基本信息:
- 专利标题： 冷卻單元、隔熱構造體及基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法
- 专利标题（中）：冷却单元、隔热构造体及基板处理设备以及半导体设备的制造方法
- 申请号：TW107128422 申请日：2018-08-15
- 公开(公告)号：TWI696229B 公开(公告)日：2020-06-11
- 发明人： 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 村田等 , MURATA, HITOSHI , 上野正昭 , UENO, MASAAKI
- 申请人： 日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
- 专利权人： 日商國際電氣股份有限公司,KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
- 当前专利权人： 日商國際電氣股份有限公司,KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2017-174738 20170912;2018-138160 20180724
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; F27B17/00 ; F27D9/00
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |