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1. 发明专利

TW201602565A 使用高解析度全晶粒圖像資料進行檢查审中-公开
简体标题：使用高分辨率全晶粒图像数据进行检查
公开(公告)号：TW201602565A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104115089
申请日：2015-05-12
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：庫爾卡尼艾斯霍克V , KULKARNI, ASHOK V.
IPC分类号： G01N21/956 , G01R31/26 , G06F17/50
CPC分类号： G06T7/001 , G01B21/16 , G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N23/2251 , G01N2021/8825 , G01N2021/8887 , G01N2201/10 , G01N2201/12 , G01N2223/6116 , G06F17/5045 , G06T7/60 , G06T7/74 , G06T2207/30148 , H01L21/67288 , H01L22/12
摘要：本發明提供用於相對於一所儲存高解析度晶粒圖像判定檢查資料之一位置之方法及系統。一種方法包含：使由一檢查系統針對一晶圓上之對準位點獲取之資料與關於預定對準位點之資料對準。該等預定對準位點在該晶圓之一所儲存高解析度晶粒圖像之晶粒圖像空間中具有一預定位置。該方法亦包含：基於該等預定對準位點在該晶粒圖像空間中之該等預定位置而判定該等對準位點在該晶粒圖像空間中之位置。另外，該方法包含：基於該等對準位點在該晶粒圖像空間中之該等位置而判定由該檢查系統針對該晶圓獲取之檢查資料在該晶粒圖像空間中之一位置。
简体摘要：本发明提供用于相对于一所存储高分辨率晶粒图像判定检查数据之一位置之方法及系统。一种方法包含：使由一检查系统针对一晶圆上之对准位点获取之数据与关于预定对准位点之数据对准。该等预定对准位点在该晶圆之一所存储高分辨率晶粒图像之晶粒图像空间中具有一预定位置。该方法亦包含：基于该等预定对准位点在该晶粒图像空间中之该等预定位置而判定该等对准位点在该晶粒图像空间中之位置。另外，该方法包含：基于该等对准位点在该晶粒图像空间中之该等位置而判定由该检查系统针对该晶圆获取之检查数据在该晶粒图像空间中之一位置。

2. 发明专利

TW201543543A 用以製造半導體結構之方法及用於檢查複數覆蓋標記之系統审中-公开
简体标题：用以制造半导体结构之方法及用于检查复数覆盖标记之系统
公开(公告)号：TW201543543A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103144919
申请日：2014-12-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林伯俊 , LIN, BO JIUN , 姚欣潔 , YAO, HSIN CHIEH , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F9/7069 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/8822 , G01N2021/8825 , G01N2021/95676 , G01N2201/061 , G01N2201/06113 , G03F7/70633 , H01L21/027 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明提供一種用以製造一半導體結構之方法，包括：提供一基板以及形成在該基板上之一圖樣層，一或多個覆蓋標記形成在該圖樣層上；使用一明視野(bright field)檢查工具執行一預成膜(pre-film-formation)覆蓋檢查，以接收在該圖樣層上之該一或多個覆蓋標記上之一預成膜資料；形成一或多層在該圖樣層上；使用一暗視野(dark field)檢查工具執行一後成膜(post-film-formation)覆蓋檢查，以接收在該一或多層下面的該一或多個覆蓋標記之一後成膜資料；以及決定該預成膜資料是否匹配該後成膜資料。
简体摘要：本发明提供一种用以制造一半导体结构之方法，包括：提供一基板以及形成在该基板上之一图样层，一或多个覆盖标记形成在该图样层上；使用一明视野(bright field)检查工具运行一预成膜(pre-film-formation)覆盖检查，以接收在该图样层上之该一或多个覆盖标记上之一预成膜数据；形成一或多层在该图样层上；使用一暗视野(dark field)检查工具运行一后成膜(post-film-formation)覆盖检查，以接收在该一或多层下面的该一或多个覆盖标记之一后成膜数据；以及决定该预成膜数据是否匹配该后成膜数据。

3. 发明专利

TW201448079A 偵測在晶圓上之缺陷审中-公开
简体标题：侦测在晶圆上之缺陷
公开(公告)号：TW201448079A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108797
申请日：2014-03-12
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：黃軍秦 , HUANG, JUNQING , 高理升 , GAO, LISHENG
IPC分类号： H01L21/66 , G06T7/00
CPC分类号： G06T7/0004 , G01N21/88 , G01N21/8803 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N2021/8825 , G06T7/0002 , G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/20076 , G06T2207/30148
摘要：本發明提供用於偵測一晶圓上之缺陷之方法及系統。一種方法包含判定使用一檢驗系統之一第一光學模式所產生之用於一晶圓之第一輸出中之像素的差異值及判定使用該檢驗系統之一第二光學模式所產生之用於該晶圓之第二輸出中之像素的其他值。該第一光學模式及該第二光學模式彼此不同。該方法亦包含產生對應於該晶圓上之實質上相同定位之該第一輸出及該第二輸出中之該等像素的該等差異值，及該等其他值的一個二維散佈圖。該方法進一步包含基於該二維散佈圖來偵測該晶圓上之缺陷。
简体摘要：本发明提供用于侦测一晶圆上之缺陷之方法及系统。一种方法包含判定使用一检验系统之一第一光学模式所产生之用于一晶圆之第一输出中之像素的差异值及判定使用该检验系统之一第二光学模式所产生之用于该晶圆之第二输出中之像素的其他值。该第一光学模式及该第二光学模式彼此不同。该方法亦包含产生对应于该晶圆上之实质上相同定位之该第一输出及该第二输出中之该等像素的该等差异值，及该等其他值的一个二维散布图。该方法进一步包含基于该二维散布图来侦测该晶圆上之缺陷。

