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1. 发明专利

TWI545737B 裝置、適用於感光裝置之電晶體元件之形成方法與位於感光元件陣列物內之偏壓元件有权
简体标题：设备、适用于感光设备之晶体管组件之形成方法与位于感光组件数组物内之偏压组件
公开(公告)号：TWI545737B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103120136
申请日：2014-06-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：高敏峰 , KAO, MIN FENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 徐偉誠 , HSU, WEI CHENG , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14687 , H01L31/102 , H01L31/18

2. 发明专利

TW201432894A 具有奈米線結構光偵測器之主動像素感測器审中-公开
简体标题：具有奈米线结构光侦测器之主动像素传感器
公开(公告)号：TW201432894A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102149110
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/0352 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L31/102 , H01L31/1126 , Y02E10/50
摘要：本發明揭示一種成像裝置，其係組合一CMOS製作製程與一奈米線製作製程而形成為一主動像素陣列。該陣列中之像素可包含環繞奈米線之一單個或多個光閘極。該等光閘極控制奈米線中之電位分佈，從而允許在該奈米線中累積光產生之電荷且轉移該等電荷以供信號讀出。每一像素亦可包含一讀出電路，其可包含一重設電晶體、一電荷轉移開關電晶體、源極隨耦器放大器及像素選擇電晶體。一奈米線通常經結構化而作為塊體半導體基板上之一垂直條棒，以接收照射於該奈米線之尖端上之光能量。該奈米線可經組態以用作一光偵測器或經組態以將光束導引至該體基板之一波導。在本文中之實施例中，在存在奈米線光閘極及一基板光閘極之情況下，可偵測不同波長之光。
简体摘要：本发明揭示一种成像设备，其系组合一CMOS制作制程与一奈米线制作制程而形成为一主动像素数组。该数组中之像素可包含环绕奈米线之一单个或多个光闸极。该等光闸极控制奈米线中之电位分布，从而允许在该奈米线中累积光产生之电荷且转移该等电荷以供信号读出。每一像素亦可包含一读出电路，其可包含一重设晶体管、一电荷转移开关晶体管、源极随耦器放大器及像素选择晶体管。一奈米线通常经结构化而作为块体半导体基板上之一垂直条棒，以接收照射于该奈米线之尖端上之光能量。该奈米线可经组态以用作一光侦测器或经组态以将光束导引至该体基板之一波导。在本文中之实施例中，在存在奈米线光闸极及一基板光闸极之情况下，可侦测不同波长之光。

3. 发明专利

TWI392102B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI392102B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW095127148
申请日：2006-07-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：西和夫 , NISHI, KAZUO , 荒尾達也 , ARAO, TATSUYA , 廣瀨篤志 , HIROSE, ATSUSHI , 菅原裕輔 , SUGAWARA, YUUSUKE , 楠本直人 , KUSUMOTO, NAOTO , 山田大幹 , YAMADA, DAIKI , 高橋秀和 , TAKAHASHI, HIDEKAZU
IPC分类号： H01L31/08
CPC分类号： H01L31/102 , G01J1/44 , H01L31/145 , H04N5/2351

