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1. 发明专利

TW202004257A 在多層結構中用於增強型缺陷偵測之相位濾波器审中-公开
简体标题：在多层结构中用于增强型缺陷侦测之相位滤波器
公开(公告)号：TW202004257A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116345
申请日：2019-05-13
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M. , 史塔洛德戴米崔 G , STARODUB, DMITRI G.
IPC分类号： G02B27/00 , G02B27/10 , G02B27/46 , G02B3/00 , G06K9/00 , H01L21/66
摘要：本發明揭示用於促進一多層堆疊中之缺陷偵測之方法及設備。該方法包含選擇用於模型化一特定多層堆疊及包含在此特定多層堆疊內之一特定缺陷之一組結構參數及用於一光學檢驗系統之一組操作參數。基於該組結構及操作參數，對自該特定多層堆疊及缺陷散射且到達該光學檢驗系統之一收集光瞳處之波執行一電磁模擬。基於該收集光瞳處之該等經模擬波，判定具有用於改變該光學檢驗工具之該收集光瞳之複數個對應位置內之複數個相位之複數個位置之一相位濾波器之一設計，以便補償該特定多層堆疊對獲得用於此特定多層堆疊內之該缺陷之一缺陷信號之一不利影響及/或增強此缺陷信號。然後提供該相位濾波器之該設計以製作或組態嵌入在該光學檢驗系統內之一相位濾波器以便偵測在具有與該特定多層堆疊相同之結構參數之多層堆疊中之缺陷。亦揭示用於檢驗一多層堆疊之缺陷之方法及系統。
简体摘要：本发明揭示用于促进一多层堆栈中之缺陷侦测之方法及设备。该方法包含选择用于模型化一特定多层堆栈及包含在此特定多层堆栈内之一特定缺陷之一组结构参数及用于一光学检验系统之一组操作参数。基于该组结构及操作参数，对自该特定多层堆栈及缺陷散射且到达该光学检验系统之一收集光瞳处之波运行一电磁仿真。基于该收集光瞳处之该等经仿真波，判定具有用于改变该光学检验工具之该收集光瞳之复数个对应位置内之复数个相位之复数个位置之一相位滤波器之一设计，以便补偿该特定多层堆栈对获得用于此特定多层堆栈内之该缺陷之一缺陷信号之一不利影响及/或增强此缺陷信号。然后提供该相位滤波器之该设计以制作或组态嵌入在该光学检验系统内之一相位滤波器以便侦测在具有与该特定多层堆栈相同之结构参数之多层堆栈中之缺陷。亦揭示用于检验一多层堆栈之缺陷之方法及系统。

3. 发明专利

TW201337245A 於半導體裝置檢查系統中用於切趾的系統及方法审中-公开
简体标题：于半导体设备检查系统中用于切趾的系统及方法
公开(公告)号：TW201337245A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102105416
申请日：2013-02-08
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：蘇立文傑米M , SULLIVAN, JAMIE M. , 傑尼克喬瑞 , JANIK, GARY , 崔史帝夫宜豐 , CUI, STEVE YIFENG , 阮佑銳克斯 , RUNYOU, REX , 魏克底爾特 , WILK, DIETER , 秀特史帝夫 , SHORT, STEVE , 哈里勞米克海爾 , HAURYLAU, MIKHAIL , 張強 , ZHANG, QIANG , 陳葛雷斯秀玲 , CHEN, GRACE HSIU-LING , 達納羅伯特M , DANEN, ROBERT M. , 馬多諾蘇威平 , MARTONO, SUWIPIN , 維瑪秀柏希特 , VERMA, SHOBHIT , 蔡文建 , CAI, WENJIAN , 布藍德米爾 , BRENDER, MEIER
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/95623 , G01N2021/8825 , G02B27/58
摘要：本發明揭示一種具有可選擇切趾之檢查系統，該檢查系統包含：一照射源，其經組態以照射一樣本之一表面；一偵測器，其經組態以偵測自該樣本之該表面發出之光之至少一部分，該照射源及該偵測器經由一光學系統之一光學路徑而光學耦合；一可選擇性組態之切趾裝置，其沿該光學路徑安置，其中該切趾裝置包含操作地耦合至一或多個致動載台之一或多個切趾元件，該一或多個致動載台經組態以沿一或多個方向可選擇性地致動該一或多個切趾元件；及一控制系統，其通信地耦合至該一或多個致動載台且經組態以藉由控制該一或多個切趾元件之一致動狀態而可選擇性地控制沿該光學路徑所傳輸之照射之切趾。
简体摘要：本发明揭示一种具有可选择切趾之检查系统，该检查系统包含：一照射源，其经组态以照射一样本之一表面；一侦测器，其经组态以侦测自该样本之该表面发出之光之至少一部分，该照射源及该侦测器经由一光学系统之一光学路径而光学耦合；一可选择性组态之切趾设备，其沿该光学路径安置，其中该切趾设备包含操作地耦合至一或多个致动载台之一或多个切趾组件，该一或多个致动载台经组态以沿一或多个方向可选择性地致动该一或多个切趾组件；及一控制系统，其通信地耦合至该一或多个致动载台且经组态以借由控制该一或多个切趾组件之一致动状态而可选择性地控制沿该光学路径所传输之照射之切趾。

