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1. 发明专利

TWI616647B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI616647B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102147434
申请日：2013-12-20
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：波爾克法比昂 , PURKL, FABIAN , 亞馬蓋瑞 , YAMA, GARY , 菲安道拉斯 , FEYH, ANDO LARS
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20
CPC分类号： H01L31/101 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/02327

2. 发明专利

TWI613423B 製造半導體裝置的方法有权
简体标题：制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TWI613423B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW102130176
申请日：2013-08-22
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：亞馬蓋瑞 , YAMA, GARY , 菲安道 , FEYH, ANDO , 薩瑪勞阿許文 , SAMARAO, ASHWIN , 波爾克法比昂 , PURKL, FABIAN , 歐布琳恩蓋瑞 , O'BRIEN, GARY
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446

3. 发明专利

TW201724533A 光感測元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光传感组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201724533A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104143693
申请日：2015-12-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許豐家 , HSU, FENG-CHIA , 林育聖 , LIN, YU-SHENG , 蔡俊胤 , TSAI, CHUN-YIN , 邱勝任 , CHIU, SHENG-REN
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/1443 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/10 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L31/02005 , H01L31/02164 , H01L31/02327 , H01L31/024 , H01L31/18
摘要：一種光感測元件，其包括基材、半導體元件層、金屬與絕緣材料疊層結構以及光吸收層。基材具有凹陷部。半導體元件層位於基材上。金屬與絕緣材料疊層結構位於半導體元件層上且包括第一內連線結構以及位於第一內連線結構周圍之第二內連線結構以及元件導線。光吸收層位於金屬與絕緣材料疊層結構上，其中第一內連線結構位於光吸收層與半導體元件層之間，以使位於不同水平面的光吸收層以及半導體元件層彼此具有固體熱傳導途徑。
简体摘要：一种光传感组件，其包括基材、半导体组件层、金属与绝缘材料叠层结构以及光吸收层。基材具有凹陷部。半导体组件层位于基材上。金属与绝缘材料叠层结构位于半导体组件层上且包括第一内连接结构以及位于第一内连接结构周围之第二内连接结构以及组件导线。光吸收层位于金属与绝缘材料叠层结构上，其中第一内连接结构位于光吸收层与半导体组件层之间，以使位于不同水平面的光吸收层以及半导体组件层彼此具有固体热传导途径。

5. 发明专利

TW201448189A 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器审中-公开
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TW201448189A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103131815
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762
摘要：一實施例係關於製造一裝置之一方法，該裝置包括：一基板，其具有一前側及一背側；一奈米線，其安置於該背側上；及一影像感測電路，其安置於該前側上，其中將該奈米線組態為用以傳輸高達一選擇性波長之波長之一通道及用以偵測傳輸穿過該奈米線之高達該選擇性波長之該等波長之一主動元件兩者。
简体摘要：一实施例系关于制造一设备之一方法，该设备包括：一基板，其具有一前侧及一背侧；一奈米线，其安置于该背侧上；及一影像传感电路，其安置于该前侧上，其中将该奈米线组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一信道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动组件两者。

6. 发明专利

TW201432228A 具有用於熱短路的柱狀結構吸收器的輻射熱測定器审中-公开
简体标题：具有用于热短路的柱状结构吸收器的辐射热测定器
公开(公告)号：TW201432228A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102147426
申请日：2013-12-20
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：亞馬蓋瑞 , YAMA, GARY , 波爾克法比昂 , PURKL, FABIAN , 菲安道拉斯 , FEYH, ANDO LARS
IPC分类号： G01J1/42 , G01J5/02 , G01J5/10
CPC分类号： H01L31/0248 , G01J5/024 , G01J5/0245 , G01J5/20 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要：半導體裝置包括基板，其具有電極結構。吸收器結構乃懸架於電極結構上並且與第一電極結構間隔第一距離。吸收器結構包括：(i)懸架結構，其從基板向上延伸並且電連接到讀出導體，以及(ii)柱狀結構，其從吸收器結構向下延伸而朝向第一電極結構。柱狀結構具有與第一電極結構隔開第二距離的接觸部分，該第二距離係小於第一距離。吸收器結構乃建構成在測試條件下彎曲朝向基板。選擇第二距離以使得當吸收器結構回應於測試條件而彎曲時，柱狀結構的接觸部分定位成接觸第一電極結構。
简体摘要：半导体设备包括基板，其具有电极结构。吸收器结构乃悬架于电极结构上并且与第一电极结构间隔第一距离。吸收器结构包括：(i)悬架结构，其从基板向上延伸并且电连接到读出导体，以及(ii)柱状结构，其从吸收器结构向下延伸而朝向第一电极结构。柱状结构具有与第一电极结构隔开第二距离的接触部分，该第二距离系小于第一距离。吸收器结构乃建构成在测试条件下弯曲朝向基板。选择第二距离以使得当吸收器结构回应于测试条件而弯曲时，柱状结构的接触部分定位成接触第一电极结构。

