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1. 发明专利

TWI698988B 顯示裝置有权
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TWI698988B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW109103572
申请日：2014-11-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/772 , G02F1/1362

2. 发明专利

TWI665778B 半導體裝置、模組及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、模块及电子设备
公开(公告)号：TWI665778B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104102694
申请日：2015-01-27
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 中田昌孝 , NAKADA, MASATAKA , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L25/065 , H01L29/66 , H01L29/10

3. 发明专利

TW201820395A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201820395A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106137516
申请日：2017-10-31
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 土橋正佳 , DOBASHI, MASAYOSHI , 中田昌孝 , NAKADA, MASATAKA
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , B32B27/00 , B23K26/57
摘要：本發明的目的是以低成本且高生產率製造半導體裝置。另外，提高半導體裝置的製程的良率。在基板上形成島狀金屬氧化物層，以覆蓋金屬氧化物層的端部的方式在金屬氧化物層上形成樹脂層，照射光，由此使金屬氧化物層與樹脂層分離。另外，也可以在形成樹脂層之後且照射光之前在樹脂層上形成絕緣層。例如，將樹脂層形成為島狀，將絕緣層以覆蓋樹脂層的端部的方式形成。在樹脂層上形成黏合層的情況下，較佳為以黏合層的端部位於金屬氧化物層的端部的內側的方式形成黏合層。
简体摘要：本发明的目的是以低成本且高生产率制造半导体设备。另外，提高半导体设备的制程的良率。在基板上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。另外，也可以在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成黏合层的情况下，较佳为以黏合层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成黏合层。

4. 发明专利

TW201820542A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201820542A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106137190
申请日：2013-08-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 佐藤亜美 , SATO, AMI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/136
摘要：本發明的一個方式是提供一種不降低孔徑比且具有增大了電荷容量的電容元件的半導體裝置。半導體裝置包括：包括具有透光性的半導體膜的電晶體；在一對電極之間設置有介電膜的電容元件；以及電連接於電晶體的像素電極，其中在電容元件中，與電晶體的具有透光性的半導體膜形成在同一表面上的具有導電性的膜用作一個電極，像素電極用作另一個電極，設置在具有透光性的半導體膜與像素電極之間的氮化絕緣膜及第二氧化絕緣膜用作介電體。
简体摘要：本发明的一个方式是提供一种不降低孔径比且具有增大了电荷容量的电容组件的半导体设备。半导体设备包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容组件；以及电连接于晶体管的像素电极，其中在电容组件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的具有导电性的膜用作一个电极，像素电极用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜与像素电极之间的氮化绝缘膜及第二氧化绝缘膜用作介电体。

5. 发明专利

TW201535690A 半導體裝置、使用該半導體裝置的顯示裝置、使用該顯示裝置的顯示模組以及使用該半導體裝置、該顯示裝置及該顯示模組的電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、使用该半导体设备的显示设备、使用该显示设备的显示模块以及使用该半导体设备、该显示设备及该显示模块的电子设备
公开(公告)号：TW201535690A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103057
申请日：2015-01-29
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 中田昌孝 , NAKADA, MASATAKA
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：本發明題為半導體裝置、顯示裝置、顯示模組以及電子裝置。本發明的一個方式提供一種半導體裝置，其中包括使用氧化物半導體的交錯型電晶體及電容元件。本發明的一個方式是一種包括電晶體及電容元件的半導體裝置，其中電晶體包括：氧化物半導體膜；氧化物半導體膜上的閘極絕緣膜；閘極絕緣膜上的閘極電極；閘極電極上的第二絕緣膜；第二絕緣膜上的第三絕緣膜；以及第三絕緣膜上的源極電極及汲極電極，源極電極及汲極電極與氧化物半導體膜電連接，電容元件包括：第一導電膜；第二導電膜；以及該第二絕緣膜，第一導電膜與閘極電極設置在同一表面上，該第二導電膜與源極電極及汲極電極設置在同一表面上，該第二絕緣膜設置在第一導電膜與第二導電膜之間。
简体摘要：本发明题为半导体设备、显示设备、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体设备，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容组件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容组件的半导体设备，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的闸极绝缘膜；闸极绝缘膜上的闸极电极；闸极电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源极电极及汲极电极，源极电极及汲极电极与氧化物半导体膜电连接，电容组件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与闸极电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源极电极及汲极电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。

6. 发明专利

TWI487020B 軟性半導體裝置之製造方法有权
简体标题：软性半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI487020B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW098139316
申请日：2009-11-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：江口晉吾 , EGUCHI, SHINGO , 及川欣聰 , OIKAWA, YOSHIAKI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 中村亞美 , NAKAMURA, AMI , 門馬洋平 , MONMA, YOHEI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L21/32134 , H01L27/1214