4. 发明专利

TWI664415B 用於判定晶圓上缺陷之資訊之系統及方法有权
简体标题：用于判定晶圆上缺陷之信息之系统及方法
公开(公告)号：TWI664415B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103137472
申请日：2014-10-29
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：帕倫巴史提法諾 , PALOMBA, STEFANO , 柯勤派維爾 , KOLCHIN, PAVEL , 哈里勞米克海爾 , HAURYLAU, MIKHAIL , 達納羅伯特M , DANEN, ROBERT M. , 碩爾特大衛W , SHORTT, DAVID W.
IPC分类号： G01N21/01 , G01N21/64 , G01N21/88

5. 发明专利

TWI685652B 用於判定晶圓上缺陷之資訊之系統及方法有权
简体标题：用于判定晶圆上缺陷之信息之系统及方法
公开(公告)号：TWI685652B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW108118407
申请日：2014-10-29
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：帕倫巴史提法諾 , PALOMBA, STEFANO , 柯勤派維爾 , KOLCHIN, PAVEL , 哈里勞米克海爾 , HAURYLAU, MIKHAIL , 達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M. , 碩爾特大衛 W , SHORTT, DAVID W.
IPC分类号： G01N21/01 , G01N21/64 , G01N21/88

6. 发明专利

TW201732275A 用於選擇缺陷檢查之配方之方法及系統审中-公开
简体标题：用于选择缺陷检查之配方之方法及系统
公开(公告)号：TW201732275A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106103190
申请日：2017-01-26
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M. , 孫碩 , SUN, ALFONSO , 波特瑞特湯馬士 , BOATWRIGHT, THOMAS
IPC分类号： G01N21/892 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/7065 , H01L22/12
摘要：本發明揭示用於選擇適用於缺陷檢查之光學模式之方法及系統。一方法可包含：利用一組光學模式來掃描特定類型之一全堆疊晶圓以獲取一組全堆疊晶圓影像；及基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該全堆疊晶圓以產生一經去層處理晶圓，從而促進對適用於該特定類型之晶圓之缺陷檢查之光學模式之選擇。
简体摘要：本发明揭示用于选择适用于缺陷检查之光学模式之方法及系统。一方法可包含：利用一组光学模式来扫描特定类型之一全堆栈晶圆以获取一组全堆栈晶圆影像；及基于由该组全堆栈晶圆影像指示的一潜在所关注缺陷之一位置来去层处理该全堆栈晶圆以产生一经去层处理晶圆，从而促进对适用于该特定类型之晶圆之缺陷检查之光学模式之选择。

