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1. 发明专利

TWI581410B 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器有权
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TWI581410B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW103131815
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762

2. 发明专利

TWI482272B 垂直結構被動像素陣列及其製造方法有权
简体标题：垂直结构被动像素数组及其制造方法
公开(公告)号：TWI482272B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW100147836
申请日：2011-12-21
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：俞榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 狄恩彼得 , DUANE, PETER , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/103 , H01L31/105 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H04N5/369 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L27/14607 , H01L27/14643 , H01L31/105 , H01L31/109

3. 发明专利

TWI459548B 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器有权
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TWI459548B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW099142977
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762

4. 发明专利

TW201448189A 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器审中-公开
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TW201448189A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103131815
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762
摘要：一實施例係關於製造一裝置之一方法，該裝置包括：一基板，其具有一前側及一背側；一奈米線，其安置於該背側上；及一影像感測電路，其安置於該前側上，其中將該奈米線組態為用以傳輸高達一選擇性波長之波長之一通道及用以偵測傳輸穿過該奈米線之高達該選擇性波長之該等波長之一主動元件兩者。
简体摘要：一实施例系关于制造一设备之一方法，该设备包括：一基板，其具有一前侧及一背侧；一奈米线，其安置于该背侧上；及一影像传感电路，其安置于该前侧上，其中将该奈米线组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一信道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动组件两者。

5. 发明专利

TW201143057A 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器 MANUFACTURING NANOWIRE PHOTO-DETECTOR GROWN ON A BACK-SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR 审中-公开
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器 MANUFACTURING NANOWIRE PHOTO-DETECTOR GROWN ON A BACK-SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TW201143057A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099142977
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：狄恩彼得 , 兪榮濬 , 伍伯慕尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762
摘要：一實施例係關於製造一裝置之一方法,該裝置包括:一基板,其具有一前側及一背側;一奈米線,其安置於該背側上;及一影像感測電路,其安置於該前側上,其中將該奈米線組態為用以傳輸高達一選擇性波長之波長之一通道及用以偵測傳輸穿過該奈米線之高達該選擇性波長之該等波長之一主動元件兩者。
简体摘要：一实施例系关于制造一设备之一方法,该设备包括:一基板,其具有一前侧及一背侧;一奈米线,其安置于该背侧上;及一影像传感电路,其安置于该前侧上,其中将该奈米线组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一信道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动组件两者。

6. 发明专利

TW201244068A 垂直結構被動像素陣列及其製造方法 VERTICALLY STRUCTURED PASSIVE PIXEL ARRAYS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：垂直结构被动像素数组及其制造方法 VERTICALLY STRUCTURED PASSIVE PIXEL ARRAYS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201244068A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW100147836
申请日：2011-12-21
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：俞榮濬 , 狄恩彼得 , 伍伯慕尼
IPC分类号： H01L , B82Y , H04N
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L27/14607 , H01L27/14643 , H01L31/105 , H01L31/109
摘要：圖像傳感器和圖像傳感器的使用方法,圖像傳感器的製造方法,和包含該圖像傳感器的設備在此披露。該圖像傳感器包括像素,其包括至少一個奈米柱,該至少一奈米柱周圍圍繞門電極,其中該至少一個奈米柱適應將入射其上的光轉換成電信號,該門電極是可操作的截斷或允許電流流過該至少一奈米柱。該圖像傳感器具有可以按照單獨尋址的方式排列的複數個像素。該至少一奈米柱有包覆層。包覆層的折射率小於奈米柱的折射率。
简体摘要：图像传感器和图像传感器的使用方法,图像传感器的制造方法,和包含该图像传感器的设备在此披露。该图像传感器包括像素,其包括至少一个奈米柱,该至少一奈米柱周围围绕门电极,其中该至少一个奈米柱适应将入射其上的光转换成电信号,该门电极是可操作的截断或允许电流流过该至少一奈米柱。该图像传感器具有可以按照单独寻址的方式排列的复数个像素。该至少一奈米柱有包覆层。包覆层的折射率小于奈米柱的折射率。

