专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201724194A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201724194A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105125831
申请日：2016-08-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 黒崎大輔 , KUROSAKI, DAISUKE , 島行德 , SHIMA, YUKINORI , 生内俊光 , OBONAI, TOSHIMITSU
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02653 , H01L29/66969
摘要：包括第一製程至第六製程的半導體裝置的製造方法，第一製程包括形成氧化物半導體膜的製程，第二製程包括在氧化物半導體膜上形成閘極絕緣膜的製程以及在閘極絕緣膜上形成閘極電極的製程，第三製程包括在氧化物半導體膜及閘極電極上形成氮化物絕緣膜的製程，第四製程包括在氮化物絕緣膜上形成氧化物絕緣膜的製程，第五製程包括在氮化物絕緣膜及氧化物絕緣膜中形成開口部的製程，第六製程包括在氧化物絕緣膜上形成源極電極及汲極電極以覆蓋開口部的製程，在第三製程中，氮化物絕緣膜至少經過電漿處理和沉積處理的兩個步驟形成，該兩個步驟都在150℃以上且低於300℃的溫度下進行。
简体摘要：包括第一制程至第六制程的半导体设备的制造方法，第一制程包括形成氧化物半导体膜的制程，第二制程包括在氧化物半导体膜上形成闸极绝缘膜的制程以及在闸极绝缘膜上形成闸极电极的制程，第三制程包括在氧化物半导体膜及闸极电极上形成氮化物绝缘膜的制程，第四制程包括在氮化物绝缘膜上形成氧化物绝缘膜的制程，第五制程包括在氮化物绝缘膜及氧化物绝缘膜中形成开口部的制程，第六制程包括在氧化物绝缘膜上形成源极电极及汲极电极以覆盖开口部的制程，在第三制程中，氮化物绝缘膜至少经过等离子处理和沉积处理的两个步骤形成，该两个步骤都在150℃以上且低于300℃的温度下进行。

2. 发明专利

TW201448189A 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器审中-公开
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TW201448189A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103131815
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762
摘要：一實施例係關於製造一裝置之一方法，該裝置包括：一基板，其具有一前側及一背側；一奈米線，其安置於該背側上；及一影像感測電路，其安置於該前側上，其中將該奈米線組態為用以傳輸高達一選擇性波長之波長之一通道及用以偵測傳輸穿過該奈米線之高達該選擇性波長之該等波長之一主動元件兩者。
简体摘要：一实施例系关于制造一设备之一方法，该设备包括：一基板，其具有一前侧及一背侧；一奈米线，其安置于该背侧上；及一影像传感电路，其安置于该前侧上，其中将该奈米线组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一信道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动组件两者。

3. 发明专利

TW201425221A 多晶矽之製造方法审中-公开
简体标题：多晶硅之制造方法
公开(公告)号：TW201425221A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102128296
申请日：2013-08-07
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：間島卓也 , MAJIMA, TAKUYA , 若松智 , WAKAMATSU, SATORU , 崎田学 , SAKIDA, MANABU
IPC分类号： C01B33/03 , C30B29/06 , C01B3/52 , B01D53/02
CPC分类号： H01L21/02653 , C01B33/03 , H01L21/02532 , H01L21/02595
摘要：本發明係一種多晶矽之製造方法，其係包含：藉由氯矽烷化合物與氫之反應而生成矽的矽析出步驟、使由前述矽析出步驟所排出之排出氣體與活性碳接觸以除去該排出氣體中之氯化氫的轉化反應步驟、分離由前述轉化反應步驟所得之轉化反應後氣體中之氫的分離步驟、及將前述分離步驟所得之氫供給至前述矽析出步驟的循環步驟之多晶矽之製造方法，其特徵係，至少滿足下述條件(1)及(2)中之至少一者；(1)於分離步驟前，使由轉化反應步驟所得之轉化反應後氣體，與含有路易斯酸性化合物之吸附材接觸、及(2)於供給至矽析出步驟前，使分離步驟所得之氫，與含有路易斯酸性化合物之吸附材接觸。
简体摘要：本发明系一种多晶硅之制造方法，其系包含：借由氯硅烷化合物与氢之反应而生成硅的硅析出步骤、使由前述硅析出步骤所排出之排出气体与活性碳接触以除去该排出气体中之氯化氢的转化反应步骤、分离由前述转化反应步骤所得之转化反应后气体中之氢的分离步骤、及将前述分离步骤所得之氢供给至前述硅析出步骤的循环步骤之多晶硅之制造方法，其特征系，至少满足下述条件(1)及(2)中之至少一者；(1)于分离步骤前，使由转化反应步骤所得之转化反应后气体，与含有刘易斯酸性化合物之吸附材接触、及(2)于供给至硅析出步骤前，使分离步骤所得之氢，与含有刘易斯酸性化合物之吸附材接触。

4. 发明专利

TWI459548B 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器有权
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TWI459548B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW099142977
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762

5. 发明专利

TW201143056A 具有奈米線之垂直光閘極像素結構 VERTICAL PHOTOGATE (VPG) PIXEL STRUCTURE WITH NANOWIRES 审中-公开
简体标题：具有奈米线之垂直光闸极像素结构 VERTICAL PHOTOGATE (VPG) PIXEL STRUCTURE WITH NANOWIRES
公开(公告)号：TW201143056A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099142971
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：兪榮濬 , 伍伯慕尼 , 伍迪湯瑪士P H F
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0237 , B82Y20/00 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L31/035227
摘要：一實施例係關於一裝置,該裝置包括:一奈米線光電二極體,其包括一奈米線;及至少一個垂直光閘極,其操作地耦合至該奈米線光電二極體。
简体摘要：一实施例系关于一设备,该设备包括:一奈米线光电二极管,其包括一奈米线;及至少一个垂直光闸极,其操作地耦合至该奈米线光电二极管。

6. 发明专利

TW201034172A 積體電路上具有多種功能之垂直波導 VERTICAL WAVEGUIDES WITH VARIOUS FUNCTIONALITY ON INTEGRATED CIRCUITS 审中-公开
简体标题：集成电路上具有多种功能之垂直波导 VERTICAL WAVEGUIDES WITH VARIOUS FUNCTIONALITY ON INTEGRATED CIRCUITS
公开(公告)号：TW201034172A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098138687
申请日：2009-11-13
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：伍伯慕尼 , 伍迪湯瑪士P H F
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02B27/1013 , B82Y20/00 , G01J1/0425 , G02B6/102 , G02B6/107 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02B6/42 , G02B2006/12138 , G02B2006/1215 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02653 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L28/60
摘要：一實施例係關於一種裝置，該裝置包括一光學管，該光學管包括一核心及一包覆層，該光學管經組態以藉由該核心及該包覆層以一選擇性波長分離入射於該光學管上之一電磁輻射束之波長，其中該核心經組態以既作為用以透射高達該選擇性波長之波長之一通道且亦作為用以偵測透射穿過該核心之該等高達該選擇性波長之波長之一主動元件。其他實施例係關於一種複合光偵測器。
简体摘要：一实施例系关于一种设备，该设备包括一光学管，该光学管包括一内核及一包覆层，该光学管经组态以借由该内核及该包覆层以一选择性波长分离入射于该光学管上之一电磁辐射束之波长，其中该内核经组态以既作为用以透射高达该选择性波长之波长之一信道且亦作为用以侦测透射穿过该内核之该等高达该选择性波长之波长之一主动组件。其他实施例系关于一种复合光侦测器。

7. 发明专利

TWI500827B 使用奈米結構緩衝層和氫化物氣相沉積（ＨＶＰＥ）來製造高品質化合物半導體材料的成長方法有权
简体标题：使用奈米结构缓冲层和氢化物气相沉积（ＨＶＰＥ）来制造高品质化合物半导体材料的成长方法
公开(公告)号：TWI500827B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW096109932
申请日：2007-03-22
申请人：奈米根有限公司 , NANOGAN LIMITED
发明人：王望南 , WANG, WANG NANG
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/005 , C30B23/007 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B29/48 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02653 , Y10T428/24612