7. 发明专利

TW201522938A 判定晶圓上缺陷之資訊审中-公开
简体标题：判定晶圆上缺陷之信息
公开(公告)号：TW201522938A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103137472
申请日：2014-10-29
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：帕倫巴史提法諾 , PALOMBA, STEFANO , 柯勤派維爾 , KOLCHIN, PAVEL , 哈里勞米克海爾 , HAURYLAU, MIKHAIL , 達納羅伯特M , DANEN, ROBERT M. , 碩爾特大衛W , SHORTT, DAVID W.
IPC分类号： G01N21/01 , G01N21/64 , G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/94 , G01N2201/0612 , G01N2201/12
摘要：本發明揭示用於判定一晶圓上缺陷之資訊之系統及方法。一種系統包含經組態以將具有一或多個照明波長之光引導至一晶圓之一照明子系統。該一或多個照明波長經選定以使該晶圓上之一或多種材料發螢光而不使該晶圓上之一或多種其他材料發螢光。該系統亦包含一偵測子系統，該偵測子系統經組態以僅偵測來自一或多種材料之螢光，或偵測來自該晶圓之非螢光而不偵測來自一或多種材料之螢光。另外，該系統包含一電腦子系統，該電腦子系統經組態以使用由該偵測子系統回應於所偵測之螢光或所偵測之非螢光所產生之輸出來判定該晶圓上缺陷之資訊。
简体摘要：本发明揭示用于判定一晶圆上缺陷之信息之系统及方法。一种系统包含经组态以将具有一或多个照明波长之光引导至一晶圆之一照明子系统。该一或多个照明波长经选定以使该晶圆上之一或多种材料发萤光而不使该晶圆上之一或多种其他材料发萤光。该系统亦包含一侦测子系统，该侦测子系统经组态以仅侦测来自一或多种材料之萤光，或侦测来自该晶圆之非萤光而不侦测来自一或多种材料之萤光。另外，该系统包含一电脑子系统，该电脑子系统经组态以使用由该侦测子系统回应于所侦测之萤光或所侦测之非萤光所产生之输出来判定该晶圆上缺陷之信息。

8. 发明专利

TW201835675A 用於測量三維半導體晶圓上之掩埋缺陷之三維校準結構及方法审中-公开
简体标题：用于测量三维半导体晶圆上之掩埋缺陷之三维校准结构及方法
公开(公告)号：TW201835675A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107103792
申请日：2018-02-02
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP , 達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M.
IPC分类号： G03F1/42 , G01R31/26
摘要：本發明揭示一種用於測量一半導體裝置上之掩埋缺陷之三維校準結構。該三維校準結構包含具有一或多個程式化表面缺陷之一缺陷標準晶圓(DSW)。該三維校準結構包含沈積於該DSW上之一平坦化層。該三維校準結構包含沈積於該平坦化層上之一層堆疊。該層堆疊包含兩個或更多個交替層。該三維校準結構包含沈積於該層堆疊上之一罩蓋層。在沈積該罩蓋層之後，在該層堆疊中形成一或多個氣隙。該三維校準結構包含形成至該罩蓋層、該層堆疊或該平坦化層之至少一者中之一或多個孔。
简体摘要：本发明揭示一种用于测量一半导体设备上之掩埋缺陷之三维校准结构。该三维校准结构包含具有一或多个进程化表面缺陷之一缺陷标准晶圆(DSW)。该三维校准结构包含沉积于该DSW上之一平坦化层。该三维校准结构包含沉积于该平坦化层上之一层堆栈。该层堆栈包含两个或更多个交替层。该三维校准结构包含沉积于该层堆栈上之一罩盖层。在沉积该罩盖层之后，在该层堆栈中形成一或多个气隙。该三维校准结构包含形成至该罩盖层、该层堆栈或该平坦化层之至少一者中之一或多个孔。

