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21. 发明专利

TW201701329A 環境形成裝置及浮上搬運方法审中-公开
简体标题：环境形成设备及浮上搬运方法
公开(公告)号：TW201701329A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105104835
申请日：2016-02-19
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：藤貴洋 , HUJI, TAKAHIRO , 清水良 , SHIMIZU, RYO
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/02 , B65G49/06 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67736 , B23K26/123 , B23K2203/54 , B65G49/06 , B65G49/065 , H01L21/02 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/20 , H01L21/2007 , H01L21/268 , H01L21/67051 , H01L21/67784
摘要：本發明的課題是在搬運工件時，穩定地形成環境。本發明的環境形成裝置是設置在藉由噴出氣體對工件進行浮上支撐而加以搬運的浮上搬運裝置上，所述環境形成裝置包括小範圍環境形成部，所述小範圍環境形成部是在包含進行所述搬運的搬運路徑在內的大範圍的區域內的大範圍環境A內，在包含所述搬運路徑在內的小範圍的區域內形成與所述大範圍環境A不同的小範圍環境B。
简体摘要：本发明的课题是在搬运工件时，稳定地形成环境。本发明的环境形成设备是设置在借由喷出气体对工件进行浮上支撑而加以搬运的浮上搬运设备上，所述环境形成设备包括小范围环境形成部，所述小范围环境形成部是在包含进行所述搬运的搬运路径在内的大范围的区域内的大范围环境A内，在包含所述搬运路径在内的小范围的区域内形成与所述大范围环境A不同的小范围环境B。

22. 发明专利

TW201701321A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201701321A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105109790
申请日：2016-03-29
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：鄭愚德 , JUNG, WOO DUCK , 諸成泰 , JE, SUNG TAE , 崔圭鎭 , CHOI, KYU JIN , 韓星珉 , HAN, SEONG MIN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/2053 , H01L21/02 , H01L21/02532 , H01L21/205 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , H01L21/683
摘要：本發明提供一種基板處理裝置。基板處理裝置包含：管件，具有內空間；基板支撐件，多個基板在管件內以多級形式堆疊於基板支撐件上，基板支撐件個別地界定分別處理多個基板的多個處理空間；第一氣體供應部件，經組態以將第一氣體供應至所有多個處理空間中；第二氣體供應部件，包括多個噴射器，多個噴射器經安置為分別對應於多個處理空間，使得將第二氣體個別地供應至多個基板中的每一者上；以及排出部件，經組態以排出管件內的氣體。因此，可將氣體個別地供應至分別處理多個基板的處理空間中的每一者中。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备。基板处理设备包含：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在管件内以多级形式堆栈于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出管件内的气体。因此，可将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中的每一者中。

23. 发明专利

TW201642379A 接合系統及接合方法审中-公开
简体标题：接合系统及接合方法
公开(公告)号：TW201642379A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105100637
申请日：2016-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：兒玉宗久 , KODAMA, MUNEHISA , 大塚慶崇 , OTSUKA, YOSHITAKA , 山口恭滿 , YAMAGUCHI, KIYOMITSU , 山崎穰 , YAMASAKI, YUTAKA
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/324
CPC分类号： B23K20/00 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要：本實施形態之接合系統具備：熱處理裝置及接合裝置。熱處理裝置具有：第1固持部，藉由靜電吸附力固持第1基板；第2固持部，藉由靜電吸附力固持第2基板；及第1加熱部，將第1基板及第2基板加熱至第1溫度。接合裝置具有：第3固持部，藉由靜電吸附力固持第1基板；第4固持部，藉由靜電吸附力固持第2基板；第2加熱部，將第1基板及第2基板加熱至高於第1溫度之第2溫度；及加壓部，藉由使第3固持部及第4固持部相對靠近，而推壓第1基板及第2基板。
简体摘要：本实施形态之接合系统具备：热处理设备及接合设备。热处理设备具有：第1固持部，借由静电吸附力固持第1基板；第2固持部，借由静电吸附力固持第2基板；及第1加热部，将第1基板及第2基板加热至第1温度。接合设备具有：第3固持部，借由静电吸附力固持第1基板；第4固持部，借由静电吸附力固持第2基板；第2加热部，将第1基板及第2基板加热至高于第1温度之第2温度；及加压部，借由使第3固持部及第4固持部相对靠近，而推压第1基板及第2基板。

24. 发明专利

TW201628055A 貼合式SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201628055A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104141982
申请日：2015-12-14
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：石塚徹 , ISHIZUKA, TORU , 小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 中野正剛 , NAKANO, MASATAKE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/02024 , H01L21/0445 , H01L21/3212 , H01L21/76254 , H01L27/12 , H01L27/1203
摘要：一種貼合式SOI晶圓的製造方法，將皆以單晶矽所構成的貼合晶圓及基底晶圓透過絕緣膜貼合而製造貼合式SOI晶圓，包含下列步驟，將多晶矽層堆積於基底晶圓的貼合面側，研磨多晶矽層的表面，於貼合晶圓的貼合面形成絕緣膜，透過絕緣膜將基底晶圓的多晶矽層的研磨面與貼合晶圓貼合，以及將經貼合的貼合晶圓薄膜化而形成SOI層，其中於堆積多晶矽層的步驟中，作為基底晶圓使用具有化學蝕刻面的晶圓，於化學蝕刻面進行一次研磨後，於經一次研磨的面堆積多晶矽層，於研磨多晶矽層表面的步驟中，於多晶矽層表面進行二次研磨，或進行二次研磨及精研磨。
简体摘要：一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。