4. 发明专利

TWI426261B 端部檢查裝置有权
简体标题：端部检查设备
公开(公告)号：TWI426261B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW096116471
申请日：2007-05-09
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：坂口直史 , SAKAGUCHI, NAOSHI
IPC分类号： G01N21/84 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9506 , G01N21/9503 , G01N2021/8825

5. 发明专利

TW201324645A 檢測晶圓之系統及方法审中-公开
简体标题：检测晶圆之系统及方法
公开(公告)号：TW201324645A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW102106188
申请日：2010-01-13
申请人：聯達科技設備私人有限公司 , SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES & INSTRUMENTS PTE LTD
发明人：阿杰亞拉里阿曼努拉 , AJHARALI, AMANULLAH , 林靖 , LIN, JING , 葛漢成 , GE, HAN-CHENG , 黃國榮 , WONG, KOK-WENG
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/8806 , G01N2021/8825 , G06T7/001 , G06T2207/10152 , G06T2207/20212 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種檢測半導體晶圓的檢測系統。該檢測系統包含一照明裝置，用於提供寬頻照明。該寬頻照明可為不同的對比，例如明視野與暗視野寬頻照明其中之一。該檢測系統進一步包含一第一影像擷取裝置與一第二影像擷取裝置，其每一個都設置成在該半導體晶圓移動中時，接收寬頻照明來擷取該半導體晶圓的影像。該系統包含數個管鏡頭，用於讓該寬頻照明準直。該系統也包含一穩定機構以及一物鏡組合。該系統進一步包含一細線型照明發射器以及一第三影像擷取裝置，用於接收細線型照明，藉以擷取該半導體晶圓的三維影像。該系統包含一反射器組合，來讓該第三影像擷取裝置接收從該半導體晶圓往多個方向反射的照明。
简体摘要：本发明揭示一种检测半导体晶圆的检测系统。该检测系统包含一照明设备，用于提供宽带照明。该宽带照明可为不同的对比，例如明视野与暗视野宽带照明其中之一。该检测系统进一步包含一第一影像截取设备与一第二影像截取设备，其每一个都设置成在该半导体晶圆移动中时，接收宽带照明来截取该半导体晶圆的影像。该系统包含数个管镜头，用于让该宽带照明准直。该系统也包含一稳定机构以及一物镜组合。该系统进一步包含一细线型照明发射器以及一第三影像截取设备，用于接收细线型照明，借以截取该半导体晶圆的三维影像。该系统包含一反射器组合，来让该第三影像截取设备接收从该半导体晶圆往多个方向反射的照明。

6. 发明专利

TW201125057A 半導體材料中的不連續偵測 DETECTION OF DISCONTINUITIES IN SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
简体标题：半导体材料中的不连续侦测 DETECTION OF DISCONTINUITIES IN SEMICONDUCTOR MATERIALS
公开(公告)号：TW201125057A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099127293
申请日：2010-08-16
申请人： BT影像有限公司
发明人：特拉克索斯丹 , 韋伯喬根 , 麥斯威爾恩 , 巴杜斯羅伯特 , 艾金斯葛拉罕
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N21/9505 , G01B2210/56 , G01N21/6489 , G01N2021/8825 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本文揭示使半導體樣本內橫向散射之光成像以偵測諸如龜裂之不連續之方法及系統。可使用外部光源，將光導入樣本，或在原位置產生與光冷光等波長的光。所說明方法與矽晶圓及光伏電池中之龜裂偵測有關，且原則上可應用於半導體晶圓或薄膜材料。
简体摘要：本文揭示使半导体样本内横向散射之光成像以侦测诸如龟裂之不连续之方法及系统。可使用外部光源，将光导入样本，或在原位置产生与光冷光等波长的光。所说明方法与硅晶圆及光伏电池中之龟裂侦测有关，且原则上可应用于半导体晶圆或薄膜材料。

