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1. 发明专利

TWI701717B 磊晶結構有权
简体标题：磊晶结构
公开(公告)号：TWI701717B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108128572
申请日：2019-08-12
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：劉嘉哲 , LIU, JIA-ZHE , 施英汝 , SHIH, YING-RU
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/322

2. 发明专利

TW202027263A 影像感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：影像传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW202027263A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138891
申请日：2019-10-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳柏瀚 , CHEN, PO HAN , 陳貞君 , CHEN, CHEN CHUN , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 李國政 , LEE, KUO CHENG
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238 , H01L21/20 , H01L21/28
摘要：一種影像感測器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光電二極體。影像感測器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光電二極體，其中第一尺寸與第二尺寸不同。影像感測器更包含在基板上的第一緩衝層。影像感測器更包含在第一緩衝器上的遮罩層，其中第一緩衝層和遮罩層定義與第一光電二極體對準的第一凹陷和與第二光電二極體對準的第二凹陷。影像感測器更包含在第一凹陷中的閃爍減弱層，其中第二凹陷沒有閃爍減弱層。
简体摘要：一种影像传感器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。影像传感器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中第一尺寸与第二尺寸不同。影像传感器更包含在基板上的第一缓冲层。影像传感器更包含在第一缓冲器上的遮罩层，其中第一缓冲层和遮罩层定义与第一光电二极管对准的第一凹陷和与第二光电二极管对准的第二凹陷。影像传感器更包含在第一凹陷中的闪烁减弱层，其中第二凹陷没有闪烁减弱层。

3. 发明专利

TWI698908B ＳｉＣ複合基板之製造方法及半導體基板之製造方法有权
简体标题：ＳｉＣ复合基板之制造方法及半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TWI698908B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105129333
申请日：2016-09-09
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 日商CUSIC股份有限公司 , CUSIC INC.
发明人：久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 長澤弘幸 , NAGASAWA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20

4. 发明专利

TW202023053A 碳化矽晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：碳化硅晶体及其制造方法
公开(公告)号：TW202023053A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107145264
申请日：2018-12-14
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：林欽山 , LIN, CHING SHAN , 呂建興 , LU, JIAN HSIN , 劉建成 , LIOU, CHIEN CHENG , 李依晴 , LI, I CHING
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/20
摘要：本發明公開一種碳化矽晶體及其製造方法，碳化矽晶體包括材質為碳化矽且依序堆疊的N型晶種層、阻障層、及半絕緣塊體。N型晶種層具有介於0.01~0.03Ω．cm的電阻率。阻障層包含有於所述N型晶種層上依序磊晶形成的多個磊晶膜，並且每個磊晶膜的一碳矽比是沿著自鄰近所述N型晶種層朝向遠離所述N型晶種層的一成形方向漸增。碳化矽晶體的氮濃度是自所述N型晶種層朝向半絕緣塊體擴散且呈遞減分佈，以使所述半絕緣塊體具有大於107Ω．cm的電阻率。
简体摘要：本发明公开一种碳化硅晶体及其制造方法，碳化硅晶体包括材质为碳化硅且依序堆栈的N型晶种层、阻障层、及半绝缘块体。N型晶种层具有介于0.01~0.03Ω．cm的电阻率。阻障层包含有于所述N型晶种层上依序磊晶形成的多个磊晶膜，并且每个磊晶膜的一碳硅比是沿着自邻近所述N型晶种层朝向远离所述N型晶种层的一成形方向渐增。碳化硅晶体的氮浓度是自所述N型晶种层朝向半绝缘块体扩散且呈递减分布，以使所述半绝缘块体具有大于107Ω．cm的电阻率。

5. 发明专利

TW202022930A 用於處理基板的設備和方法审中-公开
简体标题：用于处理基板的设备和方法
公开(公告)号：TW202022930A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108141362
申请日：2019-11-14
申请人：南韓商周星工程股份有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
发明人：黃喆周 , HWANG, CHUL-JOO
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/302 , H01L21/67
摘要：本發明涉及基板的處理裝置，包含一腔體、一基板支撐部件，可旋轉地安裝在該腔體的一處理空間中，以支撐一個或多個基板、一第一氣體分配單元，用於將一源氣體分配到該處理空間的一第一區域、一第二氣體分配單元，用於將與該源氣體反應的一反應氣體分配到該處理空間的一第二區域、以及一第三氣體分配單元，用於分配一吹掃氣體至一第三區域以劃分該第一區域和該第二區域，以及一種處理基板的方法。
简体摘要：本发明涉及基板的处理设备，包含一腔体、一基板支撑部件，可旋转地安装在该腔体的一处理空间中，以支撑一个或多个基板、一第一气体分配单元，用于将一源气体分配到该处理空间的一第一区域、一第二气体分配单元，用于将与该源气体反应的一反应气体分配到该处理空间的一第二区域、以及一第三气体分配单元，用于分配一吹扫气体至一第三区域以划分该第一区域和该第二区域，以及一种处理基板的方法。