7. 发明专利

TW201233988A 使用低溫測溫法進行低溫測量及控制 LOW TEMPERATURE MEASUREMENT AND CONTROL USING LOW TEMPERATURE PYROMETRY 失效
简体标题：使用低温测温法进行低温测量及控制 LOW TEMPERATURE MEASUREMENT AND CONTROL USING LOW TEMPERATURE PYROMETRY
公开(公告)号：TW201233988A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100126648
申请日：2011-07-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：帕塔雷凱拉辛奇蘭
IPC分类号： G01K , G01J , G05D
CPC分类号： G01J5/0007 , G01J5/0846 , G01J5/0862 , G01J5/12 , G01J5/20 , G01J5/524 , G01J2005/0051
摘要：本發明係關於用於低溫應用的光學測溫和非接觸式溫度測量。在一實施例中，方法包括磊晶形成層堆疊結構至置於支撐板上的基板上、利用設在基板上方的第一測溫計，測量基板的溫度、利用設在支撐板下方的第二測溫計，測量支撐板的溫度、依據基板的實際溫度讀值，以多個溫度點校正第一測溫計，以產生基板相關的第一組校正溫度讀值、使用該組校正溫度讀值做為參考，校正第二測溫計，以產生支撐板相關的第二組校正溫度讀值、以及依據第二組校正溫度讀值，控制供應到熱源的功率，熱源配置以加熱基板。可利用多項式曲線配適或多元線性配適法，以約300℃至約900℃範圍內的多個溫度點校正第一測溫計。
简体摘要：本发明系关于用于低温应用的光学测温和非接触式温度测量。在一实施例中，方法包括磊晶形成层堆栈结构至置于支撑板上的基板上、利用设在基板上方的第一测温计，测量基板的温度、利用设在支撑板下方的第二测温计，测量支撑板的温度、依据基板的实际温度读值，以多个温度点校正第一测温计，以产生基板相关的第一组校正温度读值、使用该组校正温度读值做为参考，校正第二测温计，以产生支撑板相关的第二组校正温度读值、以及依据第二组校正温度读值，控制供应到热源的功率，热源配置以加热基板。可利用多项式曲线配适或多元线性配适法，以约300℃至约900℃范围内的多个温度点校正第一测温计。

8. 发明专利

TW201111758A 光檢測器审中-公开
简体标题：光检测器
公开(公告)号：TW201111758A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099100026
申请日：2010-01-04
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木順 , 尾島史一 , 北浦隆介
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/024 , G01J2005/068 , H01L27/14 , H01L27/14649
摘要：本發明係提供包含輻射熱計元件11及參考元件21之紅外線檢測器1，其中參考元件21包含：輻射熱計膜22；輻射熱計膜22之基板側表面上形成之基板側絕緣膜31；經由基板側絕緣膜31而於輻射熱計膜22之基板側表面上形成之包含非晶矽的放熱膜23；及與放熱膜23及基板10熱連接之包含非晶矽之複數之放熱柱25；且，輻射熱計膜22及基板側絕緣膜31係轉繞到放熱膜23之與基板10的表面交叉之側面而形成。根據如此之紅外線檢測器1，既可有效地減少使用環境之溫度變化之影響，且可謀求小型化。
简体摘要：本发明系提供包含辐射热计组件11及参考组件21之红外线检测器1，其中参考组件21包含：辐射热计膜22；辐射热计膜22之基板侧表面上形成之基板侧绝缘膜31；经由基板侧绝缘膜31而于辐射热计膜22之基板侧表面上形成之包含非晶硅的放热膜23；及与放热膜23及基板10热连接之包含非晶硅之复数之放热柱25；且，辐射热计膜22及基板侧绝缘膜31系转绕到放热膜23之与基板10的表面交叉之侧面而形成。根据如此之红外线检测器1，既可有效地减少使用环境之温度变化之影响，且可谋求小型化。

9. 发明专利

TW201027051A 奈米線輻射熱測定計光檢測器 NANOWIRE BOLOMETER PHOTODETECTOR 审中-公开
简体标题：奈米线辐射热测定计光检测器 NANOWIRE BOLOMETER PHOTODETECTOR
公开(公告)号：TW201027051A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098131903
申请日：2009-09-22
申请人：惠普研發公司
发明人：布萊特柯夫斯基亞歷山大M , 奧斯波夫維契斯雷V
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/20 , B82Y20/00 , G01J5/08 , G01J5/0809 , G01J5/0815 , G01J5/0853 , G02B19/0019 , G02B19/0028 , G02B19/0042 , G02B19/0076 , G02B19/009
摘要：一種用於輻射電磁能之檢測的光檢測器，包括至少一輻射熱測定計奈米線至少部份位於一光子陷阱內。該至少一奈米線具有至少一個黑化面。該黑化面被配置成吸收範圍從紅外光到可見光的輻射電磁能。
简体摘要：一种用于辐射电磁能之检测的光检测器，包括至少一辐射热测定计奈米线至少部份位于一光子猫腻内。该至少一奈米线具有至少一个黑化面。该黑化面被配置成吸收范围从红外光到可见光的辐射电磁能。

10. 发明专利

TW514723B 熱輻射計之微型橋接結構,製造其於基片上之方法及換能器失效
简体标题：热辐射计之微型桥接结构,制造其于基片上之方法及换能器
公开(公告)号：TW514723B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW089118419
申请日：2000-09-08
申请人：英國國防部秘書處
发明人：約翰彼得吉爾哈姆 , 瑞克司瓦特頓 , 約翰查爾斯亞爾德曼
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/20
摘要：一種製造微型橋接裝置(14，16)於基片(20)上之方法。方法包含下列步驟：提供一犧牲材料(32)於基片(20)之表面區；製作圖案式蝕刻犧牲材料(32)；提供一感測材料(34)於犧牲材料之表面區；提供一支持材料(36)於感測材料之表面區；移除犧牲材料(32)，留下支持材料(36)及感測材料(34)於其下表面，大體上獨立於基片(20)上方。
简体摘要：一种制造微型桥接设备(14，16)于基片(20)上之方法。方法包含下列步骤：提供一牺牲材料(32)于基片(20)之表面区；制作图案式蚀刻牺牲材料(32)；提供一传感材料(34)于牺牲材料之表面区；提供一支持材料(36)于传感材料之表面区；移除牺牲材料(32)，留下支持材料(36)及传感材料(34)于其下表面，大体上独立于基片(20)上方。

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