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21. 发明专利

TW201545208A 半導體裝置用基板、半導體裝置用基板之製造方法及固體攝像裝置审中-公开
简体标题：半导体设备用基板、半导体设备用基板之制造方法及固体摄像设备
公开(公告)号：TW201545208A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104575
申请日：2015-02-11
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：宇家真司 , UYA, SHINJI , 田中長孝 , TANAKA, NAGATAKA , 影山目次 , KAGEYAMA, MOKUJI , 沼田英夫 , NUMATA, HIDEO
IPC分类号： H01L21/08 , H01L21/20 , H04N5/335
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/3221 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L31/02162 , H01L31/02327 , H01L31/1037 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種半導體裝置用基板，半導體裝置用基板之製造方法及固體攝像裝置，其中，有關實施形態之半導體裝置用基板係具備：P型之半導體基板，和P型或N型之半導體層，和P型或N型之磊晶層。P型或N型之半導體層係加以設置於半導體基板之表層，阻抗值則較半導體基板之阻抗值為低。P型或N型之磊晶層係加以設置於半導體層之表面上，阻抗值則較半導體層之阻抗值為高。
简体摘要：本发明系一种半导体设备用基板，半导体设备用基板之制造方法及固体摄像设备，其中，有关实施形态之半导体设备用基板系具备：P型之半导体基板，和P型或N型之半导体层，和P型或N型之磊晶层。P型或N型之半导体层系加以设置于半导体基板之表层，阻抗值则较半导体基板之阻抗值为低。P型或N型之磊晶层系加以设置于半导体层之表面上，阻抗值则较半导体层之阻抗值为高。

22. 发明专利

TW201533786A 用於磊晶剝離方法之熱輔助冷焊接合审中-公开
简体标题：用于磊晶剥离方法之热辅助冷焊接合
公开(公告)号：TW201533786A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103139137
申请日：2014-11-11
申请人：美國密西根州立大學 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：佛瑞斯特史蒂芬R , FORREST, STEPHEN R. , 李圭相 , LEE, KYUSANG
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/02327 , H01L31/18 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/50
摘要：本文揭示一種裝配薄膜光電子裝置之方法。該方法可包括提供生長結構，該生長結構包括具有生長表面之晶圓、犧牲層及裝置區域。該方法可進一步包括提供主體基板，及在該裝置區域上沉積第一金屬層及在該主體基板上沉積第二金屬層。該方法可另外包括藉由在接合溫度下將該等第一及第二金屬層壓在一起使該第一金屬層接合至該第二金屬層，其中該接合溫度係高於室溫且低於該主體基板之玻璃化轉變溫度及熔化溫度中之較低者。
简体摘要：本文揭示一种装配薄膜光电子设备之方法。该方法可包括提供生长结构，该生长结构包括具有生长表面之晶圆、牺牲层及设备区域。该方法可进一步包括提供主体基板，及在该设备区域上沉积第一金属层及在该主体基板上沉积第二金属层。该方法可另外包括借由在接合温度下将该等第一及第二金属层压在一起使该第一金属层接合至该第二金属层，其中该接合温度系高于室温且低于该主体基板之玻璃化转变温度及熔化温度中之较低者。

23. 发明专利

TWI475269B 提供一耦合光子結構之方法及裝置有权
简体标题：提供一耦合光子结构之方法及设备
公开(公告)号：TWI475269B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102114061
申请日：2013-04-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：米迪羅伊 , MEADE, ROY
IPC分类号： G02B6/24 , G01J1/02
CPC分类号： G02B6/4295 , G02B6/4203 , G02B6/4289 , G02B6/4291 , H01L31/02327 , H01L31/101

24. 发明专利

TW201505200A 光敏裝置的製造方法失效
简体标题：光敏设备的制造方法
公开(公告)号：TW201505200A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103117709
申请日：2014-05-21
申请人：法國電氣股份有限公司 , 國家科學研究中心 , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNRS-
发明人：派爾瑞奇爾 , PAIRE, MYRIAM , 古義蘭莫勒斯珍法蘭克斯 , GUILLEMOLES, JEAN FRANCOIS , 朗比茲羅倫特 , LOMBEZ, LAURENT , 林肯特丹尼爾 , LINCOT, DANIEL , 柯林史蒂芬 , COLLIN, STEPHANE , 派洛德珍路克 , PELOUARD, JEAN LUC
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/02161 , H01L31/02168 , H01L31/0543 , H01L31/18 , Y02E10/52
摘要：一種光敏裝置的製造方法，包含：在基板(3)上準備光敏的至少第一部分(1)的第一步驟，第一部分在一波長範圍內活化，第一部分(1)被非活化的第二部分(2)圍繞。透過電化學製程，覆蓋第一部分(1)的材料(8)被選擇性地排列到親水層內。第二部分(2)在基板相對的上表面上包含疏水材料。此方法更包含以下步驟：在第一部分(1)與第二部分(2)的上表面上噴塗包含透明材料的液體溶液，以及在第一部分上形成包含該材料的會聚透鏡(4,14)。
简体摘要：一种光敏设备的制造方法，包含：在基板(3)上准备光敏的至少第一部分(1)的第一步骤，第一部分在一波长范围内活化，第一部分(1)被非活化的第二部分(2)围绕。透过电化学制程，覆盖第一部分(1)的材料(8)被选择性地排列到亲水层内。第二部分(2)在基板相对的上表面上包含疏水材料。此方法更包含以下步骤：在第一部分(1)与第二部分(2)的上表面上喷涂包含透明材料的液体溶液，以及在第一部分上形成包含该材料的会聚透镜(4,14)。

