专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI701084B 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备，半导体设备的制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI701084B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107142167
申请日：2018-11-27
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：平松宏朗 , HIRAMATSU, HIROAKI , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 牛田卓朗 , USHIDA, TAKURO
IPC分类号： B05D1/40 , C23C16/44 , H01L21/683

2. 发明专利

TWI694518B 基板處理裝置、石英反應管、清潔方法暨記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、石英反应管、清洁方法暨记录媒体
公开(公告)号：TWI694518B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107132096
申请日：2018-09-12
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 佐佐木隆史 , SASAKI, TAKAFUMI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 石坂光範 , ISHISAKA, MITSUNORI , 三村英俊 , MIMURA, HIDETOSHI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44

3. 发明专利

TWI669411B 基板處理裝置、冷卻單元及隔熱構造體以及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：基板处理设备、冷却单元及隔热构造体以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI669411B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW106138024
申请日：2017-11-03
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 村田等 , MURATA, HITOSHI , 山口天和 , YAMAGUCHI, TAKATOMO , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02

4. 发明专利

TWI701356B 基板處理裝置、反應管、半導體裝置之製造方法及記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、反应管、半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI701356B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107131539
申请日：2018-09-07
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 佐佐木隆史 , SASAKI, TAKAFUMI
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31

5. 外观设计

TWD200074S 半導體製造裝置之隔熱組件用支柱有权
简体标题：半导体制造设备之隔热组件用支柱
公开(公告)号：TWD200074S
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107302986
申请日：2018-05-28
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
设计人：岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI

6. 发明专利

TW201921493A 保護板、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：保护板、基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201921493A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107124907
申请日：2018-07-19
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
摘要：揭示抑制副生成物朝反應管之爐口部附著的保護板。一種保護板，其係被設置在氣密地封閉下端被開放的圓筒狀之反應管之開口的蓋部上，該保護板具備：略圓盤狀之圓板部，其被設置成至少下面之一部分與上述蓋部之上面相接；側壁部，其係從該圓板部之外周端垂直延伸；迴圈狀之溝部，其被形成在下面；及階差部，其係被形成在較上述下面之上述溝部更外周側，使在與上述蓋部之上面之間產生特定間隙，被構成從被形成在上述蓋部之氣體供給口被供給至上述溝部的氣體，通過上述蓋部和上述階差部之間而被供給至上述側壁部之外側全體。
简体摘要：揭示抑制副生成物朝反应管之炉口部附着的保护板。一种保护板，其系被设置在气密地封闭下端被开放的圆筒状之反应管之开口的盖部上，该保护板具备：略圆盘状之圆板部，其被设置成至少下面之一部分与上述盖部之上面相接；侧壁部，其系从该圆板部之外周端垂直延伸；循环状之沟部，其被形成在下面；及阶差部，其系被形成在较上述下面之上述沟部更外周侧，使在与上述盖部之上面之间产生特定间隙，被构成从被形成在上述盖部之气体供给口被供给至上述沟部的气体，通过上述盖部和上述阶差部之间而被供给至上述侧壁部之外侧全体。

7. 发明专利

TW202018816A 基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：基板处理设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW202018816A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108124109
申请日：2019-07-09
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 佐佐木史 , SASAKI, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455
摘要： [課題] 提供一種抑制原料氣體的副產物相對於爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法。 [解決手段] 基板處理裝置，具有：處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；以及多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，並在前述處理室內排出氣體；前述處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與前述反應管的開放端連接，並且在側面具有將前述氣體供給管向前述處理室內導入的多個氣體供給孔；以及蓋，其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口；前述蓋具有：保護板，其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面；以及導入口，其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體；前述歧管構成為，以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板，在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。
简体摘要： [课题] 提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理设备以及半导体设备的制造方法。 [解决手段] 基板处理设备，具有：处理室，其具有将多个基板在沿着规定的轴以规定的间隔排列的状态下收容的筒状的空间；以及多个喷头，其与气体供给管分别连通，并在前述处理室内排出气体；前述处理室具有：筒状的反应管，其一端是开放的；筒状的歧管，其与前述反应管的开放端连接，并且在侧面具有将前述气体供给管向前述处理室内导入的多个气体供给孔；以及盖，其能够开闭地封闭前述歧管之与连接于前述反应管的一端为相反端的开口；前述盖具有：保护板，其以在与前述盖之间形成有第1间隙的方式设于前述盖的内表面；以及导入口，其从前述盖的外侧向前述第1间隙导入清洗气体；前述歧管构成为，以在与前述歧管之间形成有第2间隙的方式在前述歧管的内壁具有引导板，在前述第1间隙向着前述歧管流动的前述清洗气体通过前述歧管的内壁偏转而向前述第2间隙流入。

8. 发明专利

TWI648806B 基板處理裝置，氣體噴嘴及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：基板处理设备，气体喷嘴及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI648806B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106119665
申请日：2017-06-13
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 佐佐木史 , SASAKI, TAKAFUMI , 花島建夫 , HANASHIMA, TAKEO , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/455

9. 外观设计

TWD195622S 密封蓋內罩有权
简体标题：密封盖内罩
公开(公告)号：TWD195622S
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106307446D01
申请日：2018-05-03
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
设计人：岡嶋優作 , OKAJIMA,YUSAKU , 西堂周平 , SAIDO,SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA,HIDENARI

10. 发明专利

TWI683364B 保護板、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：保护板、基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI683364B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107124907
申请日：2018-07-19
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式