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    • 7. 发明专利
    • 保護板、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
    • 保护板、基板处理设备及半导体设备之制造方法
    • TW201921493A
    • 2019-06-01
    • TW107124907
    • 2018-07-19
    • 日商國際電氣股份有限公司KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
    • 西堂周平SAIDO, SHUHEI吉田秀成YOSHIDA, HIDENARI岡嶋優作OKAJIMA, YUSAKU
    • H01L21/31C23C16/44
    • 揭示抑制副生成物朝反應管之爐口部附著的保護板。一種保護板,其係被設置在氣密地封閉下端被開放的圓筒狀之反應管之開口的蓋部上,該保護板具備:略圓盤狀之圓板部,其被設置成至少下面之一部分與上述蓋部之上面相接;側壁部,其係從該圓板部之外周端垂直延伸;迴圈狀之溝部,其被形成在下面;及階差部,其係被形成在較上述下面之上述溝部更外周側,使在與上述蓋部之上面之間產生特定間隙,被構成從被形成在上述蓋部之氣體供給口被供給至上述溝部的氣體,通過上述蓋部和上述階差部之間而被供給至上述側壁部之外側全體。
    • 揭示抑制副生成物朝反应管之炉口部附着的保护板。一种保护板,其系被设置在气密地封闭下端被开放的圆筒状之反应管之开口的盖部上,该保护板具备:略圆盘状之圆板部,其被设置成至少下面之一部分与上述盖部之上面相接;侧壁部,其系从该圆板部之外周端垂直延伸;循环状之沟部,其被形成在下面;及阶差部,其系被形成在较上述下面之上述沟部更外周侧,使在与上述盖部之上面之间产生特定间隙,被构成从被形成在上述盖部之气体供给口被供给至上述沟部的气体,通过上述盖部和上述阶差部之间而被供给至上述侧壁部之外侧全体。
    • 8. 发明专利
    • 基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法
    • 基板处理设备以及半导体设备的制造方法
    • TW202018816A
    • 2020-05-16
    • TW108124109
    • 2019-07-09
    • 日商國際電氣股份有限公司KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
    • 岡嶋優作OKAJIMA, YUSAKU西堂周平SAIDO, SHUHEI吉田秀成YOSHIDA, HIDENARI佐佐木史SASAKI, TAKAFUMI
    • H01L21/31C23C16/44C23C16/455
    • [課題] 提供一種抑制原料氣體的副產物相對於爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法。 [解決手段] 基板處理裝置,具有:處理室,其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間;以及多個噴頭,其與氣體供給管分別連通,並在前述處理室內排出氣體;前述處理室具有:筒狀的反應管,其一端是開放的;筒狀的歧管,其與前述反應管的開放端連接,並且在側面具有將前述氣體供給管向前述處理室內導入的多個氣體供給孔;以及蓋,其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口;前述蓋具有:保護板,其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面;以及導入口,其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體;前述歧管構成為,以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板,在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。
    • [课题] 提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理设备以及半导体设备的制造方法。 [解决手段] 基板处理设备,具有:处理室,其具有将多个基板在沿着规定的轴以规定的间隔排列的状态下收容的筒状的空间;以及多个喷头,其与气体供给管分别连通,并在前述处理室内排出气体;前述处理室具有:筒状的反应管,其一端是开放的;筒状的歧管,其与前述反应管的开放端连接,并且在侧面具有将前述气体供给管向前述处理室内导入的多个气体供给孔;以及盖,其能够开闭地封闭前述歧管之与连接于前述反应管的一端为相反端的开口;前述盖具有:保护板,其以在与前述盖之间形成有第1间隙的方式设于前述盖的内表面;以及导入口,其从前述盖的外侧向前述第1间隙导入清洗气体;前述歧管构成为,以在与前述歧管之间形成有第2间隙的方式在前述歧管的内壁具有引导板,在前述第1间隙向着前述歧管流动的前述清洗气体通过前述歧管的内壁偏转而向前述第2间隙流入。