6. 发明专利

TW202022917A 電子束介導電漿蝕刻及沉積製程之設備及方法审中-公开
简体标题：电子束介导等离子蚀刻及沉积制程之设备及方法
公开(公告)号：TW202022917A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108131486
申请日：2019-09-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：凡特薩克彼得 , VENTZEK, PETER , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01J37/147 , H01L21/3065 , H01L21/20
摘要：所揭示之實施例將電子束施加至微電子工件之基板以改善電漿蝕刻及沉積製程。使電子束產生並利用DC(直流)偏壓、RF(射頻)電漿源、及/或其他電子束產生及控制技術以將電子束導向基板表面。對於某些實施例而言，受DC偏壓的RF電漿源(例如DC疊加(DCS)或混合式DC-RF源)係用以在與受DC偏壓之電極相對的表面上提供可控的電子束。對於某些進一步的實施例而言，受DC偏壓之電極為脈衝的。此外，電子束亦可經由從外部及/或非雙極性源提取電子束而產生。所揭示之技術亦可與額外的電子束源及/或額外的蝕刻或沉積製程一起使用。
简体摘要：所揭示之实施例将电子束施加至微电子工件之基板以改善等离子蚀刻及沉积制程。使电子束产生并利用DC(直流)偏压、RF(射频)等离子源、及/或其他电子束产生及控制技术以将电子束导向基板表面。对于某些实施例而言，受DC偏压的RF等离子源(例如DC叠加(DCS)或混合式DC-RF源)系用以在与受DC偏压之电极相对的表面上提供可控的电子束。对于某些进一步的实施例而言，受DC偏压之电极为脉冲的。此外，电子束亦可经由从外部及/或非双极性源提取电子束而产生。所揭示之技术亦可与额外的电子束源及/或额外的蚀刻或沉积制程一起使用。

7. 发明专利

TWI692869B 基底及其製造方法有权
简体标题：基底及其制造方法
公开(公告)号：TWI692869B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108115312
申请日：2019-05-03
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林光明 , LIN, KWANG-MING , 林永豐 , LIN, YUNG-FONG
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/20 , H01L21/205

8. 发明专利

TWI692803B 修飾磊晶成長形狀的方法有权
简体标题：修饰磊晶成长形状的方法
公开(公告)号：TWI692803B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105135805
申请日：2016-11-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 仲華 , CHUNG, HUA , 李學斌 , LI, XUEBIN , 陸宇翔 , LU, YUXIANG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L29/66 , H01L29/78

9. 发明专利

TW202015104A 半極性獨立基板之製造方法审中-公开
简体标题：半极性独立基板之制造方法
公开(公告)号：TW202015104A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108129956
申请日：2019-08-22
申请人：日商古河機械金屬股份有限公司 , FURUKAWA COMPANY LIMITED
发明人：後藤裕輝 , GOTO, HIROKI , 石原裕次郎 , ISHIHARA, YUJIRO , 布田将一 , FUDA, SHOICHI
IPC分类号： H01L21/20
摘要：本發明提供一種半極性獨立基板之製造方法，其執行：準備步驟(S10)，其係準備以半極性面為主面且包含III族氮化物半導體之半極性晶種基板；III族氮化物半導體層形成步驟(S20)，其係於半極性晶種基板之上使III族氮化物半導體磊晶生長，而形成III族氮化物半導體層；切下步驟(S30)，其係自III族氮化物半導體層切下以半極性面為主面之半極性獨立基板；及加工步驟(S40)，其係於切下步驟(S30)之後，自殘存有III族氮化物半導體層之一部分之半極性晶種基板去除所有III族氮化物半導體層；之後再利用半極性晶種基板進行III族氮化物半導體層形成步驟及切下步驟。
简体摘要：本发明提供一种半极性独立基板之制造方法，其运行：准备步骤(S10)，其系准备以半极性面为主面且包含III族氮化物半导体之半极性晶种基板；III族氮化物半导体层形成步骤(S20)，其系于半极性晶种基板之上使III族氮化物半导体磊晶生长，而形成III族氮化物半导体层；切下步骤(S30)，其系自III族氮化物半导体层切下以半极性面为主面之半极性独立基板；及加工步骤(S40)，其系于切下步骤(S30)之后，自残存有III族氮化物半导体层之一部分之半极性晶种基板去除所有III族氮化物半导体层；之后再利用半极性晶种基板进行III族氮化物半导体层形成步骤及切下步骤。

10. 发明专利

TWI691022B 在混合鍵合半導體元件中形成引線的方法有权
简体标题：在混合键合半导体组件中形成引线的方法
公开(公告)号：TWI691022B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107127561
申请日：2018-08-08
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：嚴孟 , YAN, MENG , 朱繼鋒 , ZHU, JIFENG , 胡思平 , HU, SI PING
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/60 , H01L21/20 , H01L21/302

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