7. 发明专利

TWI667777B 半導體裝置、使用該半導體裝置的顯示裝置、使用該顯示裝置的顯示模組以及使用該半導體裝置、該顯示裝置及該顯示模組的電子裝置有权
简体标题：半导体设备、使用该半导体设备的显示设备、使用该显示设备的显示模块以及使用该半导体设备、该显示设备及该显示模块的电子设备
公开(公告)号：TWI667777B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW108102055
申请日：2015-01-29
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 中田昌孝 , NAKADA, MASATAKA
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362

8. 发明专利

TW201921656A 半導體裝置、使用該半導體裝置的顯示裝置、使用該顯示裝置的顯示模組以及使用該半導體裝置、該顯示裝置及該顯示模組的電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、使用该半导体设备的显示设备、使用该显示设备的显示模块以及使用该半导体设备、该显示设备及该显示模块的电子设备
公开(公告)号：TW201921656A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108102055
申请日：2015-01-29
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 中田昌孝 , NAKADA, MASATAKA
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362
摘要：本發明題為半導體裝置、顯示裝置、顯示模組以及電子裝置。本發明的一個方式提供一種半導體裝置，其中包括使用氧化物半導體的交錯型電晶體及電容元件。本發明的一個方式是一種包括電晶體及電容元件的半導體裝置，其中電晶體包括：氧化物半導體膜；氧化物半導體膜上的閘極絕緣膜；閘極絕緣膜上的閘極電極；閘極電極上的第二絕緣膜；第二絕緣膜上的第三絕緣膜；以及第三絕緣膜上的源極電極及汲極電極，源極電極及汲極電極與氧化物半導體膜電連接，電容元件包括：第一導電膜；第二導電膜；以及該第二絕緣膜，第一導電膜與閘極電極設置在同一表面上，該第二導電膜與源極電極及汲極電極設置在同一表面上，該第二絕緣膜設置在第一導電膜與第二導電膜之間。
简体摘要：本发明题为半导体设备、显示设备、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体设备，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容组件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容组件的半导体设备，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的闸极绝缘膜；闸极绝缘膜上的闸极电极；闸极电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源极电极及汲极电极，源极电极及汲极电极与氧化物半导体膜电连接，电容组件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与闸极电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源极电极及汲极电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。

9. 发明专利

TW201817014A 顯示裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：显示设备及电子设备
公开(公告)号：TW201817014A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106133312
申请日：2017-09-28
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 黑崎大輔 , KUROSAKI, DAISUKE , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 肥塜純一 , KOEZUKA, JUNICHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
摘要：本發明的一個實施方式減少光微影製程，來提供高解析度顯示裝置。本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括像素部及驅動像素部的驅動電路，其中，像素部包括第一電晶體及與第一電晶體電連接的像素電極，驅動電路包括第二電晶體及連接部，第二電晶體包括金屬氧化物膜、以隔著金屬氧化物膜彼此相對的方式配置的第一閘極電極及第二閘極電極、在金屬氧化物膜上並與其接觸的源極電極及汲極電極以及使第一閘極電極和第二閘極電極連接的第一佈線，連接部包括形成在與第一閘極電極相同的表面上的第二佈線、形成在與源極電極及汲極電極相同的表面上的第三佈線以及使第二佈線和第三佈線連接的第四佈線，並且，像素電極、第一佈線及第四佈線形成在相同的層中。
简体摘要：本发明的一个实施方式减少光微影制程，来提供高分辨率显示设备。本发明的一个实施方式是一种显示设备，该显示设备包括像素部及驱动像素部的驱动电路，其中，像素部包括第一晶体管及与第一晶体管电连接的像素电极，驱动电路包括第二晶体管及连接部，第二晶体管包括金属氧化物膜、以隔着金属氧化物膜彼此相对的方式配置的第一闸极电极及第二闸极电极、在金属氧化物膜上并与其接触的源极电极及汲极电极以及使第一闸极电极和第二闸极电极连接的第一布线，连接部包括形成在与第一闸极电极相同的表面上的第二布线、形成在与源极电极及汲极电极相同的表面上的第三布线以及使第二布线和第三布线连接的第四布线，并且，像素电极、第一布线及第四布线形成在相同的层中。

10. 发明专利

TWI607567B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI607567B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW102147241
申请日：2013-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 片山雅博 , KATAYAMA, MASAHIRO , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255

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