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1. 发明专利

TWI515929B 發光角度收斂之圖案化基材及發光二極體元件有权
简体标题：发光角度收敛之图案化基材及发光二极管组件
公开(公告)号：TWI515929B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW101114574
申请日：2012-04-24
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 楊玉蓮 , YANG, YU LIEN , 賴彥霖 , LAI, YEN LIN
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： F21K9/50 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01L33/32 , H01L33/58 , H01L2933/0091

2. 发明专利

TW201008064A 垂直空腔表面發光雷射裝置，垂直空腔表面發光雷射陣列，光學掃瞄設備，影像形成設備，光學傳輸模組及光學傳輸系統 VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICE, VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING APPARATUS, IMAGE FORMING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM 审中-公开
简体标题：垂直空腔表面发光激光设备，垂直空腔表面发光激光数组，光学扫瞄设备，影像形成设备，光学传输模块及光学传输系统 VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICE, VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING APPARATUS, IMAGE FORMING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM
公开(公告)号：TW201008064A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098114632
申请日：2009-05-01
申请人：理光股份有限公司
发明人：軸谷直人 , 佐藤俊一 , 菅原悟 , 本村寬
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要：一種揭露的垂直空腔表面發光雷射裝置，其相對於基底正交地發射光線，並包括包括主動層之共振器結構以及半導體多層反射器，其以一種方式設置以將該共振器結構夾於其間，並包括限制結構，其同時限制注入電流及振盪光線之橫向模式。該限制結構具有圍繞電流通過區域之氧化區域。該氧化區域係藉由氧化包括鋁之選擇性氧化層的一部分而形成並包括至少一氧化物。該選擇性氧化層之厚度為至少25奈米。該些半導體多層反射器包括光學限制減少區，其減少在橫向方向中的光學限制。該光學限制減少區相對於該共振器結構設置在基底側上。
简体摘要：一种揭露的垂直空腔表面发光激光设备，其相对于基底正交地发射光线，并包括包括主动层之共振器结构以及半导体多层反射器，其以一种方式设置以将该共振器结构夹于其间，并包括限制结构，其同时限制注入电流及振荡光线之横向模式。该限制结构具有围绕电流通过区域之氧化区域。该氧化区域系借由氧化包括铝之选择性氧化层的一部分而形成并包括至少一氧化物。该选择性氧化层之厚度为至少25奈米。该些半导体多层反射器包括光学限制减少区，其减少在横向方向中的光学限制。该光学限制减少区相对于该共振器结构设置在基底侧上。

3. 发明专利

TW200746471A 垂直共振器型發光二極體 VERTICAL RESONATOR LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：垂直共振器型发光二极管 VERTICAL RESONATOR LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200746471A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096111197
申请日：2007-03-30
申请人：同和電子科技有限公司 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：岩田雅年 IWATA, MASATOSHI , 本陵 SAKAMOTO, RYO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/105
摘要：一種使光反射側之反射層構造更簡單、在高溫側其發光輸出也不易低下的新型垂直共振器型發光二極體,該垂直共振器型發光二極體1係具有做為發光層的活性層5、以及挾持活性層5而形成的光反射側之第1反射層3與光射出側之第2反射層9,其中,第1及第2反射層3、9係具有以折射率彼此相異的半導體交互層為1對且將前述配對予以複數積層的構造;且第2反射層9之配對數量為第1反射層3之配對數量的1/10以上、1/3以下。若使第1反射層之配對數量為11對以上、41對以下,則可更提升發光輸出。
简体摘要：一种使光反射侧之反射层构造更简单、在高温侧其发光输出也不易低下的新型垂直共振器型发光二极管,该垂直共振器型发光二极管1系具有做为发光层的活性层5、以及挟持活性层5而形成的光反射侧之第1反射层3与光射出侧之第2反射层9,其中,第1及第2反射层3、9系具有以折射率彼此相异的半导体交互层为1对且将前述配对予以复数积层的构造;且第2反射层9之配对数量为第1反射层3之配对数量的1/10以上、1/3以下。若使第1反射层之配对数量为11对以上、41对以下,则可更提升发光输出。