8. 发明专利

TW201003981A 基板構造及其移除方法 SUBSTRATE STRUCURE AND METHOD OF REMOVING THE SUBSTRATE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：基板构造及其移除方法 SUBSTRATE STRUCURE AND METHOD OF REMOVING THE SUBSTRATE STRUCTURE
公开(公告)号：TW201003981A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097126588
申请日：2008-07-14
申请人：先進開發光電股份有限公司
发明人：凃博閔 , 黃世晟 , 詹世雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/0254 , H01L21/02653 , H01L33/0079
摘要：一種移除基板構造的方法，係於一基板上，以微影蝕刻方式，製作複數個柱狀體。於複數個柱狀體上，成長一三族氮化物半導體層。以化學蝕刻方式，蝕刻複數個柱狀體，使該三族氮化物半導體層與該基板分離。
简体摘要：一种移除基板构造的方法，系于一基板上，以微影蚀刻方式，制作复数个柱状体。于复数个柱状体上，成长一三族氮化物半导体层。以化学蚀刻方式，蚀刻复数个柱状体，使该三族氮化物半导体层与该基板分离。

9. 发明专利

TW200801257A 使用奈米結構緩衝層和氫化物氣相沉積(HVPE)來製造高品質化合物半導體材料的成長方法 GROWTH METHOD USING NANOSTRUCTURE COMPLIANT LAYERS AND HVPE FOR PRODUCING HIGH QUALITY COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
简体标题：使用奈米结构缓冲层和氢化物气相沉积(HVPE)来制造高品质化合物半导体材料的成长方法 GROWTH METHOD USING NANOSTRUCTURE COMPLIANT LAYERS AND HVPE FOR PRODUCING HIGH QUALITY COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS
公开(公告)号：TW200801257A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096109932
申请日：2007-03-22
申请人：巴斯大學 THE UNIVERSITY OF BATH
发明人：王望南 WANG, WANG NANG
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B25/005 , C30B23/007 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B29/48 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02653 , Y10T428/24612
摘要：一種利用HVPE法而使用奈米結構順應層在異質基材上生長高品質之平且厚的化合物半導體之方法。半導體材料的奈米結構能被以分子束磊晶(MBE)、化學蒸氣沈積(CVD)。金屬有機物化學蒸氣沈積(MOCVD),及氫化物氣相磊晶(HVPE)來生長在異質基材上。連續的化合物半導體厚膜或晶圓之進一步生長係可藉使用HVPE的磊晶橫向超生長來達成。
简体摘要：一种利用HVPE法而使用奈米结构顺应层在异质基材上生长高品质之平且厚的化合物半导体之方法。半导体材料的奈米结构能被以分子束磊晶(MBE)、化学蒸气沉积(CVD)。金属有机物化学蒸气沉积(MOCVD),及氢化物气相磊晶(HVPE)来生长在异质基材上。连续的化合物半导体厚膜或晶圆之进一步生长系可藉使用HVPE的磊晶横向超生长来达成。

10. 发明专利

TW200735356A 具有奈米線通道及一矽化底部接觸之立式場效電晶體 A VERTICAL FET WITH NANOWIRE CHANNELS AND A SILICIDED BOTTOM CONTACT 审中-公开
简体标题：具有奈米线信道及一硅化底部接触之立式场效应管 A VERTICAL FET WITH NANOWIRE CHANNELS AND A SILICIDED BOTTOM CONTACT
公开(公告)号：TW200735356A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095116935
申请日：2006-05-12
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：蓋伊M 柯漢 COHEN, GUY M. , 保羅M 所羅門 SOLOMON, PAUL M.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/045 , H01L29/0676 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7828 , Y10S977/762 , Y10S977/938
摘要：本發明揭示一種具有形成FET通道之奈米線之立式FET結構。該等奈米線形成於一導電矽化物層上。該等奈米線由一環繞閘極選通。頂部及底部絕緣體栓塞用作閘極隔離物且減小閘極-源極及閘極-汲極電容。
简体摘要：本发明揭示一种具有形成FET信道之奈米线之立式FET结构。该等奈米线形成于一导电硅化物层上。该等奈米线由一环绕闸极选通。顶部及底部绝缘体栓塞用作闸极隔离物且减小闸极-源极及闸极-汲极电容。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式