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1. 发明专利

TWI621845B 校準一模型之方法與系統及推斷圖案化程序之參數之方法有权
简体标题：校准一模型之方法与系统及推断图案化进程之参数之方法
公开(公告)号：TWI621845B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105141342
申请日：2016-12-14
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：蘇洽羅伯特約翰 , SOCHA, ROBERT JOHN , 瓦倫湯瑪士 I , WALLOW, THOMAS I.
IPC分类号： G01N21/47 , G03F7/20 , G06F17/18 , G06F17/50 , G06N7/00 , G06N99/00
CPC分类号： G06F17/5009 , G01N21/4785 , G01N2201/127 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G06F17/18 , G06F2217/16 , G06N7/005 , G06N99/005

2. 发明专利

TW201812469A 回應於一覆蓋誤差調整一基板的曝光參數的方法、及其電腦系統與非暫態電腦可讀取媒體审中-公开
简体标题：回应于一覆盖误差调整一基板的曝光参数的方法、及其电脑系统与非暂态电脑可读取媒体
公开(公告)号：TW201812469A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123766
申请日：2017-07-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克斯古塔梅爾 , COSKUN, TAMER , 鄭環 , JEONG, HWAN J.
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/70633
摘要：本文揭露實施例一般有關於回應於覆蓋誤差調整基板曝光參數。此方法包含劃分基板為複數個分區。各分區對應於一影像投影系統。決定沉積於基板上之第一層的總覆蓋(overlay)誤差。針對各分區，計算分區覆蓋誤差。針對兩個或多個分區重疊(overlap)的各重疊區域，計算平均覆蓋誤差。回應於總覆蓋誤差調整曝光參數。
简体摘要：本文揭露实施例一般有关于回应于覆盖误差调整基板曝光参数。此方法包含划分基板为复数个分区。各分区对应于一影像投影系统。决定沉积于基板上之第一层的总覆盖(overlay)误差。针对各分区，计算分区覆盖误差。针对两个或多个分区重叠(overlap)的各重叠区域，计算平均覆盖误差。回应于总覆盖误差调整曝光参数。

3. 发明专利

TW201812468A 用於度量衡目標場之設計之方法與裝置审中-公开
简体标题：用于度量衡目标场之设计之方法与设备
公开(公告)号：TW201812468A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123332
申请日：2017-07-12
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 波斯肯特慕拉特 , BOZKURT, MURAT , 華那爾派翠克 , WARNAAR, PATRICK , 凡德山登史帝芬柯尼里斯李歐朵魯斯 , VAN DER SANDEN, STEFAN CORNELIS THEODORUS
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F9/7046 , G01N21/956 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F9/7019
摘要：本發明描述用於提供一微影特性或度量衡參數之一準確及穩固量測的方法及裝置。該方法包括：提供用於一度量衡目標之複數個度量衡參數中之每一者的一值範圍或複數個值；提供對該複數個度量衡參數中之每一者之一約束；及藉由一處理器進行計算以最佳化/修改該複數個值之該範圍內的此等參數，從而產生度量衡參數滿足該等約束的複數個度量衡目標設計。
简体摘要：本发明描述用于提供一微影特性或度量衡参数之一准确及稳固量测的方法及设备。该方法包括：提供用于一度量衡目标之复数个度量衡参数中之每一者的一值范围或复数个值；提供对该复数个度量衡参数中之每一者之一约束；及借由一处理器进行计算以最优化/修改该复数个值之该范围内的此等参数，从而产生度量衡参数满足该等约束的复数个度量衡目标设计。

4. 发明专利

TW201812459A 半導體製程的量測方法與設備审中-公开
简体标题：半导体制程的量测方法与设备
公开(公告)号：TW201812459A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106119247
申请日：2017-06-09
申请人：愛美科公司 , IMEC VZW
发明人：奧斯夫尼特克里斯托弗 , AUSSCHNITT, CHRISTOPHER , 特魯費特文森 , TRUFFERT, VINCENT
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要：本發明係關於一種方法及設備，其用於判定產生於一半導體生產晶圓(即，用於在一晶圓上產生多個晶片之一製程中所使用之晶圓)上之一晶片之一圖案化層中之特徵之尺寸。該圖案化層之產生包含一微影步驟及一蝕刻步驟，其中用於產生該圖案化層之微影光罩具有一或多個不對稱標記。經印刷及經蝕刻之標記特徵之位置對微影及蝕刻參數敏感。根據較佳實施例，藉由疊對量測來量測此等位置變動，即，量測一標記相對於另一標記之位置變動。將獲得之「偽」疊對資料與一參數模型擬合，同時在一測試晶圓上量測特性特徵尺寸。經反轉之模型允許判定一生產晶圓上之特徵尺寸。將該方法應用於兩個不同層上允許判定該兩個層之特徵之間的邊緣放置誤差。
简体摘要：本发明系关于一种方法及设备，其用于判定产生于一半导体生产晶圆(即，用于在一晶圆上产生多个芯片之一制程中所使用之晶圆)上之一芯片之一图案化层中之特征之尺寸。该图案化层之产生包含一微影步骤及一蚀刻步骤，其中用于产生该图案化层之微影光罩具有一或多个不对称标记。经印刷及经蚀刻之标记特征之位置对微影及蚀刻参数敏感。根据较佳实施例，借由叠对量测来量测此等位置变动，即，量测一标记相对于另一标记之位置变动。将获得之“伪”叠对数据与一参数模型拟合，同时在一测试晶圆上量测特性特征尺寸。经反转之模型允许判定一生产晶圆上之特征尺寸。将该方法应用于两个不同层上允许判定该两个层之特征之间的边缘放置误差。