9. 发明专利

TW201833539A 用於三維半導體結構之檢驗之缺陷發現及變因最佳化审中-公开
简体标题：用于三维半导体结构之检验之缺陷发现及变因最优化
公开(公告)号：TW201833539A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141985
申请日：2017-11-30
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：巴哈特阿恰亞桑透許 , BHATTACHARYYA, SANTOSH , 夏瑪迪發希 , SHARMA, DEVASHISH , 馬希爾克里斯多夫 , MAHER, CHRISTOPHER , 華波 , HUA, BO , 米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP , 達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M.
IPC分类号： G01N21/95 , G01N23/04 , G01R31/28 , G06T7/00
摘要：本文中闡述用於發現掩埋於三維半導體結構內之受關注缺陷(DOI)及將變因最佳化的方法及系統。藉由儲存與受量測之該等半導體結構之總深度之一子組相關聯之影像而減小經受缺陷發現及驗證之一半導體晶圓之體積。記錄與一或多個焦平面或聚焦範圍處之缺陷位置相關聯之影像片塊。基於以下各項中之任一者而減少所考量光學模式之數目：一或多個所量測晶圓級缺陷圖徵與一或多個預期晶圓級缺陷圖徵之一比較、所量測之缺陷信雜比及無需還原處理而驗證之缺陷。此外，採用經驗證缺陷及所記錄影像來訓練一擾亂篩選程式且將量測變因最佳化。將該所訓練擾亂篩選程式應用於缺陷影像以選擇最佳光學模式來用於生產。
简体摘要：本文中阐述用于发现掩埋于三维半导体结构内之受关注缺陷(DOI)及将变因最优化的方法及系统。借由存储与受量测之该等半导体结构之总深度之一子组相关联之影像而减小经受缺陷发现及验证之一半导体晶圆之体积。记录与一或多个焦平面或聚焦范围处之缺陷位置相关联之影像片块。基于以下各项中之任一者而减少所考量光学模式之数目：一或多个所量测晶圆级缺陷图征与一或多个预期晶圆级缺陷图征之一比较、所量测之缺陷信杂比及无需还原处理而验证之缺陷。此外，采用经验证缺陷及所记录像像来训练一扰乱筛选进程且将量测变因最优化。将该所训练扰乱筛选进程应用于缺陷影像以选择最佳光学模式来用于生产。

10. 发明专利

TW201819896A 用於半導體晶圓檢查之三維成像审中-公开
简体标题：用于半导体晶圆检查之三维成像
公开(公告)号：TW201819896A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106134442
申请日：2017-10-06
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：柯勤派維爾 , KOLCHIN, PAVEL , 達納羅伯特 M , DANEN, ROBERT M. , 米梭爾菲利普 , MEASOR, PHILIP
IPC分类号： G01N21/88 , G06T7/593
摘要：本文中描述用於基於三維影像之半導體晶圓上之所關注缺陷(DOI)之改良偵測與分類的方法及系統。厚分層結構之體積的三維成像以高處理量實現在三個維度中之精確缺陷偵測及缺陷位置的估計。在數個不同晶圓深度處獲取一系列影像。自該系列影像產生一厚半導體結構之一三維影像。基於該厚半導體結構之該三維影像之一分析來對缺陷進行識別及分類。在一些實例中，藉由等高線圖或橫截面圖來視覺化三維影像堆疊以識別一特性缺陷回應。在一些實例中，以演算法方式處理該三維影像以對缺陷進行識別及分類。在另一態樣中，基於該三維影像，在三個維度中估計一缺陷之位置。
简体摘要：本文中描述用于基于三维影像之半导体晶圆上之所关注缺陷(DOI)之改良侦测与分类的方法及系统。厚分层结构之体积的三维成像以高处理量实现在三个维度中之精确缺陷侦测及缺陷位置的估计。在数个不同晶圆深度处获取一系列影像。自该系列影像产生一厚半导体结构之一三维影像。基于该厚半导体结构之该三维影像之一分析来对缺陷进行识别及分类。在一些实例中，借由等高线图或横截面图来可视化三维影像堆栈以识别一特性缺陷回应。在一些实例中，以算法方式处理该三维影像以对缺陷进行识别及分类。在另一态样中，基于该三维影像，在三个维度中估计一缺陷之位置。

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