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1. 发明专利

TWI606316B 曝光裝置用之對準裝置及對準記號有权
简体标题：曝光设备用之对准设备及对准记号
公开(公告)号：TWI606316B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105137996
申请日：2012-08-09
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：橋本和重 , HASHIMOTO,KAZUSHIGE
IPC分类号： G03F9/00 , H01L21/027
CPC分类号： G01B11/028 , G03F9/00 , G03F9/7069 , G03F9/7088

2. 发明专利

TWI553706B 用以製造半導體結構之方法及用於檢查複數覆蓋標記之系統有权
简体标题：用以制造半导体结构之方法及用于检查复数覆盖标记之系统
公开(公告)号：TWI553706B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103144919
申请日：2014-12-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林伯俊 , LIN, BO JIUN , 姚欣潔 , YAO, HSIN CHIEH , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F9/7069 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/8822 , G01N2021/8825 , G01N2021/95676 , G01N2201/061 , G01N2201/06113 , G03F7/70633 , H01L21/027 , H01L22/12 , H01L22/20

3. 发明专利

TWI524154B 用於量測微結構之不對稱性之方法及裝置、位置量測方法、位置量測裝置、微影裝置及器件製造方法有权
简体标题：用于量测微结构之不对称性之方法及设备、位置量测方法、位置量测设备、微影设备及器件制造方法
公开(公告)号：TWI524154B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102140163
申请日：2013-11-05
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：提那曼斯派翠西斯阿若瑟斯約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 麥提森賽門吉司伯喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F9/7069 , G03F9/7088

4. 发明专利

TWI467341B 曝光設備及裝置製造方法有权
简体标题：曝光设备及设备制造方法
公开(公告)号：TWI467341B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW097121417
申请日：2008-06-09
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：安藤美和子 , ANDO, MIWAKO
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03B27/54 , G03F7/70091 , G03F9/7003 , G03F9/7069

5. 发明专利

TW201409185A 位置偵測器，微影蝕刻設備及裝置製造方法审中-公开
简体标题：位置侦测器，微影蚀刻设备及设备制造方法
公开(公告)号：TW201409185A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102127415
申请日：2013-07-31
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：佐佐木亮 , SASAKI, RYO
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7065 , G01B11/14 , G03F9/70 , G03F9/7003 , G03F9/7046 , G03F9/7069 , G03F9/7088
摘要：一種位置偵測器被建構來偵測一待測物的位置。該位置偵測器具有一被建構來偵測在該待測物上的記號的光學系統，其包括具有一正折射功率的透鏡，及一反射件，其被建構來反射一以收斂狀態或發散狀態通過該透鏡的光通量。該反射件是用一表現出低於1.0的折射率及大於0.0的吸光係數的材料及一表現出大於1.0的折射率及大於0.5的吸光係數的材料的至少一種材料建構成。
简体摘要：一种位置侦测器被建构来侦测一待测物的位置。该位置侦测器具有一被建构来侦测在该待测物上的记号的光学系统，其包括具有一正折射功率的透镜，及一反射件，其被建构来反射一以收敛状态或发散状态通过该透镜的光通量。该反射件是用一表现出低于1.0的折射率及大于0.0的吸光系数的材料及一表现出大于1.0的折射率及大于0.5的吸光系数的材料的至少一种材料建构成。

6. 发明专利

TW575800B 微影裝置、對齊方法及元件製造方法失效
简体标题：微影设备、对齐方法及组件制造方法
公开(公告)号：TW575800B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW092102978
申请日：2003-02-13
申请人： ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：凱斯富蘭克貝斯特 KEITH FRANK BEST , 艾利克森德佛利茲 ALEXANDER FRIZ , 喬瑟夫 J 康梭林尼 JOSEPH J CONSOLINI , 亨利克斯威海莫斯馬利亞凡布爾 HENRICUS WILHELMUS MARIA VAN BUEL , 成昆古 CHENG-QUN GUI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F9/7069 , G03F9/7076 , G03F9/7084
摘要：本發明揭示一種對齊方法，其係將有一大Z形間隔(如在 MEMS或MOEMS的製造中)的各層對齊，因而使用一對齊系統，其用垂直入射的輻射來照射參考標記。該對齊系統有一照明系統，其在基板側上係遠心的。
简体摘要：本发明揭示一种对齐方法，其系将有一大Z形间隔(如在 MEMS或MOEMS的制造中)的各层对齐，因而使用一对齐系统，其用垂直入射的辐射来照射参考标记。该对齐系统有一照明系统，其在基板侧上系远心的。

