基本信息:
- 专利标题： 基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法
- 专利标题（中）：基板处理设备以及半导体设备的制造方法
- 申请号：TW108124109 申请日：2019-07-09
- 公开(公告)号：TW202018816A 公开(公告)日：2020-05-16
- 发明人： 岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 佐佐木史 , SASAKI, TAKAFUMI
- 申请人： 日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
- 专利权人： 日商國際電氣股份有限公司,KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
- 当前专利权人： 日商國際電氣股份有限公司,KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2018-158159 20180827
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; C23C16/44 ; C23C16/455
摘要：
[課題] 提供一種抑制原料氣體的副產物相對於爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法。 [解決手段] 基板處理裝置，具有：處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；以及多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，並在前述處理室內排出氣體；前述處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與前述反應管的開放端連接，並且在側面具有將前述氣體供給管向前述處理室內導入的多個氣體供給孔；以及蓋，其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口；前述蓋具有：保護板，其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面；以及導入口，其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體；前述歧管構成為，以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板，在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。
摘要（中）：
[课题] 提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理设备以及半导体设备的制造方法。 [解决手段] 基板处理设备，具有：处理室，其具有将多个基板在沿着规定的轴以规定的间隔排列的状态下收容的筒状的空间；以及多个喷头，其与气体供给管分别连通，并在前述处理室内排出气体；前述处理室具有：筒状的反应管，其一端是开放的；筒状的歧管，其与前述反应管的开放端连接，并且在侧面具有将前述气体供给管向前述处理室内导入的多个气体供给孔；以及盖，其能够开闭地封闭前述歧管之与连接于前述反应管的一端为相反端的开口；前述盖具有：保护板，其以在与前述盖之间形成有第1间隙的方式设于前述盖的内表面；以及导入口，其从前述盖的外侧向前述第1间隙导入清洗气体；前述歧管构成为，以在与前述歧管之间形成有第2间隙的方式在前述歧管的内壁具有引导板，在前述第1间隙向着前述歧管流动的前述清洗气体通过前述歧管的内壁偏转而向前述第2间隙流入。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |