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1. 实用新型

TWM598524U 複合多層基板有权
简体标题：复合多层基板
公开(公告)号：TWM598524U
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW109204600
申请日：2020-04-17
申请人：福科膠研股份有限公司 , FOCUS TAPE CORP.
发明人：詹仕戎 , CHAN, SHIH-JUNG
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/02

2. 发明专利

TW202022997A 積體電路封裝元件及其載板审中-公开
简体标题：集成电路封装组件及其载板
公开(公告)号：TW202022997A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107144599
申请日：2018-12-11
申请人：創意電子股份有限公司 , GLOBAL UNICHIP CORPORATION , 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊昇帆 , YANG, SHENG FAN , 林元鴻 , LIN, YUAN HUNG , 孫宇程 , SUN, YU CHENG , 萬斯愛 , STEVE S. A. WAN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/58
摘要：一種積體電路封裝元件包含一晶片元件與一封裝模組。晶片元件包含二驅動單元。封裝模組連接晶片元件，包含二電源佈線網路與一接地屏蔽結構。電源佈線網路分別電連接驅動單元。接地屏蔽結構介於此二電源佈線網路之間，用以阻隔此二電源佈線網路彼此所產生之電源雜訊耦合。
简体摘要：一种集成电路封装组件包含一芯片组件与一封装模块。芯片组件包含二驱动单元。封装模块连接芯片组件，包含二电源布线网络与一接地屏蔽结构。电源布线网络分别电连接驱动单元。接地屏蔽结构介于此二电源布线网络之间，用以阻隔此二电源布线网络彼此所产生之电源噪声耦合。

3. 发明专利

TWI695464B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI695464B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW104136225
申请日：2015-11-03
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：及川隆一 , OIKAWA, RYUICHI , 落合俊彥 , OCHIAI, TOSHIHIKO , 仮屋崎修一 , KARIYAZAKI, SHUUICHI , 萱島祐治 , KAYASHIMA, YUJI , 木田剛 , KIDA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L23/32 , H01L23/00 , H01L23/12 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/46

4. 发明专利

TWI695421B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI695421B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW104143856
申请日：2015-12-25
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岡本直也 , OKAMOTO, NAOYA , 佐藤明徳 , SATO, AKINORI , 藤本泰史 , FUJIMOTO, HIRONOBU , 毛受利彰 , MENJO, TOSHIAKI , 山田忠知 , YAMADA, TADATOMO , 河崎仁彦 , KAWASAKI, KIMIHIKO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/683 , H01L23/12 , H01L21/56

5. 发明专利

TWI694577B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI694577B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108104830
申请日：2019-02-13
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：施信益 , SHIH, SHING-YIH
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/12 , H01L21/56 , H01L21/60

6. 发明专利

TW202008476A 扇出型半導體封裝审中-公开
简体标题：扇出型半导体封装
公开(公告)号：TW202008476A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108104334
申请日：2019-02-01
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：裴成桓 , BAE, SUNG HAWN , 金正守 , KIM, JUNG SOO , 崔元 , CHOI, WON , 金成煥 , KIM, SUNG HOAN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/12 , H01L23/31
摘要：一種扇出型半導體封裝包括：框架，包括佈線層，且具有貫穿孔；半導體晶片，配置於所述貫穿孔中且包括連接墊；包封體，覆蓋所述框架及所述半導體晶片的非主動面中的每一者的至少部分，且具有暴露出所述佈線層的至少部分的第一開口；絕緣層，配置於所述包封體上，且具有形成於所述第一開口中以暴露出所述佈線層的至少部分的第二開口；導電圖案層，配置於所述絕緣層上；導電通孔，配置於所述第二開口中；以及連接結構，配置於所述框架及所述半導體晶片的主動面上，且包括一或多個重佈線層。導電圖案層及重佈線層電性連接至所述連接墊。
简体摘要：一种扇出型半导体封装包括：框架，包括布线层，且具有贯穿孔；半导体芯片，配置于所述贯穿孔中且包括连接垫；包封体，覆盖所述框架及所述半导体芯片的非主动面中的每一者的至少部分，且具有暴露出所述布线层的至少部分的第一开口；绝缘层，配置于所述包封体上，且具有形成于所述第一开口中以暴露出所述布线层的至少部分的第二开口；导电图案层，配置于所述绝缘层上；导电通孔，配置于所述第二开口中；以及连接结构，配置于所述框架及所述半导体芯片的主动面上，且包括一或多个重布线层。导电图案层及重布线层电性连接至所述连接垫。

7. 发明专利

TWI680541B 具有晶粒基板延伸之堆疊半導體晶粒總成有权
简体标题：具有晶粒基板延伸之堆栈半导体晶粒总成
公开(公告)号：TWI680541B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW107104875
申请日：2018-02-12
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：渡邊住友 , WATANABE, FUMITOMO , 草薙京葉 , KUSANAGI, KEIYO
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L21/56

8. 发明专利

TWI676516B 接合體、附加散熱器的電源模組用基板、散熱器、及接合體的製造方法、附加散熱器的電源模組用基板的製造方法、散熱器的製造方法有权
简体标题：接合体、附加散热器的电源模块用基板、散热器、及接合体的制造方法、附加散热器的电源模块用基板的制造方法、散热器的制造方法
公开(公告)号：TWI676516B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105111673
申请日：2016-04-14
申请人：日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：寺伸幸 , TERASAKI, NOBUYUKI , 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI
IPC分类号： B23K20/00 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/40 , H05K7/20

9. 发明专利

TWI672771B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI672771B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW104133872
申请日：2015-10-15
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：三室陽一 , MIMURO, YOICHI , 渡邊考太郎 , WATANABE, KOTARO , 南志昌 , MINAMI, YUKIMASA
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/12 , H01L23/522

10. 发明专利

TWI669789B 電子封裝件有权
简体标题：电子封装件
公开(公告)号：TWI669789B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW105112802
申请日：2016-04-25
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：梁芳瑜 , LIANG, FANG YU , 張宏憲 , CHANG, HUNG HSIEN , 林長甫 , LIN, CHANG FU , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG , 張博豪 , CHANG, BO HAO , 王伯豪 , WANG, PO HAO , 曾文聰 , TSENG, WEN TSUNG
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/14

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