7. 发明专利

TW494464B 利用偏光設計之重疊對齊裝置及方法失效
简体标题：利用偏光设计之重叠对齐设备及方法
公开(公告)号：TW494464B
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：TW090102746
申请日：2001-05-15
申请人：印芬龍科技北美股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：殷曉明 , 威爾特夏提姆 , 汪亞爾佛瑞德 , 惠爾勒 C 唐納德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F9/7065 , G03F9/7069
摘要：一種半導體積體電路製造中所使用的對齊系統，係用來定出並調整已形成於半導體晶圓上各器件與遮罩上將要投影到半導體晶圓之上的各器件之間的對齊作用，使用來照射半導體晶圓的光散射並繞射到黑暗-場域偵測器系統之內，此將使電氣信號的產生，並以該信號將遮罩定位在半導體晶圓的相對位置上，於本發明系統中使用偏極光會導致想要信號量值的增加以及偽造信號量值的減少，為了改良信號的品質而將偏極性角度調整成相對於半導體晶圓上各對齊標記之幾何形狀具有待定關係。
简体摘要：一种半导体集成电路制造中所使用的对齐系统，系用来定出并调整已形成于半导体晶圆上各器件与遮罩上将要投影到半导体晶圆之上的各器件之间的对齐作用，使用来照射半导体晶圆的光散射并绕射到黑暗-场域侦测器系统之内，此将使电气信号的产生，并以该信号将遮罩定位在半导体晶圆的相对位置上，于本发明系统中使用偏极光会导致想要信号量值的增加以及伪造信号量值的减少，为了改良信号的品质而将偏极性角度调整成相对于半导体晶圆上各对齐标记之几何形状具有待定关系。

8. 发明专利

TW449785B 半導體結構及其製法失效
简体标题：半导体结构及其制法
公开(公告)号：TW449785B
公开(公告)日：2001-08-11
申请号：TW089112746
申请日：2000-06-28
申请人：印芬龍科技北美股份有限公司
发明人：古里斯丁薩彌爾
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G06K9/3216 , G03F9/7069 , G03F9/7076 , G06K2009/3225 , H01L21/681 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體本體,包含一含有一對位在該半導體本體上的平行線組之對準標記,該兩組的其中之一平行線正交另一組平行線排列,該兩組平行線會有交越的關係。此外,本發明還包含檢測在半導體本體上之對準標記的方法和設備。此方法和設備提供掃描包含一對在對準標記表面上之正交入射光線的對準照光,此對入射光線的其中之一正交只橫向位移另一入射光線,當此入射光線位在其上時,藉由半導體表面中的對準線,可以反射入射光，以提供一對橫移之反射光束。該方法包含檢測橫向空間檢光器對的每一個檢光器中,橫移反射光束之對應光束。
简体摘要：一种半导体本体,包含一含有一对位在该半导体本体上的平行线组之对准标记,该两组的其中之一平行线正交另一组平行线排列,该两组平行线会有交越的关系。此外,本发明还包含检测在半导体本体上之对准标记的方法和设备。此方法和设备提供扫描包含一对在对准标记表面上之正交入射光线的对准照光,此对入射光线的其中之一正交只横向位移另一入射光线,当此入射光线位在其上时,借由半导体表面中的对准线,可以反射入射光，以提供一对横移之反射光束。该方法包含检测横向空间检光器对的每一个检光器中,横移反射光束之对应光束。

9. 发明专利

TWI615685B 用於測量一目標結構之性質之檢測裝置、操作一光學系統之方法、製造器件之方法有权
简体标题：用于测量一目标结构之性质之检测设备、操作一光学系统之方法、制造器件之方法
公开(公告)号：TWI615685B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105110660
申请日：2016-04-01
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：斐貞金吉拉德 , FEIJEN, KIM GERARD , 范布爾亨利克斯威爾翰瑪斯瑪莉亞 , VAN BUEL, HENRICUS WILHELMUS MARIA , 寇克馬汀那斯喬瑟夫 , KOK, MARTINUS JOSEPH
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956
CPC分类号： G03F9/7088 , G01B11/0616 , G01B11/14 , G01B11/272 , G01N21/956 , G02B3/14 , G02B26/004 , G02B27/0068 , G03F7/706 , G03F7/70683 , G03F9/7069 , G03F9/7092

10. 发明专利

TWI598702B 曝光裝置用之對準裝置及對準記號有权
简体标题：曝光设备用之对准设备及对准记号
公开(公告)号：TWI598702B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105137998
申请日：2012-08-09
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：橋本和重 , HASHIMOTO,KAZUSHIGE
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G01B11/028 , G03F9/00 , G03F9/7069 , G03F9/7088

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