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1. 发明专利

TW201707226A 可擴展的電壓源审中-公开
简体标题：可扩展的电压源
公开(公告)号：TW201707226A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105114779
申请日：2016-05-12
申请人：艾澤太空太陽能公司 , AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH
发明人：福爾曼丹尼爾 , FUHRMANN, DANIEL , 古特沃夫岡 , GUTER, WOLFGANG , 科藍克維特 , KHORENKO, VICTOR
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/05
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L23/3171 , H01L29/0692 , H01L29/20 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/88 , H01L31/02019 , H01L31/02325 , H01L31/042 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , Y02E10/544
摘要：一種可擴展電壓源，其具有：數量為N的相互串聯連接之部分電壓源，該等部分電壓源構造為半導體二極體，其中該等部分電壓源中之每一者具有一個半導體二極體，該半導體二極體具有p-n接面，每個半導體二極體具有p摻雜之吸收層，其中p吸收層藉由p摻雜之鈍化層鈍化，該p摻雜之鈍化層具有比該p吸收層之帶隙更大的帶隙，該半導體二極體具有n吸收層，其中該n吸收層藉由n摻雜之鈍化層鈍化，該n摻雜之鈍化層具有比該n吸收層之帶隙更大的帶隙，且各個部分電壓源之部分電源電壓相互間具有小於20%之偏差；在每兩個彼此相繼的部分電壓源之間構造有一個穿隧二極體，其中該穿隧二極體具有多個半導體層，該等半導體層具有比該p/n吸收層之帶隙更大的帶隙，且具有更大帶隙之半導體層分別由具有經改變的化學計量之材料及/或不同於該半導體二極體之p/n吸收層之元素成分的材料組成；該等部分電壓源及該穿隧二極體單片地整合在一起，且共同構成具有上側及下側之第一堆疊，且該等部分電壓源之數量N大於等於3；光在上側上入射至該堆疊，且在堆疊上側之照射面積之尺寸基本上為該堆疊在上側上之面積之尺寸，且該第一堆疊具有小於12μm之總厚度；在300K之情況下，只要該第一堆疊由具有特定波長之光子流照射，則該第一堆疊具有大於3伏特之電源電壓，其中在自該堆疊之上側向該堆疊之下側的光入射方向上，半導體二極體之p吸收層及n吸收層之總厚度自最上面之二極體向著最下面之二極體增加。
简体摘要：一种可扩展电压源，其具有：数量为N的相互串联连接之部分电压源，该等部分电压源构造为半导体二极管，其中该等部分电压源中之每一者具有一个半导体二极管，该半导体二极管具有p-n接面，每个半导体二极管具有p掺杂之吸收层，其中p吸收层借由p掺杂之钝化层钝化，该p掺杂之钝化层具有比该p吸收层之带隙更大的带隙，该半导体二极管具有n吸收层，其中该n吸收层借由n掺杂之钝化层钝化，该n掺杂之钝化层具有比该n吸收层之带隙更大的带隙，且各个部分电压源之部分电源电压相互间具有小于20%之偏差；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个穿隧二极管，其中该穿隧二极管具有多个半导体层，该等半导体层具有比该p/n吸收层之带隙更大的带隙，且具有更大带隙之半导体层分别由具有经改变的化学计量之材料及/或不同于该半导体二极管之p/n吸收层之元素成分的材料组成；该等部分电压源及该穿隧二极管单片地集成在一起，且共同构成具有上侧及下侧之第一堆栈，且该等部分电压源之数量N大于等于3；光在上侧上入射至该堆栈，且在堆栈上侧之照射面积之尺寸基本上为该堆栈在上侧上之面积之尺寸，且该第一堆栈具有小于12μm之总厚度；在300K之情况下，只要该第一堆栈由具有特定波长之光子流照射，则该第一堆栈具有大于3伏特之电源电压，其中在自该堆栈之上侧向该堆栈之下侧的光入射方向上，半导体二极管之p吸收层及n吸收层之总厚度自最上面之二极管向着最下面之二极管增加。