7. 发明专利

TW539855B 檢測玻璃板之系統及方法失效
简体标题：检测玻璃板之系统及方法
公开(公告)号：TW539855B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW087118256
申请日：1998-11-03
申请人：光子力學加拿大公司
发明人：亞當維思 , 亞力克斯安德歐玻特奈
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N21/896 , G01N2021/8825
摘要：一種玻璃板之檢測系統。該系統包含第一雷射及第二雷射(其每一個都可提供一光片)、圓柱形透鏡系統，及第一光偵測系統及第二光偵測系統。第一雷射位於透鏡系統之焦點上。第二雷射則位於較第一雷射距透鏡系統更遠之處且偏離透鏡系統之軸。第一光偵測系統接收來自第一雷射之光，而第二光偵測系統則接收來自第二雷射之光。檢測系統適於使一片玻璃定位於透鏡系統與偵測系統中間。也說明一種方法。
简体摘要：一种玻璃板之检测系统。该系统包含第一激光及第二激光(其每一个都可提供一光片)、圆柱形透镜系统，及第一光侦测系统及第二光侦测系统。第一激光位于透镜系统之焦点上。第二激光则位于较第一激光距透镜系统更远之处且偏离透镜系统之轴。第一光侦测系统接收来自第一激光之光，而第二光侦测系统则接收来自第二激光之光。检测系统适于使一片玻璃定位于透镜系统与侦测系统中间。也说明一种方法。

8. 发明专利

TW409336B 於明視場或暗視場照明下用以分辨特點或異常的自動樣品檢驗系統及方法失效
简体标题：于明视场或暗视场照明下用以分辨特点或异常的自动样品检验系统及方法
公开(公告)号：TW409336B
公开(公告)日：2000-10-21
申请号：TW086116322
申请日：1997-12-22
申请人： KLA–天可爾公司
发明人：吉奈托.阿狄耶戈
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/8806 , G01N2021/8825
摘要：一種自動檢驗系統及方法，其可取代人類之目測來對明視場及暗視場照明一者或兩者之組合下具可測的特異形貌或異常形跡之樣本表面進行檢驗。其中較佳之實施例為顯影後檢驗宏觀(ADI Macro)瑕疵之檢驗系統，其可針對大級別之瑕疵(亦即，約大於２５微米之尺寸範圍者)檢驗半導體晶圓之圖案面。該ADI宏觀檢驗系統可探涮照相術顯影步驟後所出現之瑕疵，包括散焦區域("熱點"）、劃痕、圖案損傷、大粒子(亦即大於約２５微米尺寸範圍之粒子)、多餘沈積之光阻劑、非均勻之光阻劑沈積物、以及邊緣去點不吻合處。兩支螢光燈管用以照亮目標區成暗視場，且一支螢光燈管呈傾斜之形態用以照亮目標區成明視場。第一與第二成像系統分別聚集自晶圓表面上該等被照亮之目標區傳播而來之明視場光線及暗視場光線。兩個光感測器陣列各以光學方式連通該第一與第二成像系統中之不同者。該光感測器陣列之輸出可提供一數位資料流供圖像計算機處理。依據這些資料所進行之瑕疵探測，其方法係藉由分析該樣本晶圓上相鄰網格塊之間的差像而達成。
简体摘要：一种自动检验系统及方法，其可取代人类之目测来对明视场及暗视场照明一者或两者之组合下具可测的特异形貌或异常形迹之样本表面进行检验。其中较佳之实施例为显影后检验宏观(ADI Macro)瑕疵之检验系统，其可针对大级别之瑕疵(亦即，约大于２５微米之尺寸范围者)检验半导体晶圆之图案面。该ADI宏观检验系统可探涮照相术显影步骤后所出现之瑕疵，包括散焦区域("热点"）、划痕、图案损伤、大粒子(亦即大于约２５微米尺寸范围之粒子)、多余沉积之光阻剂、非均匀之光阻剂沉积物、以及边缘去点不吻合处。两支萤光灯管用以照亮目标区成暗视场，且一支萤光灯管呈倾斜之形态用以照亮目标区成明视场。第一与第二成像系统分别聚集自晶圆表面上该等被照亮之目标区传播而来之明视场光线及暗视场光线。两个光传感器数组各以光学方式连通该第一与第二成像系统中之不同者。该光传感器数组之输出可提供一数码数据流供图像计算机处理。依据这些数据所进行之瑕疵探测，其方法系借由分析该样本晶圆上相邻网格块之间的差像而达成。

10. 发明专利

TWI553706B 用以製造半導體結構之方法及用於檢查複數覆蓋標記之系統有权
简体标题：用以制造半导体结构之方法及用于检查复数覆盖标记之系统
公开(公告)号：TWI553706B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103144919
申请日：2014-12-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林伯俊 , LIN, BO JIUN , 姚欣潔 , YAO, HSIN CHIEH , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F9/7069 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/8822 , G01N2021/8825 , G01N2021/95676 , G01N2201/061 , G01N2201/06113 , G03F7/70633 , H01L21/027 , H01L22/12 , H01L22/20

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