4. 发明专利

TW201138084A 具有奈米線結構光偵測器之主動像素感測器 ACTIVE PIXEL SENSOR WITH NANOWIRE STRUCTURED PHOTODETECTORS 审中-公开
简体标题：具有奈米线结构光侦测器之主动像素传感器 ACTIVE PIXEL SENSOR WITH NANOWIRE STRUCTURED PHOTODETECTORS
公开(公告)号：TW201138084A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099142973
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：兪榮濬 , 伍伯慕尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/0352 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L31/102 , H01L31/1126 , Y02E10/50
摘要：本發明揭示一種成像裝置,其係組合一CMOS製作製程與一奈米線製作製程而形成為一主動像素陣列。該陣列中之像素可包含環繞奈米線之一單個或多個光閘極。該等光閘極控制奈米線中之電位分佈,從而允許在該奈米線中累積光產生之電荷且轉移該等電荷以供信號讀出。每一像素亦可包含一讀出電路,其可包含一重設電晶體、一電荷轉移開關電晶體、源極隨耦器放大器及像素選擇電晶體。一奈米線通常經結構化而作為塊體半導體基板上之一垂直條棒,以接收照射於該奈米線之尖端上之光能量。該奈米線可經組態以用作一光偵測器或經組態以將光束導引至該體基板之一波導。在本文中之實施例中,在存在奈米線光閘極及一基板光閘極之情況下,可偵測不同波長之光。
简体摘要：本发明揭示一种成像设备,其系组合一CMOS制作制程与一奈米线制作制程而形成为一主动像素数组。该数组中之像素可包含环绕奈米线之一单个或多个光闸极。该等光闸极控制奈米线中之电位分布,从而允许在该奈米线中累积光产生之电荷且转移该等电荷以供信号读出。每一像素亦可包含一读出电路,其可包含一重设晶体管、一电荷转移开关晶体管、源极随耦器放大器及像素选择晶体管。一奈米线通常经结构化而作为块体半导体基板上之一垂直条棒,以接收照射于该奈米线之尖端上之光能量。该奈米线可经组态以用作一光侦测器或经组态以将光束导引至该体基板之一波导。在本文中之实施例中,在存在奈米线光闸极及一基板光闸极之情况下,可侦测不同波长之光。

5. 实用新型

TWM509898U 光感測器有权
简体标题：光传感器
公开(公告)号：TWM509898U
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103223094
申请日：2014-12-26
申请人：凌巨科技股份有限公司 , GIANTPLUS TECHNOLOGY CO., LTD
发明人：吳瑞欽 , WU, JUI-CHIN
IPC分类号： G01J1/48
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L31/102 , H01L31/188 , Y02E10/50

6. 发明专利

TW201503333A 裝置、適用於感光裝置之電晶體元件之形成方法與位於感光元件陣列物內之偏壓元件审中-公开
简体标题：设备、适用于感光设备之晶体管组件之形成方法与位于感光组件数组物内之偏压组件
公开(公告)号：TW201503333A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103120136
申请日：2014-06-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：高敏峰 , KAO, MIN FENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 徐偉誠 , HSU, WEI CHENG , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14687 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要：一種裝置，包括：一元件隔離區，形成於一半導體基板內，該元件隔離區具有複數個缺口；一或多個感光元件，位於該些缺口內；一假閘極結構，形成於該半導體基板上；一摻雜偏壓區，形成於該元件隔離區內，其中該假閘極結構包括部分地環繞該摻雜偏壓區之至少一結構；以及一介層物，連結於該摻雜偏壓區。
简体摘要：一种设备，包括：一组件隔离区，形成于一半导体基板内，该组件隔离区具有复数个缺口；一或多个感光组件，位于该些缺口内；一假闸极结构，形成于该半导体基板上；一掺杂偏压区，形成于该组件隔离区内，其中该假闸极结构包括部分地环绕该掺杂偏压区之至少一结构；以及一介层物，链接于该掺杂偏压区。

7. 发明专利

TW200428672A 光電二極體陣列及其製造方法,及放射線檢測器 A PHOTO ELECTRIC DIODES ARRAY AND THE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND A RADIATION RAY DETECTOR 失效
简体标题：光电二极管数组及其制造方法,及放射线检测器 A PHOTO ELECTRIC DIODES ARRAY AND THE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND A RADIATION RAY DETECTOR
公开(公告)号：TW200428672A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW093106307
申请日：2004-03-10
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：柴山勝己 SHIBAYAMA, KATSUMI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14661 , H01L31/035281 , H01L31/102 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
摘要：一種光電二極體陣列及其製造方法以及放射線檢測器，其課題為防止在封裝時因光檢測部之損傷而造成雜音之發生。一種光電二極體陣列，係在n型矽基板(3)之被檢測光的入射面側，以陣列狀形成複數個光電二極體(4)，且貫通入射面側與其背面側之貫通配線(8)係形成在光電二極體(4)，在其入射面側，設置比各光電二極體(4)的形成區域更凹陷之具有規定深度之凹部(6)，在其凹部(6)設置光電二極體(4)以形成光電二極體陣列(1)。
简体摘要：一种光电二极管数组及其制造方法以及放射线检测器，其课题为防止在封装时因光检测部之损伤而造成杂音之发生。一种光电二极管数组，系在n型硅基板(3)之被检测光的入射面侧，以数组状形成复数个光电二极管(4)，且贯通入射面侧与其背面侧之贯通配线(8)系形成在光电二极管(4)，在其入射面侧，设置比各光电二极管(4)的形成区域更凹陷之具有规定深度之凹部(6)，在其凹部(6)设置光电二极管(4)以形成光电二极管数组(1)。