2. 发明专利

TW201618158A 用雷射形成虛擬鍺基板的方法审中-公开
简体标题：用激光形成虚拟锗基板的方法
公开(公告)号：TW201618158A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104129315
申请日：2015-09-04
申请人：新南創新私人有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：格林馬丁 , GREEN, MARTIN ANDREW , 郝曉靜 , HAO, XIAOJING , 何穎兒 , HO-BALLIE, ANITA WING YI , 李蔚 , LI, WEI , 劉紫恒 , LIU, ZIHENG
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/322 , C23C14/35 , H01L31/042 , H01L33/10
CPC分类号： H01L31/1852 , B23K26/0081 , B23K26/073 , B23K26/082 , B23K26/352 , B23K26/354 , B23K2201/34 , B23K2201/40 , B23K2203/172 , B23K2203/56 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02631 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L31/047 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/078 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本揭露提供一種製造半導體裝置的方法。再者，本揭露提供根據該發明製造的一光伏打裝置與一發光二極體。該方法包含使用相容於高體積、低成本製造的沈積技術來形成一鍺層之該等步驟，譬如磁控濺鍍以及暴露該鍺層於雷射光，以減少在該鍺層中的該缺陷數目。在施行該方法以後，該鍺層可被使用當作用於Ⅲ-V族材料生長的一虛擬鍺基板。
简体摘要：本揭露提供一种制造半导体设备的方法。再者，本揭露提供根据该发明制造的一光伏打设备与一发光二极管。该方法包含使用兼容于高体积、低成本制造的沉积技术来形成一锗层之该等步骤，譬如磁控溅镀以及暴露该锗层于激光光，以减少在该锗层中的该缺陷数目。在施行该方法以后，该锗层可被使用当作用于Ⅲ-V族材料生长的一虚拟锗基板。

3. 发明专利

TW201342647A 具有脈衝摻雜層的太陽能電池审中-公开
简体标题：具有脉冲掺杂层的太阳能电池
公开(公告)号：TW201342647A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102105654
申请日：2013-02-19
申请人：波音公司 , THE BOEING COMPANY
发明人：劉興權 , LIU, XING-QUAN , 費策克里斯多福M , FETZER, CHRISTOPHER M. , 羅丹尼爾C , LAW, DANIEL C.
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1844 , H01L31/0304 , H01L31/03042 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , Y02E10/544
摘要：一種太陽能電池係包含一基極區域、一背面電場層以及一設置在該基極區域與該背面電場層之間的脈衝摻雜層。
简体摘要：一种太阳能电池系包含一基极区域、一背面电场层以及一设置在该基极区域与该背面电场层之间的脉冲掺杂层。

4. 发明专利

TW201310667A 太陽能電池审中-公开
简体标题：太阳能电池
公开(公告)号：TW201310667A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100129530
申请日：2011-08-17
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：張敏南 , CHANG, MING NAN , 劉宗憲 , LIU, TSUNG HSIEN , 李世昌 , LEE, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/0693 , Y02E10/544
摘要：一種太陽能電池裝置，包括：一基板；一包含至少一p-n接面之III-V族太陽能電池結構位於基板之上；一第一半導體窗戶層位於III-V族太陽能電池結構之上；一第二半導體窗戶層位於第一半導體窗戶層之上；一抗反射層位於第二半導體窗戶層之上；一接觸層設於抗反射層之中而位於第二半導體窗戶層上；以及一電極位於接觸層之上；其中第二半導體窗戶層成分不含有鋁。
简体摘要：一种太阳能电池设备，包括：一基板；一包含至少一p-n接面之III-V族太阳能电池结构位于基板之上；一第一半导体窗户层位于III-V族太阳能电池结构之上；一第二半导体窗户层位于第一半导体窗户层之上；一抗反射层位于第二半导体窗户层之上；一接触层设于抗反射层之中而位于第二半导体窗户层上；以及一电极位于接触层之上；其中第二半导体窗户层成分不含有铝。

5. 发明专利

TW201237937A 直接的晶圓接合 DIRECT WAFER BONDING 审中-公开
简体标题：直接的晶圆接合 DIRECT WAFER BONDING
公开(公告)号：TW201237937A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100143231
申请日：2011-11-25
申请人：波音公司
发明人：布撒利丹拿傑M , 羅丹尼爾C
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0693 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L29/205 , H01L31/043 , H01L31/0687 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本揭示提供直接晶圓接合方法,其包括:提供接合層於第一和第二晶圓上,以及在熱和壓力下把第一和第二晶圓直接接合在一起。該方法藉由在元件之間引入高度摻雜的(Al)(Ga)InP(As)(Sb)層,而可以用於把基於GaAs的、基於InP的、基於GaP的、基於GaSb的或基於Ga(In)N的元件直接接合到GaAs元件。接合層材料形成具有高接合强度、低電阻、高光學穿透度的接合。
简体摘要：本揭示提供直接晶圆接合方法,其包括:提供接合层于第一和第二晶圆上,以及在热和压力下把第一和第二晶圆直接接合在一起。该方法借由在组件之间引入高度掺杂的(Al)(Ga)InP(As)(Sb)层,而可以用于把基于GaAs的、基于InP的、基于GaP的、基于GaSb的或基于Ga(In)N的组件直接接合到GaAs组件。接合层材料形成具有高接合强度、低电阻、高光学穿透度的接合。