6. 发明专利

TW201809898A 用於增進器件匹配的基板量測配方組態审中-公开
简体标题：用于增进器件匹配的基板量测配方组态
公开(公告)号：TW201809898A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106119187
申请日：2017-06-09
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：顧寧 , GU, NING , 王代冕 , WANG, DAIMIAN , 王禎祥 , WANG, JEN-SHIANG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70633
摘要：一種方法，其包括：計算一多變數成本函數，該多變數成本函數表示特性化當使用一基板量測配方量測一度量衡目標結構時之一結果與一功能器件之一圖案之一行為之間的一匹配程度之一度量，該度量依據該度量衡目標結構之一參數之複數個設計變數而變化；及調整該等設計變數且運用該等經調整設計變數計算該成本函數，直至滿足某一終止條件為止。
简体摘要：一种方法，其包括：计算一多变量成本函数，该多变量成本函数表示特性化当使用一基板量测配方量测一度量衡目标结构时之一结果与一功能器件之一图案之一行为之间的一匹配程度之一度量，该度量依据该度量衡目标结构之一参数之复数个设计变量而变化；及调整该等设计变量且运用该等经调整设计变量计算该成本函数，直至满足某一终止条件为止。

8. 发明专利

TWI616643B 晶圓彎曲的評價方法與使用此評價方法的晶圓選別方法有权
简体标题：晶圆弯曲的评价方法与使用此评价方法的晶圆选别方法
公开(公告)号：TWI616643B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW104108261
申请日：2015-03-16
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：齊藤久之 , SAITO, HISAYUKI
IPC分类号： G01B5/012 , G01B5/20 , H01L21/66
CPC分类号： G01B21/20 , G01B21/30 , G01B2210/56 , G03F7/20 , G03F7/70633 , G03F7/70783 , H01L22/12

9. 发明专利

TW201805730A 基於通過波長相似性之度量衡堅固性审中-公开
简体标题：基于通过波长相似性之度量衡坚固性
公开(公告)号：TW201805730A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106116043
申请日：2017-05-16
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：葛西亞格藍達米歌爾 , GARCIA GRANDA, MIGUEL , 李維斯克理斯宣馬瑞斯 , LEEWIS, CHRISTIAN MARINUS , 史達爾法蘭克 , STAALS, FRANK
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7026 , G03F7/70633 , G03F9/7046
摘要：一種方法，其包括：藉由使用一基板量測配方而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該量測結果判定一參數，其中該參數特性化針對用於該基板量測配方之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性，且該判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性；及若該參數不在一指定範圍內，則調整該基板量測配方。
简体摘要：一种方法，其包括：借由使用一基板量测配方而自一基板上之一目标获得一量测结果；借由一硬件电脑系统自该量测结果判定一参数，其中该参数特性化针对用于该基板量测配方之入射辐射的该量测结果对该目标之一光学路径长度之相依性，且该判定该参数包含判定该量测结果对该入射辐射之波长之一相对改变的相依性；及若该参数不在一指定范围内，则调整该基板量测配方。

10. 发明专利

TW201805728A 獲得量測的方法、用於執行處理步驟的設備、度量衡設備、器件製造方法审中-公开
简体标题：获得量测的方法、用于运行处理步骤的设备、度量衡设备、器件制造方法
公开(公告)号：TW201805728A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115403
申请日：2017-05-10
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：希可利哈奇爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 石橋真史 , ISHIBASHI, MASASHI , 范戴凡溫蒂喬漢娜瑪汀娜 , VAN DE VEN, WENDY JOHANNA MARTINA , 羅伊羅夫斯威廉賽納克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 麥克納馬拉艾略特葛雷德 , MC NAMARA, ELLIOTT GERARD , 拉曼里茲維 , RAHMAN, RIZVI , 庫柏斯米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 舒密特-韋佛艾密爾彼得 , SCHMITT-WEAVER, EMIL PETER , 德爾維尼艾瑞克亨利亞德里安 , DELVIGNE, ERIK HENRI ADRIAAN
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70633 , G01N21/956 , G03F9/7046 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：在執行一微影處理步驟之前或之後自橫越一基板(W')之部位獲得量測。此等量測之實例包括在將一圖案施加至該基板之前進行的對準量測，及在已施加一圖案之後的諸如疊對之效能參數之量測。自所有可能量測部位(302)當中選擇一量測部位集合(606、606'或606'')。回應於使用量測部位之一初步選擇(610)而獲得之量測，動態地選擇(202c)該等經選擇量測部位之至少一子集。可使用初步高度量測以選擇用於對準之量測部位。在本發明之另一態樣中，基於諸如高度量測之補充資料或歷史資料來偵測離群值量測。
简体摘要：在运行一微影处理步骤之前或之后自横越一基板(W')之部位获得量测。此等量测之实例包括在将一图案施加至该基板之前进行的对准量测，及在已施加一图案之后的诸如叠对之性能参数之量测。自所有可能量测部位(302)当中选择一量测部位集合(606、606'或606'')。回应于使用量测部位之一初步选择(610)而获得之量测，动态地选择(202c)该等经选择量测部位之至少一子集。可使用初步高度量测以选择用于对准之量测部位。在本发明之另一态样中，基于诸如高度量测之补充数据或历史数据来侦测离群值量测。

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