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    • 1. 发明专利
    • 於明視場或暗視場照明下用以分辨特點或異常的自動樣品檢驗系統及方法
    • 于明视场或暗视场照明下用以分辨特点或异常的自动样品检验系统及方法
    • TW409336B
    • 2000-10-21
    • TW086116322
    • 1997-12-22
    • KLA–天可爾公司
    • 吉奈托.阿狄耶戈
    • H01L
    • G01N21/956G01N21/8806G01N2021/8825
    • 一種自動檢驗系統及方法,其可取代人類之目測來對明視場及暗視場照明一者或兩者之組合下具可測的特異形貌或異常形跡之樣本表面進行檢驗。其中較佳之實施例為顯影後檢驗宏觀(ADI Macro)瑕疵之檢驗系統,其可針對大級別之瑕疵(亦即,約大於25微米之尺寸範圍者)檢驗半導體晶圓之圖案面。該ADI宏觀檢驗系統可探涮照相術顯影步驟後所出現之瑕疵,包括散焦區域("熱點")、劃痕、圖案損傷、大粒子(亦即大於約25微米尺寸範圍之粒子)、多餘沈積之光阻劑、非均勻之光阻劑沈積物、以及邊緣去點不吻合處。兩支螢光燈管用以照亮目標區成暗視場,且一支螢光燈管呈傾斜之形態用以照亮目標區成明視場。第一與第二成像系統分別聚集自晶圓表面上該等被照亮之目標區傳播而來之明視場光線及暗視場光線。兩個光感測器陣列各以光學方式連通該第一與第二成像系統中之不同者。該光感測器陣列之輸出可提供一數位資料流供圖像計算機處理。依據這些資料所進行之瑕疵探測,其方法係藉由分析該樣本晶圓上相鄰網格塊之間的差像而達成。
    • 一种自动检验系统及方法,其可取代人类之目测来对明视场及暗视场照明一者或两者之组合下具可测的特异形貌或异常形迹之样本表面进行检验。其中较佳之实施例为显影后检验宏观(ADI Macro)瑕疵之检验系统,其可针对大级别之瑕疵(亦即,约大于25微米之尺寸范围者)检验半导体晶圆之图案面。该ADI宏观检验系统可探涮照相术显影步骤后所出现之瑕疵,包括散焦区域("热点")、划痕、图案损伤、大粒子(亦即大于约25微米尺寸范围之粒子)、多余沉积之光阻剂、非均匀之光阻剂沉积物、以及边缘去点不吻合处。两支萤光灯管用以照亮目标区成暗视场,且一支萤光灯管呈倾斜之形态用以照亮目标区成明视场。第一与第二成像系统分别聚集自晶圆表面上该等被照亮之目标区传播而来之明视场光线及暗视场光线。两个光传感器数组各以光学方式连通该第一与第二成像系统中之不同者。该光传感器数组之输出可提供一数码数据流供图像计算机处理。依据这些数据所进行之瑕疵探测,其方法系借由分析该样本晶圆上相邻网格块之间的差像而达成。