4. 发明专利

TW200541112A 包含平面發光層之半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING IN-PLANE LIGHT EMITTING LAYERS 审中-公开
简体标题：包含平面发光层之半导体发光设备 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING IN-PLANE LIGHT EMITTING LAYERS
公开(公告)号：TW200541112A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094107957
申请日：2005-03-16
申请人：美國露明光學公司 LUMILEDS LIGHTING U.S. LLC
发明人：詹姆士C 金 KIM, JAMES C. , 約翰伊比拉 EPLER, JOHN , 那德F 賈德那 GARDNER, NATHAN F. , 麥可R 卡麥司 KRAMES, MICHAEL R. , 喬那森J 瓦若爾二世 WIERER, JONATHAN J. JR.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/18 , H01L25/0756 , H01L33/105 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體發光裝置，其包括一發射線性偏振光之平面作用區域。一平面作用區域可包括(例如)一094107957-P01.bmp InGaN發光層。在某些實施例中，一經定向以使具有由該作用區域所發射之大多數光中之偏振的光穿過的偏光器充當一接觸。在某些實施例中，兩個發射相同或不同色彩光之作用區域由偏光器分離，該偏光器一經定向以使具有由底部作用區域發射之大多數光中之一偏振的光穿過並反射由頂部作用區域發射之大多數光之一偏振的光。在一些實施例中，一偏光器反射由一波長轉換層所散射之光。
简体摘要：本发明提供一种半导体发光设备，其包括一发射线性偏振光之平面作用区域。一平面作用区域可包括(例如)一094107957-P01.bmp InGaN发光层。在某些实施例中，一经定向以使具有由该作用区域所发射之大多数光中之偏振的光穿过的偏光器充当一接触。在某些实施例中，两个发射相同或不同色彩光之作用区域由偏光器分离，该偏光器一经定向以使具有由底部作用区域发射之大多数光中之一偏振的光穿过并反射由顶部作用区域发射之大多数光之一偏振的光。在一些实施例中，一偏光器反射由一波长转换层所散射之光。

5. 发明专利

TW586246B 白光發光二極體之製造方法及其發光裝置有权
简体标题：白光发光二极管之制造方法及其发光设备
公开(公告)号：TW586246B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW091132001
申请日：2002-10-28
申请人：炬鑫科技股份有限公司 SUPER NOVA OPTOELECTRONICS CORPORATION
发明人：洪詳竣 HON, SCHANG JING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/105 , H01L33/32 , H01L33/465
摘要：一種「白光發光二極體之製造方法及其發光裝置」，係利用一共振腔結構，來控制白光LED之色度，使得色度之控制較為容易及準確，而能有效降低不良率及產生自然白光，並有助於發光效率之提昇；該裝置，可包括一共振腔結構、一接觸層、一n型金屬電極、及一p型金屬電極等構成。
简体摘要：一种“白光发光二极管之制造方法及其发光设备”，系利用一共振腔结构，来控制白光LED之色度，使得色度之控制较为容易及准确，而能有效降低不良率及产生自然白光，并有助于发光效率之提升；该设备，可包括一共振腔结构、一接触层、一n型金属电极、及一p型金属电极等构成。

6. 发明专利

TW560087B 發光元件及使用發光元件之發光裝置失效
简体标题：发光组件及使用发光组件之发光设备
公开(公告)号：TW560087B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091107831
申请日：2002-04-17
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：李銀京 , 崔秉龍 , 劉在鎬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/105 , H01L33/34 , H01L33/42 , H01L33/465
摘要：一種發光元件及使用發光元件之裝置，該發光元件包括一n型或p型基底；一摻雜區域，形成於該基底之表面上至一超淺深度之間，且具有與該基底相反極性之一預定雜質，以使摻雜區及基底之p-n界面根據量子局限效應而發光；一共振器，其改善由p-n界面所發射之光線的波長選擇性；以及第一及第二電極，分別形成於基底之兩個相對的表面，以注射電子及電洞。該發光元件包括超淺摻雜區，以在p-n界面以量子限局效應發光。用以在一特別波長範圍產生共振之共振結果的加入則使得光波長的選擇性以優良的效率顯著改善。發光強度係因共振結構而放大，而光線的方向性則較傳統發光元件改善許多。
简体摘要：一种发光组件及使用发光组件之设备，该发光组件包括一n型或p型基底；一掺杂区域，形成于该基底之表面上至一超浅深度之间，且具有与该基底相反极性之一预定杂质，以使掺杂区及基底之p-n界面根据量子局限效应而发光；一共振器，其改善由p-n界面所发射之光线的波长选择性；以及第一及第二电极，分别形成于基底之两个相对的表面，以注射电子及电洞。该发光组件包括超浅掺杂区，以在p-n界面以量子限局效应发光。用以在一特别波长范围产生共振之共振结果的加入则使得光波长的选择性以优良的效率显着改善。发光强度系因共振结构而放大，而光线的方向性则较传统发光组件改善许多。

