34)，其用於分離傳入信號光且用於將該傳入信號光之對應部分分配至該等主動條帶結構(16、18)之該等不同輸入端(20)中，其中該光學分離器裝置(34)經組態以給每一主動條帶結構(16、18)供應相同信號。本發明進一步係關於一種對應光學矩陣交換器(54)。
简体摘要：本发明系关于一种半导体光学放大器设备(10)。根据本发明，该半导体光学放大器设备(10)包括：- 复数个主动单元(12、14)，每一主动单元(12、14)包括一光学放大媒体之一主动条带结构(16、18)及用于将电流注入至对应主动条带结构(16、18)中之一电流电路(42)，其中每一主动条带结构(16、18)自一输入端(20)延伸至一输出端(22)；及- 一光学分离器设备(34)，其用于分离传入信号光且用于将该传入信号光之对应部分分配至该等主动条带结构(16、18)之该等不同输入端(20)中，其中该光学分离器设备(34)经组态以给每一主动条带结构(16、18)供应相同信号。本发明进一步系关于一种对应光学矩阵交换器(54)。

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