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1. 发明专利

TWI677043B 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TWI677043B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106128762
申请日：2017-08-24
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：水口靖裕 , MIZUGUCHI, YASUHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , G06Q50/08

2. 发明专利

TW202018815A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TW202018815A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108109590
申请日：2019-03-20
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：水口靖裕 , MIZUGUCHI, YASUHIRO , 松井俊 , MATSUI, SHUN
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/316 , C23C16/46 , C23C16/52
摘要：本發明之課題在於提升各基板之處理均勻性。本發明之解決手段之技術，係具有根據程式對基板進行處理的處理執行部；對程式進行處理之第1控制部；根據由第1控制部所接收之資料，控制處理執行部之第2控制部；第1控制部係構成為進行設於其他基板處理裝置之第1控制部之作動資料的判定，在判定了於其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，可實行設於其他基板處理裝置之第1控制部的代替控制。
简体摘要：本发明之课题在于提升各基板之处理均匀性。本发明之解决手段之技术，系具有根据进程对基板进行处理的处理运行部；对进程进行处理之第1控制部；根据由第1控制部所接收之数据，控制处理运行部之第2控制部；第1控制部系构成为进行设于其他基板处理设备之第1控制部之作动数据的判定，在判定了于其他基板处理设备之第1控制部发生了不良情况时，可实行设于其他基板处理设备之第1控制部的代替控制。

3. 发明专利

TWI696965B 基板處理系統、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式有权
简体标题：基板处理系统、半导体设备之制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TWI696965B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107106188
申请日：2018-02-23
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：水口靖裕 , MIZUGUCHI, YASUHIRO , 菊池俊之 , KIKUCHI, TOSHIYUKI , 大橋直史 , OHASHI, NAOFUMI , 高崎唯史 , TAKASAKI, TADASHI , 松井俊 , MATSUI, SHUN
IPC分类号： G06Q10/06 , G06N20/00 , H01L21/677

4. 发明专利

TW201903825A 半導體裝置的製造方法、程式及基板處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法、进程及基板处理设备
公开(公告)号：TW201903825A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106126657
申请日：2017-08-08
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：水口靖裕 , MIZUGUCHI, YASUHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
摘要：本發明的課題是在於可容易地掌握處理室的狀態。　　為了解決上述課題，而提供一種技術，其係具有：　　準備動作工程，其係處理室不存在基板的狀態下，控制被設在前述處理室的加熱部及控制前述處理室的氣氛的氣氛控制部，且檢測出表示前述處理室的狀態之第一處理室資料；及　　基板處理工程，其係於前述處理室存在基板的狀態下控制前述加熱部及前述氣氛控制部，處理基板，且檢測出表示前述處理室的狀態之第二處理室資料，　　在前述基板處理工程中，將前述第一處理室資料及前述第二處理室資料與預先取得的前述準備動作工程的第一基準資料及前述基板處理工程的第二基準資料一起顯示於顯示畫面。
简体摘要：本发明的课题是在于可容易地掌握处理室的状态。　　为了解决上述课题，而提供一种技术，其系具有：　　准备动作工程，其系处理室不存在基板的状态下，控制被设在前述处理室的加热部及控制前述处理室的气氛的气氛控制部，且检测出表示前述处理室的状态之第一处理室数据；及　　基板处理工程，其系于前述处理室存在基板的状态下控制前述加热部及前述气氛控制部，处理基板，且检测出表示前述处理室的状态之第二处理室数据，　　在前述基板处理工程中，将前述第一处理室数据及前述第二处理室数据与预先取得的前述准备动作工程的第一基准数据及前述基板处理工程的第二基准数据一起显示于显示画面。

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