6. 发明专利

TW201218399A 交流偏壓熱載流子太陽能電池 ALTERNATING BIAS HOT CARRIER SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：交流偏压热载流子太阳能电池 ALTERNATING BIAS HOT CARRIER SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW201218399A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100124328
申请日：2011-07-08
申请人：傲思丹度科技公司
发明人：艾爾葛洛力哈森S , 麥克尼爾戴爾A , 剛瑟賽林E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H02S40/34 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01L31/02008 , H01L31/02021 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/035209 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0693 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/0749 , H02S40/32 , Y02E10/541 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/755 , Y10S977/774 , Y10S977/948
摘要：本發明描述極高效率太陽能電池之設計。一新穎交流偏壓方案藉由使得能夠提取熱載流子而增强高於電池能帶隙之光伏打電力提取能力。當此交流偏壓方案應用於習知太陽能電池中時,此交流偏壓方案具有大於其所產生之淨效率兩倍的潛力。當該所描述之交流偏壓方案與併有基於量子井(QW)或量子點(QD)的太陽能電池之太陽能電池結合應用時,該所描述之交流偏壓方案具有擴展此太陽能電池電力提取覆蓋範圍(可能跨越整個太陽光譜),從而實現空前的太陽能提取效率之潛力。在此等電池內,一新穎交流偏壓方案擴展高於該電池材料能帶隙之電池能量轉換能力,而量子限制結構用以擴展低於該電池能帶隙之該電池能量轉換能力。光限制空腔併入於電池結構中以便允許吸收電池內部之光發射,從而進一步增强電池效率。
简体摘要：本发明描述极高效率太阳能电池之设计。一新颖交流偏压方案借由使得能够提取热载流子而增强高于电池能带隙之光伏打电力提取能力。当此交流偏压方案应用于习知太阳能电池中时,此交流偏压方案具有大于其所产生之净效率两倍的潜力。当该所描述之交流偏压方案与并有基于量子井(QW)或量子点(QD)的太阳能电池之太阳能电池结合应用时,该所描述之交流偏压方案具有扩展此太阳能电池电力提取覆盖范围(可能跨越整个太阳光谱),从而实现空前的太阳能提取效率之潜力。在此等电池内,一新颖交流偏压方案扩展高于该电池材料能带隙之电池能量转换能力,而量子限制结构用以扩展低于该电池能带隙之该电池能量转换能力。光限制空腔并入于电池结构中以便允许吸收电池内部之光发射,从而进一步增强电池效率。

7. 发明专利

TW201119047A 具特定結構之金屬背反射物 TEXTURED METALLIC BACK REFLECTOR 审中-公开
简体标题：具特定结构之金属背反射物 TEXTURED METALLIC BACK REFLECTOR
公开(公告)号：TW201119047A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099135011
申请日：2010-10-14
申请人：奧塔裝置公司
发明人：艾華特哈利 , 卡葉斯布登 , 凱西亞里伊斯克C , 尼爾惠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/056 , H01L31/0693 , H01L31/18 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要：本發明之實施例大體上係關於使用為太陽能裝置或其他電子裝置之薄膜裝置之製造,以及包含使用於太陽能設備之具特定結構之背反射物。於一個實施例中,一種用來形成具特定結構之金屬背反射物之方法,該方法包含沉積金屬層於薄膜堆疊內之砷化鎵材料上;於退火製程期間從該金屬層形成金屬島之陣列;從該砷化鎵材料去除或蝕刻材料以在該等金屬島之間形成孔隙;以及,沉積金屬反射物層以填滿該等孔隙並且覆蓋該等金屬島。於另一個實施例中,一種具特定結構之金屬背反射物包含金屬島之陣列,係配置在砷化鎵材料上之;複數個孔隙,係配置在該等金屬島之間並且延伸入該砷化鎵材料;金屬反射物層,係配置在該等金屬島之上;以及,複數個反射物突起部,係形成於該等金屬島之間並且從該金屬反射物層延伸且進入形成在該砷化鎵材料中之該等孔隙。
简体摘要：本发明之实施例大体上系关于使用为太阳能设备或其他电子设备之薄膜设备之制造,以及包含使用于太阳能设备之具特定结构之背反射物。于一个实施例中,一种用来形成具特定结构之金属背反射物之方法,该方法包含沉积金属层于薄膜堆栈内之砷化镓材料上;于退火制程期间从该金属层形成金属岛之数组;从该砷化镓材料去除或蚀刻材料以在该等金属岛之间形成孔隙;以及,沉积金属反射物层以填满该等孔隙并且覆盖该等金属岛。于另一个实施例中,一种具特定结构之金属背反射物包含金属岛之数组,系配置在砷化镓材料上之;复数个孔隙,系配置在该等金属岛之间并且延伸入该砷化镓材料;金属反射物层,系配置在该等金属岛之上;以及,复数个反射物突起部,系形成于该等金属岛之间并且从该金属反射物层延伸且进入形成在该砷化镓材料中之该等孔隙。

