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1. 发明专利

TW201838486A 等離子體處理裝置审中-公开
简体标题：等离子体处理设备
公开(公告)号：TW201838486A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107110875
申请日：2018-03-29
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 神戸優 , KAMBE, YU
IPC分类号： H05H7/14 , C23C14/56 , H01L21/67
摘要：等離子體處理裝置包括：搬送部，在真空容器中具有旋轉體，通過旋轉體而以圓周的搬送路徑循環搬送工件；筒部，在朝向真空容器的內部的搬送路徑的方向上延伸存在；窗構件，將導入有工藝氣體的氣體空間與外部之間加以劃分；以及天線，通過施加電力而在氣體空間的工藝氣體中產生電感耦合等離子體；並且筒部具有設置有開口且朝向旋轉體的對向部，在對向部與旋轉體之間具有隔離壁，所述隔離壁相對於對向部及旋轉體而非接觸且相對於真空容器而以固定不動的方式介隔存在，在隔離壁形成有與開口對向且調節等離子體處理的範圍的調節孔。
简体摘要：等离子体处理设备包括：搬送部，在真空容器中具有旋转体，通过旋转体而以圆周的搬送路径循环搬送工件；筒部，在朝向真空容器的内部的搬送路径的方向上延伸存在；窗构件，将导入有工艺气体的气体空间与外部之间加以划分；以及天线，通过施加电力而在气体空间的工艺气体中产生电感耦合等离子体；并且筒部具有设置有开口且朝向旋转体的对向部，在对向部与旋转体之间具有隔离壁，所述隔离壁相对于对向部及旋转体而非接触且相对于真空容器而以固定不动的方式介隔存在，在隔离壁形成有与开口对向且调节等离子体处理的范围的调节孔。

2. 发明专利

TW201534182A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201534182A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103132797
申请日：2014-09-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：東条利洋 , TOJO, TOSHIHIRO , 佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 南雅人 , MINAMI, MASATO
IPC分类号： H05H1/46 , H05H7/14
摘要：在電漿處理裝置中，防止處理容器之貫穿開口部之局部性電漿的產生。處理容器之貫穿開口部的開口底面，係配設有作為阻抗調整構件的絕緣構件(45)。絕緣構件(45)，係藉由介電係數為10以下，更佳的是4以下的材料所構成，藉由絕緣構件(45)，可使從電漿觀察之貫穿開口部的電性阻抗大於本體容器(2A)的襯套(60)，並防止閘極開口部(41)之局部性電漿的產生。在絕緣構件(45)上，係可藉由設置蓋構件(47)而覆蓋絕緣構件(45)表面的方式，保護絕緣構件(45)免於電漿所致之損傷。
简体摘要：在等离子处理设备中，防止处理容器之贯穿开口部之局部性等离子的产生。处理容器之贯穿开口部的开口底面，系配设有作为阻抗调整构件的绝缘构件(45)。绝缘构件(45)，系借由介电系数为10以下，更佳的是4以下的材料所构成，借由绝缘构件(45)，可使从等离子观察之贯穿开口部的电性阻抗大于本体容器(2A)的衬套(60)，并防止闸极开口部(41)之局部性等离子的产生。在绝缘构件(45)上，系可借由设置盖构件(47)而覆盖绝缘构件(45)表面的方式，保护绝缘构件(45)免于等离子所致之损伤。

3. 发明专利

TWI478236B 沈積導電黏貼材料之設備與方法有权
简体标题：沉积导电黏贴材料之设备与方法
公开(公告)号：TWI478236B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101121356
申请日：2008-12-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：福斯特約翰 , FORSTER, JOHN , 安納薩沙布藍尼 , SUBRAMANI, ANANTHA , 王偉D , WANG, WEI D.
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H7/00 , H05H7/14
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C14/34 , H01J37/32495 , H01L21/02043 , H01L21/67005

4. 实用新型

TWM598017U 具外部電漿源之半導體製程設備及其外部電漿源有权
简体标题：具外部等离子源之半导体制程设备及其外部等离子源
公开(公告)号：TWM598017U
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW109205712
申请日：2020-05-11
申请人：洪再和 , HUNG, ZAI-HE
发明人：洪再和 , HUNG, ZAI-HE
IPC分类号： H05H1/24 , H05H7/14 , B08B11/00