7. 发明专利

TWI460879B 垂直共振器型發光二極體有权
简体标题：垂直共振器型发光二极管
公开(公告)号：TWI460879B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW096111197
申请日：2007-03-30
申请人：同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：岩田雅年 , IWATA, MASATOSHI , 坂本陵 , SAKAMOTO, RYO
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/105

8. 发明专利

TWI390763B 發光元件及其製造方法有权
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI390763B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095136181
申请日：2006-09-29
申请人：同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：坂本陵 , SAKAMOTO, RYO , 岩田雅年 , IWATA, MASATOSHI , 辻川進 , TSUJIKAWA, SUSUMU , 小林良幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/18311 , H01L33/025 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01S5/0282

9. 发明专利

TW201104920A 依據結晶小面化表面而改良之外部擷取發光二極體 IMPROVED EXTERNAL EXTRACTION LIGHT EMITTING DIODE BASED UPON CRYSTALLOGRAPHIC FACETED SURFACES 审中-公开
简体标题：依据结晶小面化表面而改良之外部截取发光二极管 IMPROVED EXTERNAL EXTRACTION LIGHT EMITTING DIODE BASED UPON CRYSTALLOGRAPHIC FACETED SURFACES
公开(公告)号：TW201104920A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099121117
申请日：2007-01-30
申请人：克立公司
发明人：艾德蒙約翰亞當 , 多諾福力歐馬修 , 史萊特大衛畢爾思禮二世 , 孔華雙
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44
摘要：本發明揭示一種發光二極體，其包括一支撐結構及一在該支撐結構上之第III族氮化物發光活性結構臺面。該臺面具有其沿著該第III族氮化物之一指數晶體平面之側壁。本發明亦揭示一種形成該二極體之方法，該方法包括如下步驟：自一第III族氮化物發光結構上移除一基板，該第III族氮化物發光結構包括一在該第III族氮化物發光結構上對置於該基板之子安裝結構，且其後藉由一各向異性蝕刻來蝕刻該第III族氮化物(該基板已被自其上移除)之表面以於該表面上形成晶體小面，其中該等晶體小面係沿著該第III族氮化物之一指數平面。該方法亦可包括藉由一各向異性蝕刻來蝕刻該發光結構以形成一具有沿該第III族氮化物之一指數平面之邊緣之臺面。
简体摘要：本发明揭示一种发光二极管，其包括一支撑结构及一在该支撑结构上之第III族氮化物发光活性结构台面。该台面具有其沿着该第III族氮化物之一指数晶体平面之侧壁。本发明亦揭示一种形成该二极管之方法，该方法包括如下步骤：自一第III族氮化物发光结构上移除一基板，该第III族氮化物发光结构包括一在该第III族氮化物发光结构上对置于该基板之子安装结构，且其后借由一各向异性蚀刻来蚀刻该第III族氮化物(该基板已被自其上移除)之表面以于该表面上形成晶体小面，其中该等晶体小面系沿着该第III族氮化物之一指数平面。该方法亦可包括借由一各向异性蚀刻来蚀刻该发光结构以形成一具有沿该第III族氮化物之一指数平面之边缘之台面。

10. 发明专利

TW200805710A 面發光元件审中-公开
简体标题：面发光组件
公开(公告)号：TW200805710A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096111334
申请日：2007-03-30
申请人：同和電子科技有限公司 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD
发明人： 本陵 SAKAMOTO, RYO , 岩田雅年 IWATA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/105
摘要：本發明之課題在於提供一種,生產性較高,發光輸出及響應特性較佳,且可抑制發光所需隻順向電壓的上昇之面發光元件。本發明之解決手段為一種,具備交互層積有量子井層51及阻障層52之活性層5;及各自配置於活性層5的上方及下方之反射層之垂直共振型的面發光元件,其特徵為:於以多數層量子井層51的中心間距離為L,以面發光元件的發光波長為��,以成為反射層間的距離之共振器的光學長度的平均折射率為n時,係滿足��/(15�n)≦L≦��/(10�n)之關係。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种,生产性较高,发光输出及响应特性较佳,且可抑制发光所需只顺向电压的上升之面发光组件。本发明之解决手段为一种,具备交互层积有量子井层51及阻障层52之活性层5;及各自配置于活性层5的上方及下方之反射层之垂直共振型的面发光组件,其特征为:于以多数层量子井层51的中心间距离为L,以面发光组件的发光波长为��,以成为反射层间的距离之共振器的光学长度的平均折射率为n时,系满足��/(15�n)≦L≦��/(10�n)之关系。

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