25. 发明专利

TWI466274B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI466274B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW096140462
申请日：2007-10-26
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 及川欣聰 , OIKAWA, YOSHIAKI , 廣瀨篤志 , HIROSE, ATSUSHI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L31/02005 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/1055 , H01L31/1892 , H01M10/46 , H03F3/08 , Y02E10/50

26. 发明专利

TWI459572B 光起電力裝置及其製造方法有权
简体标题：光起电力设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI459572B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW099139913
申请日：2010-11-19
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：濱本哲 , HAMAMOTO, SATOSHI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/022425 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/52 , Y02E10/547

27. 发明专利

TWI459548B 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器有权
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TWI459548B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW099142977
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762

28. 发明专利

TW201442193A 晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201442193A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103124882
申请日：2012-02-10
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：林佳昇 , LIN, CHIA SHENG
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L31/02005 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/13 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L31/02327 , H01L31/1876 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2924/0001 , H01L2924/1461 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2224/05599 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要：本發明實施例揭示一種晶片封裝體，包括：一半導體晶片，具有一第一表面及與其相對的一第二表面，具有至少一導電墊鄰近於第一表面，且具有一開口自第二表面朝第一表面延伸而露出導電墊。一絕緣層及一重佈線層依序設置於第二表面上，且延伸至開口的側壁及底部，其中位於開口底部的絕緣層具有一底腳結構，且重佈線層經由開口與導電墊電性連接。一保護層覆蓋重佈線層且局部填入開口，以在開口內的保護層與導電墊之間形成一孔洞。另一實施例則揭示上述晶片封裝體之製造方法。
简体摘要：本发明实施例揭示一种芯片封装体，包括：一半导体芯片，具有一第一表面及与其相对的一第二表面，具有至少一导电垫邻近于第一表面，且具有一开口自第二表面朝第一表面延伸而露出导电垫。一绝缘层及一重布线层依序设置于第二表面上，且延伸至开口的侧壁及底部，其中位于开口底部的绝缘层具有一底脚结构，且重布线层经由开口与导电垫电性连接。一保护层覆盖重布线层且局部填入开口，以在开口内的保护层与导电垫之间形成一孔洞。另一实施例则揭示上述芯片封装体之制造方法。

30. 发明专利

TW201432894A 具有奈米線結構光偵測器之主動像素感測器审中-公开
简体标题：具有奈米线结构光侦测器之主动像素传感器
公开(公告)号：TW201432894A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102149110
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/0352 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L31/102 , H01L31/1126 , Y02E10/50
摘要：本發明揭示一種成像裝置，其係組合一CMOS製作製程與一奈米線製作製程而形成為一主動像素陣列。該陣列中之像素可包含環繞奈米線之一單個或多個光閘極。該等光閘極控制奈米線中之電位分佈，從而允許在該奈米線中累積光產生之電荷且轉移該等電荷以供信號讀出。每一像素亦可包含一讀出電路，其可包含一重設電晶體、一電荷轉移開關電晶體、源極隨耦器放大器及像素選擇電晶體。一奈米線通常經結構化而作為塊體半導體基板上之一垂直條棒，以接收照射於該奈米線之尖端上之光能量。該奈米線可經組態以用作一光偵測器或經組態以將光束導引至該體基板之一波導。在本文中之實施例中，在存在奈米線光閘極及一基板光閘極之情況下，可偵測不同波長之光。
简体摘要：本发明揭示一种成像设备，其系组合一CMOS制作制程与一奈米线制作制程而形成为一主动像素数组。该数组中之像素可包含环绕奈米线之一单个或多个光闸极。该等光闸极控制奈米线中之电位分布，从而允许在该奈米线中累积光产生之电荷且转移该等电荷以供信号读出。每一像素亦可包含一读出电路，其可包含一重设晶体管、一电荷转移开关晶体管、源极随耦器放大器及像素选择晶体管。一奈米线通常经结构化而作为块体半导体基板上之一垂直条棒，以接收照射于该奈米线之尖端上之光能量。该奈米线可经组态以用作一光侦测器或经组态以将光束导引至该体基板之一波导。在本文中之实施例中，在存在奈米线光闸极及一基板光闸极之情况下，可侦测不同波长之光。

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