8. 发明专利

TW201030998A 光伏元件 PHOTOVOLTAIC DEVICE 审中-公开
简体标题：光伏组件 PHOTOVOLTAIC DEVICE
公开(公告)号：TW201030998A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098136003
申请日：2009-10-23
申请人：奧塔裝置公司
发明人：奇吉爾亞里伊西克C , 艾契爾美利莎 , 艾華特哈利 , 吉密特湯瑪士J , 何甘 , 海吉杜斯安德瑞斯 , 東克雷格
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/022441 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/03046 , H01L31/065 , H01L31/0682 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要：本發明提供將電磁輻射(諸如太陽能)轉化為電能之方法及裝置,當與習知太陽能電池相比時,該電能具有增大之效率。根據本發明之實施例,一光伏(PV)單元可具有由磊晶移植(ELO)產生之一極薄的吸收層、安置於該PV元件背面上以避免陰影之所有電接點,及/或正面光截留與背面光捕集,其使用一漫射體及一反射體以增加對碰撞於該PV單元正面之光子的吸收。若干PV單元可組合成PV組,且PV組之一陣列可由在低溫下施用之金屬或導電聚合物之薄條帶來連接以形成一PV模組。當與習知太陽能電池相比時,該等革新可允許PV元件之效率及可撓性更大。
简体摘要：本发明提供将电磁辐射(诸如太阳能)转化为电能之方法及设备,当与习知太阳能电池相比时,该电能具有增大之效率。根据本发明之实施例,一光伏(PV)单元可具有由磊晶移植(ELO)产生之一极薄的吸收层、安置于该PV组件背面上以避免阴影之所有电接点,及/或正面光截留与背面光捕集,其使用一漫射体及一反射体以增加对碰撞于该PV单元正面之光子的吸收。若干PV单元可组合成PV组,且PV组之一数组可由在低温下施用之金属或导电聚合物之薄条带来连接以形成一PV模块。当与习知太阳能电池相比时,该等革新可允许PV组件之效率及可挠性更大。

9. 发明专利

TW201021230A 於矽晶片上形成太陽能電池之矽鍺層的方法 METHOD FOR FORMING A GexSi1-x BUFFER LAYER OF SOLAR-ENERGY BATTERY ON A SILICON WAFER 审中-公开
简体标题：于硅芯片上形成太阳能电池之硅锗层的方法 METHOD FOR FORMING A GexSi1-x BUFFER LAYER OF SOLAR-ENERGY BATTERY ON A SILICON WAFER
公开(公告)号：TW201021230A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW097145032
申请日：2008-11-21
申请人：國立交通大學
发明人：張翼 , 唐士軒 , 林岳欽
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02694 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1812 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本發明係在矽基板上成長矽鍺層，並在其上成長三五族化合物半導體太陽能電池。首先在矽晶片上使用矽離子佈植方法以促進矽晶片和矽鍺磊晶層的鬆弛，降低矽鍺磊晶層的厚度，再於矽基板上生長無應力的P型摻雜矽鍺緩衝層，藉以降低三五族高效率太陽能電池生產成本。並於矽鍺緩衝層上形成三五族高效率太陽能電池。
简体摘要：本发明系在硅基板上成长硅锗层，并在其上成长三五族化合物半导体太阳能电池。首先在硅芯片上使用硅离子布植方法以促进硅芯片和硅锗磊晶层的松弛，降低硅锗磊晶层的厚度，再于硅基板上生长无应力的P型掺杂硅锗缓冲层，借以降低三五族高效率太阳能电池生产成本。并于硅锗缓冲层上形成三五族高效率太阳能电池。

10. 发明专利

TWI622179B 化合物半導體太陽電池單元及化合物半導體太陽電池單元之製造方法有权
简体标题：化合物半导体太阳电池单元及化合物半导体太阳电池单元之制造方法
公开(公告)号：TWI622179B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW104108534
申请日：2015-03-17
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：鷲尾英俊 , WASHIO, HIDETOSHI
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0693
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0693 , Y02E10/544 , Y02P70/521

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