5. 发明专利

TWI601845B 具有旋轉反應器管之電漿增強型原子層沈積系統有权
简体标题：具有旋转反应器管之等离子增强型原子层沉积系统
公开(公告)号：TWI601845B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105127323
申请日：2016-08-25
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：賽菲羅普羅亞瑟 , ZAFIROPOULO, ARTHUR W. , 漢瑞魯克安德魯 , HAWRYLUK, ANDREW M.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/442 , C23C16/455 , C23C16/505 , B01J19/08 , B01J19/28 , B01J8/10 , H05H1/46 , H05H7/14
CPC分类号： H01J37/32733 , C23C16/4417 , C23C16/45538 , C23C16/45555 , H01J37/32247 , H01J37/32458 , H01J37/32467 , H01J37/3266 , H01J37/32678 , H01J37/32825 , H01J37/32853 , H01J2237/20214

6. 发明专利

TWI489913B 沉積導電黏貼材料之設備與方法有权
简体标题：沉积导电黏贴材料之设备与方法
公开(公告)号：TWI489913B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW097146652
申请日：2008-12-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：福斯特約翰 , FORSTER, JOHN , 安納薩沙布藍尼 , SUBRAMANI, ANANTHA , 王偉D , WANG, WEI D.
IPC分类号： H05H7/00 , H05H7/14 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C14/34 , H01J37/32495 , H01L21/02043 , H01L21/67005

7. 发明专利

TW202019244A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TW202019244A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107132206
申请日：2018-09-13
申请人：日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
发明人：保井毅 , YASUI, TAKESHI , 舟木克典 , FUNAKI, KATSUNORI , 室林正季 , MUROBAYASHI, MASAKI , 原田幸一郎 , HARADA, KOICHIRO
IPC分类号： H05H1/34 , H05H7/14 , G05B19/04
摘要： [課題]在處理室內，降低對於使處理氣體電漿激發之際而產生之處理室內壁等的濺鍍發生。 [解決手段]提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置，係具有：電漿容器，將處理氣體進行電漿激發；及線圈，被設置成捲繞於電漿容器之外周，並被構成為供給高頻電力，線圈，係被形成為使從一端至另一端之間的預定位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離不同於其他位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離，且被形成為使「施加至線圈之電壓的駐波之振幅最大的位置中之從線圈的內周至電漿容器的內周之距離」成為最大。
简体摘要： [课题]在处理室内，降低对于使处理气体等离子激发之际而产生之处理室内壁等的溅镀发生。 [解决手段]提供一种基板处理设备，该基板处理设备，系具有：等离子容器，将处理气体进行等离子激发；及线圈，被设置成卷绕于等离子容器之外周，并被构成为供给高频电力，线圈，系被形成为使从一端至另一端之间的预定位置中之从线圈的内周至等离子容器的内周之距离不同于其他位置中之从线圈的内周至等离子容器的内周之距离，且被形成为使“施加至线圈之电压的驻波之振幅最大的位置中之从线圈的内周至等离子容器的内周之距离”成为最大。

8. 发明专利

TW201840247A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201840247A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109356
申请日：2018-03-20
申请人：日商日新電機股份有限公司 , NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
发明人：酒井敏彦 , SAKAI, TOSHIHIKO , 藤原将喜 , FUJIWARA, MASAKI , 中田誓治 , NAKATA, SEIJI
IPC分类号： H05H1/24 , H05H7/14
摘要：本發明於具有呈直線狀的多根天線的電漿處理裝置中，抑制天線間所產生的電漿而提高電漿的均勻性。本發明的電漿處理裝置100藉由在配置於真空容器2內的多根天線3中流動高頻電流而於真空容器2內生成電漿P，並使用該電漿P對基板W進行處理，且多根天線3分別呈直線狀且並列配置，於彼此相鄰的天線3之間，沿著天線3而配置有抑制該些天線間的電漿生成的介電構件14。
简体摘要：本发明于具有呈直线状的多根天线的等离子处理设备中，抑制天线间所产生的等离子而提高等离子的均匀性。本发明的等离子处理设备100借由在配置于真空容器2内的多根天线3中流动高频电流而于真空容器2内生成等离子P，并使用该等离子P对基板W进行处理，且多根天线3分别呈直线状且并列配置，于彼此相邻的天线3之间，沿着天线3而配置有抑制该些天线间的等离子生成的介电构件14。

