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1. 发明专利

TWI696965B 基板處理系統、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式有权
简体标题：基板处理系统、半导体设备之制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TWI696965B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107106188
申请日：2018-02-23
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：水口靖裕 , MIZUGUCHI, YASUHIRO , 菊池俊之 , KIKUCHI, TOSHIYUKI , 大橋直史 , OHASHI, NAOFUMI , 高崎唯史 , TAKASAKI, TADASHI , 松井俊 , MATSUI, SHUN
IPC分类号： G06Q10/06 , G06N20/00 , H01L21/677

2. 发明专利

TWI696250B 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备，半导体设备的制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI696250B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107139994
申请日：2018-11-12
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：廣地志有 , HIROCHI, YUKITOMO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/677

3. 发明专利

TWI696229B 冷卻單元、隔熱構造體及基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：冷却单元、隔热构造体及基板处理设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI696229B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107128422
申请日：2018-08-15
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 村田等 , MURATA, HITOSHI , 上野正昭 , UENO, MASAAKI
IPC分类号： H01L21/67 , F27B17/00 , F27D9/00

4. 发明专利

TW202019244A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TW202019244A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107132206
申请日：2018-09-13
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：保井毅 , YASUI, TAKESHI , 舟木克典 , FUNAKI, KATSUNORI , 室林正季 , MUROBAYASHI, MASAKI , 原田幸一郎 , HARADA, KOICHIRO
IPC分类号： H05H1/34 , H05H7/14 , G05B19/04
摘要： [課題]在處理室內，降低對於使處理氣體電漿激發之際而產生之處理室內壁等的濺鍍發生。 [解決手段]提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置，係具有：電漿容器，將處理氣體進行電漿激發；及線圈，被設置成捲繞於電漿容器之外周，並被構成為供給高頻電力，線圈，係被形成為使從一端至另一端之間的預定位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離不同於其他位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離，且被形成為使「施加至線圈之電壓的駐波之振幅最大的位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離」成為最大。
简体摘要： [课题]在处理室内，降低对于使处理气体等离子激发之际而产生之处理室内壁等的溅镀发生。 [解决手段]提供一种基板处理设备，该基板处理设备，系具有：等离子容器，将处理气体进行等离子激发；及线圈，被设置成卷绕于等离子容器之外周，并被构成为供给高频电力，线圈，系被形成为使从一端至另一端之间的预定位置中之从线圈的内周至等离子容器的内周之距离不同于其他位置中之从线圈的内周至等离子容器的内周之距离，且被形成为使“施加至线圈之电压的驻波之振幅最大的位置中之从线圈的内周至等离子容器的内周之距离”成为最大。

5. 发明专利

TW202018816A 基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：基板处理设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW202018816A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108124109
申请日：2019-07-09
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 佐佐木史 , SASAKI, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455
摘要： [課題] 提供一種抑制原料氣體的副產物相對於爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法。 [解決手段] 基板處理裝置，具有：處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；以及多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，並在前述處理室內排出氣體；前述處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與前述反應管的開放端連接，並且在側面具有將前述氣體供給管向前述處理室內導入的多個氣體供給孔；以及蓋，其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口；前述蓋具有：保護板，其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面；以及導入口，其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體；前述歧管構成為，以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板，在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。
简体摘要： [课题] 提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理设备以及半导体设备的制造方法。 [解决手段] 基板处理设备，具有：处理室，其具有将多个基板在沿着规定的轴以规定的间隔排列的状态下收容的筒状的空间；以及多个喷头，其与气体供给管分别连通，并在前述处理室内排出气体；前述处理室具有：筒状的反应管，其一端是开放的；筒状的歧管，其与前述反应管的开放端连接，并且在侧面具有将前述气体供给管向前述处理室内导入的多个气体供给孔；以及盖，其能够开闭地封闭前述歧管之与连接于前述反应管的一端为相反端的开口；前述盖具有：保护板，其以在与前述盖之间形成有第1间隙的方式设于前述盖的内表面；以及导入口，其从前述盖的外侧向前述第1间隙导入清洗气体；前述歧管构成为，以在与前述歧管之间形成有第2间隙的方式在前述歧管的内壁具有引导板，在前述第1间隙向着前述歧管流动的前述清洗气体通过前述歧管的内壁偏转而向前述第2间隙流入。

6. 发明专利

TW202007786A 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TW202007786A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107130823
申请日：2018-09-03
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU , 大橋史 , OHASHI, NAOFUMI , 高崎唯史 , TAKASAKI, TADASHI
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/52
摘要： [目的] 目的在於，於就基板進行加熱處理的基板處理裝置，即使基板間的處理環境發生變化仍使基板間的膜質為均勻。　　[解決手段] 依本發明之一態樣時，提供一種技術，其具有：成膜程序，其係透過設於基板載台內的加熱器將載置於基板載台上的基板加熱，同時從設於與基板載台相向的位置的噴灑頭對基板供應氣體；第一溫度測定程序，其係測定噴灑頭的溫度，同時將該測定資料作為基準資料記憶於記憶部；設定程序，其係設定接下來處理的基板的處理；第二溫度測定程序，其係在接下來處理的基板的搬入前測定前述噴灑頭的溫度；溫度差算出程序，其係算出在第一溫度測定程序與第二溫度測定程序分別測定的溫度資訊的差分；和溫度調整程序，其係在基板載台未載置基板的狀態下，使加熱器運轉，同時依差分調整噴灑頭與基板載台的距離，以噴灑頭的溫度成為在前述第一溫度測定程序測定的溫度的方式進行調整。
简体摘要： [目的] 目的在于，于就基板进行加热处理的基板处理设备，即使基板间的处理环境发生变化仍使基板间的膜质为均匀。　　[解决手段] 依本发明之一态样时，提供一种技术，其具有：成膜进程，其系透过设于基板载台内的加热器将载置于基板载台上的基板加热，同时从设于与基板载台相向的位置的喷洒头对基板供应气体；第一温度测定进程，其系测定喷洒头的温度，同时将该测定数据作为基准数据记忆于记忆部；设置进程，其系设置接下来处理的基板的处理；第二温度测定进程，其系在接下来处理的基板的搬入前测定前述喷洒头的温度；温度差算出进程，其系算出在第一温度测定进程与第二温度测定进程分别测定的温度信息的差分；和温度调整进程，其系在基板载台未载置基板的状态下，使加热器运转，同时依差分调整喷洒头与基板载台的距离，以喷洒头的温度成为在前述第一温度测定进程测定的温度的方式进行调整。

7. 发明专利

TWI683344B 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置、及電腦可讀取記錄媒體有权
简体标题：半导体设备的制造方法、基板处理设备、及电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TWI683344B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107106350
申请日：2018-02-26
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：鎌倉司 , KAMAKURA, TSUKASA , 浅井一秀 , ASAI, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/52

8. 发明专利

TWI671821B 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TWI671821B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106135419
申请日：2017-10-17
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU , 大橋史 , OHASHI, NAOFUMI , 菊池俊之 , KIKUCHI, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L27/04

9. 发明专利

TWI671818B 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式有权
简体标题：半导体设备的制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TWI671818B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106130550
申请日：2017-09-07
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：中山雅則 , NAKAYAMA, MASANORI , 保井毅 , YASUI, TAKESHI , 室林正季 , MUROBAYASHI, MASAKI , 吉野晃生 , YOSHINO, TERUO
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/02 , C23C16/50 , C23C16/455

10. 发明专利

TWI668810B 半導體裝置之製造方法、基板裝填方法及記錄媒體有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板装填方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI668810B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106101672
申请日：2017-01-18
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：加我友紀直 , KAGA, YUKINAO , 吉田怜亮 , YOSHIDA, RYOSUKE
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/043 , H01L21/67

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