8. 发明专利

TWI427781B 具有奈米線結構光偵測器之主動像素感測器有权
简体标题：具有奈米线结构光侦测器之主动像素传感器
公开(公告)号：TWI427781B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099142973
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/0352 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L31/102 , H01L31/1126 , Y02E10/50

9. 实用新型

TWM367417U 紫外光轉換電能之裝置失效
简体标题：紫外光转换电能之设备
公开(公告)号：TWM367417U
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：TW098210645
申请日：2009-06-15
申请人：賴全裕
发明人：賴全裕 , 陳思霓 , 陳皓偉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/028 , B23K26/706 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/03682 , H01L31/03921 , H01L31/102 , Y02E10/544 , Y02E10/546 , Y02E10/547
摘要：本創作係有關一種紫外光轉換電能之裝置，其包括一紫外光轉換電能裝置及一蓄電部；紫外光轉換電能裝置用以設於一電焊作業區內；電焊作業區內設一電焊裝置對一預定之工件進行電焊；且於電焊過程中產生強烈的紫外光；紫外光轉換電能裝置可吸收紫外光並轉換為電能；再傳送至蓄電部儲存備用，故，本案兼具可將電焊作業中有害的紫外光轉成有用的電能、結構簡單與同時適用於固定結構與活動結構的電焊作業等優點及功效。
简体摘要：本创作系有关一种紫外光转换电能之设备，其包括一紫外光转换电能设备及一蓄电部；紫外光转换电能设备用以设于一电焊作业区内；电焊作业区内设一电焊设备对一预定之工件进行电焊；且于电焊过程中产生强烈的紫外光；紫外光转换电能设备可吸收紫外光并转换为电能；再发送至蓄电部存储备用，故，本案兼具可将电焊作业中有害的紫外光转成有用的电能、结构简单与同时适用于固定结构与活动结构的电焊作业等优点及功效。

10. 发明专利

TWI312198B 光電二極體陣列及其製造方法,及放射線檢測器 A PHOTO ELECTRIC DIODES ARRAY AND THE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND A RADIATION RAY DETECTOR 失效
简体标题：光电二极管数组及其制造方法,及放射线检测器 A PHOTO ELECTRIC DIODES ARRAY AND THE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND A RADIATION RAY DETECTOR
公开(公告)号：TWI312198B
公开(公告)日：2009-07-11
申请号：TW093106307
申请日：2004-03-10
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：柴山勝己 SHIBAYAMA, KATSUMI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14661 , H01L31/035281 , H01L31/102 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
摘要：一種光電二極體陣列及其製造方法以及放射線檢測器,其課題為防止在封裝時因光檢測部之損傷而造成雜音之發生。一種光電二極體陣列,係在n型矽基板(3)之被檢測光的入射面側,以陣列狀形成複數個光電二極體(4),且貫通入射面側與其背面側之貫通配線(8)係形成在光電二極體(4),在其入射面側,設置比各光電二極體(4)的形成區域更凹陷之具有特定深度之凹部(6),在其凹部(6)設置光二極體(4)以形成光電二極體陣列(1)。
简体摘要：一种光电二极管数组及其制造方法以及放射线检测器,其课题为防止在封装时因光检测部之损伤而造成杂音之发生。一种光电二极管数组,系在n型硅基板(3)之被检测光的入射面侧,以数组状形成复数个光电二极管(4),且贯通入射面侧与其背面侧之贯通配线(8)系形成在光电二极管(4),在其入射面侧,设置比各光电二极管(4)的形成区域更凹陷之具有特定深度之凹部(6),在其凹部(6)设置光二极管(4)以形成光电二极管数组(1)。

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