9. 发明专利

TW201322832A 用以冷卻射頻加熱式腔室元件的系統审中-公开
简体标题：用以冷却射频加热式腔室组件的系统
公开(公告)号：TW201322832A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101136958
申请日：2012-10-05
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥可卻斯尼瓊 , MCCHESNEY, JON , 斯里拉曼沙拉維納布里恩 , SRIRAMAN, SARAVANAPRIYAN , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H05H7/14
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32082 , H01J37/32119 , H01J37/32238
摘要：在一實施例中，電漿處理裝置可包含一介電窗、一真空腔室、一能源以及至少一氣流倍增器。該介電窗可包含一電漿外露表面以及一氣體外露表面。該真空腔室以及介電窗之電漿外露表面可協作來圍住電漿處理氣體。該能源可傳輸電磁能通過介電窗，並在介電窗內形成一溫度提高區域。該至少一氣流倍增器可與介電窗流體相通。該至少一氣流倍增器可在至少約1in-H2O的反壓下運作並提供至少約30cfm的氣體。
简体摘要：在一实施例中，等离子处理设备可包含一介电窗、一真空腔室、一能源以及至少一气流倍增器。该介电窗可包含一等离子外露表面以及一气体外露表面。该真空腔室以及介电窗之等离子外露表面可协作来围住等离子处理气体。该能源可传输电磁能通过介电窗，并在介电窗内形成一温度提高区域。该至少一气流倍增器可与介电窗流体相通。该至少一气流倍增器可在至少约1in-H2O的反压下运作并提供至少约30cfm的气体。

10. 发明专利

TW202031097A 真空處理裝置及真空處理裝置之清潔方法审中-公开
简体标题：真空处理设备及真空处理设备之清洁方法
公开(公告)号：TW202031097A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108148190
申请日：2019-12-27
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：宮谷武尚 , MIYAYA, TAKEHISA , 神保洋介 , JIMBO, YOSUKE , 山本良明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 江藤謙次 , ETO, KENJI , 阿部洋一 , ABE, YOICHI
IPC分类号： H05H1/42 , H05H7/14 , C23C16/54
摘要：本發明之真空處理裝置係進行電漿處理之真空處理裝置。真空處理裝置具有：電極凸緣，其連接於高頻電源；簇射板，其與上述電極凸緣離開而對向，與上述電極凸緣一起作為陰極；絕緣隔板，其設置於上述簇射板之周圍；處理室，其於上述簇射板之與上述電極凸緣相反側配置被處理基板；電極框，其安裝於上述電極凸緣之上述簇射板側；及滑動板，其安裝於上述簇射板之成為上述電極框側之周緣部。上述電極框與上述滑動板可對應於上述簇射板升降溫時產生之熱變形而滑動，且由上述簇射板、上述電極凸緣及上述電極框包圍之空間可密封。上述簇射板藉由貫通設置於上述簇射板之周緣部之長孔之支持構件而受上述電極框支持。上述長孔形成為可供上述支持構件對應於上述簇射板升降溫時產生之熱變形而於上述長孔內相對移動。於上述長孔設有與上述長孔連通而供給淨化氣體之氣孔。上述氣孔與由上述簇射板、上述電極凸緣、上述電極框及上述滑動板包圍之空間連通。
简体摘要：本发明之真空处理设备系进行等离子处理之真空处理设备。真空处理设备具有：电极凸缘，其连接于高频电源；簇射板，其与上述电极凸缘离开而对向，与上述电极凸缘一起作为阴极；绝缘隔板，其设置于上述簇射板之周围；处理室，其于上述簇射板之与上述电极凸缘相反侧配置被处理基板；电极框，其安装于上述电极凸缘之上述簇射板侧；及滑动板，其安装于上述簇射板之成为上述电极框侧之周缘部。上述电极框与上述滑动板可对应于上述簇射板升降温时产生之热变形而滑动，且由上述簇射板、上述电极凸缘及上述电极框包围之空间可密封。上述簇射板借由贯通设置于上述簇射板之周缘部之长孔之支持构件而受上述电极框支持。上述长孔形成为可供上述支持构件对应于上述簇射板升降温时产生之热变形而于上述长孔内相对移动。于上述长孔设有与上述长孔连通而供给净化气体之气孔。上述气孔与由上述簇射板、上述电极凸缘、上述电极框及上述滑动板包围之空间连通。

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