7. 发明专利

TW201106424A 藉由蝕刻在玻璃層中製造高深寬比特徵 FABRICATION OF HIGH ASPECT RATIO FEATURES IN A GLASS LAYER BY ETCHING 审中-公开
简体标题：借由蚀刻在玻璃层中制造高深宽比特征 FABRICATION OF HIGH ASPECT RATIO FEATURES IN A GLASS LAYER BY ETCHING
公开(公告)号：TW201106424A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099116882
申请日：2010-05-26
申请人：立那工業股份有限公司 , 哈佛大學校長及研究員協會
发明人：葉維尼N , 可羅爾肯尼士B , 狄恩彼得 , 伍伯慕尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L27/14621 , Y10T428/131 , Y10T428/24355 , Y10T428/24479
摘要：本發明揭示與製作半導體裝置之特徵相關之方法、設備、系統及裝置。該等特徵可包含通孔及柱。在一些實施方案中,該等通孔可界定半導體影像感測器裝置之用於將電磁輻射向下直接引導至形成於一下伏矽基板上之光電二極體或其他輻射偵測元件的光管。此等結構顯著改良光收集效率並減少介電層中之散射及串擾損耗。可使用一蝕刻遮罩來經由一後續蝕刻製程產生特徵。更具體而言,該蝕刻遮罩界定該玻璃層中之側壁、提供極佳抗乾式蝕刻性並實現該蝕刻遮罩自該玻璃層之容易剝離。本文中揭示兩項實施例:使用非晶矽作為該蝕刻遮罩之第一實施例;及採用一光阻劑作為該蝕刻遮罩之第二實施例。兩項實施例皆產生具有大致垂直且光滑側壁之高深寬比特徵。
简体摘要：本发明揭示与制作半导体设备之特征相关之方法、设备、系统及设备。该等特征可包含通孔及柱。在一些实施方案中,该等通孔可界定半导体影像传感器设备之用于将电磁辐射向下直接引导至形成于一下伏硅基板上之光电二极管或其他辐射侦测组件的光管。此等结构显着改良光收集效率并减少介电层中之散射及串扰损耗。可使用一蚀刻遮罩来经由一后续蚀刻制程产生特征。更具体而言,该蚀刻遮罩界定该玻璃层中之侧壁、提供极佳抗干式蚀刻性并实现该蚀刻遮罩自该玻璃层之容易剥离。本文中揭示两项实施例:使用非晶硅作为该蚀刻遮罩之第一实施例;及采用一光阻剂作为该蚀刻遮罩之第二实施例。两项实施例皆产生具有大致垂直且光滑侧壁之高深宽比特征。

8. 发明专利

TW201246579A 以奈米線陣列為基的太陽能收集裝置 NANO WIRE ARRAY BASED SOLAR ENERGY HARVESTING DEVICE 审中-公开
简体标题：以奈米线数组为基的太阳能收集设备 NANO WIRE ARRAY BASED SOLAR ENERGY HARVESTING DEVICE
公开(公告)号：TW201246579A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW100149997
申请日：2011-12-30
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：兪榮濬 , 伍伯慕尼 , 狄恩彼得
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L27/1446 , H01L31/02327 , H01L31/03529 , H01L31/0475 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/18 , Y02E10/52
摘要：一個光伏設備，具有將光能轉化為電能的操作性，包括一個基板，複數個基本垂直於基板的結構，和結構之間的一個或多個凹槽，每個凹槽具有位於一個底壁上的平面鏡，並且每個凹槽被一透明材料填充。該結構具有p-n或p-i-n結將光轉換成為電能。該平面鏡功能性的作為電極，可以將入射其上的光線反射給該結構來轉換光成為電能。
简体摘要：一个光伏设备，具有将光能转化为电能的操作性，包括一个基板，复数个基本垂直于基板的结构，和结构之间的一个或多个凹槽，每个凹槽具有位于一个底壁上的平面镜，并且每个凹槽被一透明材料填充。该结构具有p-n或p-i-n结将光转换成为电能。该平面镜功能性的作为电极，可以将入射其上的光线反射给该结构来转换光成为电能。

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