25. 发明专利

TW201628053A 火室、電漿產生器、及電漿產生方法审中-公开
简体标题：火室、等离子产生器、及等离子产生方法
公开(公告)号：TW201628053A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104134679
申请日：2015-10-22
申请人：新動力電漿股份有限公司 , NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔道鉉 , CHOI, DO-HYUN
IPC分类号： H01L21/02 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02 , H05H1/46
摘要：提供一種火室，其包括具有電漿點燃區之中空火室本體、連接至該電漿點燃區及電漿腔室之電漿放電通道之氣流通道、及在該電漿點燃區中點燃電漿的點燃電漿源。在該電漿於該電漿點燃區中被點燃後，電漿氣體係從該電漿點燃區經由該氣流通道被供應至該電漿放電通道，以於該電漿腔室中產生電漿。是故，起始之電漿點燃並非發生於該電漿放電通道中，因此減少在起始電漿點燃期間可能產生的電弧放電使由該電漿腔室本體內部產生之粒子受損之情況。
简体摘要：提供一种火室，其包括具有等离子点燃区之中空火室本体、连接至该等离子点燃区及等离子腔室之等离子放电信道之气流信道、及在该等离子点燃区中点燃等离子的点燃等离子源。在该等离子于该等离子点燃区中被点燃后，等离子气体系从该等离子点燃区经由该气流信道被供应至该等离子放电信道，以于该等离子腔室中产生等离子。是故，起始之等离子点燃并非发生于该等离子放电信道中，因此减少在起始等离子点燃期间可能产生的电弧放电使由该等离子腔室本体内部产生之粒子受损之情况。

26. 发明专利

TWI543233B 基板處理裝置用之排程製作方法以及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备用之调度制作方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TWI543233B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW104119951
申请日：2015-06-22
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：山中智史 , YAMANAKA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/02 , G05B19/418 , H01L21/304
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B19/4188 , G05B2219/00 , G05B2219/45031 , H01H43/04 , H01H43/16 , H01L21/02 , H01L21/02008 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , Y02P90/20

27. 发明专利

TW201620629A 清潔模組及具有清潔模組之負載埠审中-公开
简体标题：清洁模块及具有清洁模块之负载端口
公开(公告)号：TW201620629A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104127497
申请日：2015-08-24
申请人：樂華系統股份有限公司 , RORZE SYSTEMS CORPORATION
发明人：吳丞倍 , OH, SEUNG BAE , 嚴榮 , EOM, TAE YOUNG , 內山昌彥 , UCHIYAMA, MASAHIKO
IPC分类号： B08B5/00 , B08B11/00 , H01L21/673 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67393 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/67017 , H01L21/67772 , H01L21/67775
摘要：本發明揭露一種可為沒有一氣體清潔功能之一習知負載埠提供該氣體清潔功能的清潔模組，及具有該清潔模組之負載埠。該清潔模組包含一夾具、一氣體控制箱及多數管。該夾具可分離地附接在一負載埠一平台的一上側。該夾具包含用以為一晶圓載具提供氣體之一氣體入口及用以由該晶圓載具接收氣體之一氣體出口。該氣體控制箱可分離地附接在該負載埠上以控制氣體流動。該等管連接該夾具及該氣體控制箱。
简体摘要：本发明揭露一种可为没有一气体清洁功能之一习知负载端口提供该气体清洁功能的清洁模块，及具有该清洁模块之负载端口。该清洁模块包含一夹具、一气体控制箱及多数管。该夹具可分离地附接在一负载端口一平台的一上侧。该夹具包含用以为一晶圆载具提供气体之一气体入口及用以由该晶圆载具接收气体之一气体出口。该气体控制箱可分离地附接在该负载端口上以控制气体流动。该等管连接该夹具及该气体控制箱。

28. 发明专利

TW201620143A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201620143A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW105104931
申请日：2011-11-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02 , H01L21/02112 , H01L21/02403 , H01L21/28 , H01L21/425 , H01L21/477 , H01L29/42384 , H01L29/518 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要：一種半導體裝置，使用將氧化物半導體包括在通道區域中且較不可能由於短通道效應而在電特徵中導致變異的電晶體製造。該半導體裝置包括氧化物半導體膜，具有包括氮的一對氮氧化物半導體區域及夾於該對氮氧化物半導體區域之間的氧化物半導體區域、閘極絕緣膜、以及閘極電極，以該閘極絕緣膜置於其間的方式設置在該氧化物半導體區域上方。在本文中，該對氮氧化物半導體區域係作為該電晶體的源極區域及汲極區域使用，且該氧化物半導體區域係作為該電晶體的通道區域使用。
简体摘要：一种半导体设备，使用将氧化物半导体包括在信道区域中且较不可能由于短信道效应而在电特征中导致变异的晶体管制造。该半导体设备包括氧化物半导体膜，具有包括氮的一对氮氧化物半导体区域及夹于该对氮氧化物半导体区域之间的氧化物半导体区域、闸极绝缘膜、以及闸极电极，以该闸极绝缘膜置于其间的方式设置在该氧化物半导体区域上方。在本文中，该对氮氧化物半导体区域系作为该晶体管的源极区域及汲极区域使用，且该氧化物半导体区域系作为该晶体管的信道区域使用。

29. 发明专利

TW201614846A 用於非平面電晶體之源極／汲極接點（二）审中-公开
简体标题：用于非平面晶体管之源极／汲极接点（二）
公开(公告)号：TW201614846A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104131438
申请日：2012-09-27
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：普拉德漢山米爾S , PRADHAN, SAMEER S. , 喬斯沙布哈許M , JOSHI, SUBHASH M. , 秦金宋 , CHUN, JIN-SUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/02 , H01L21/02532 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/32053 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76897 , H01L23/48 , H01L29/16 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66666 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/7851 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本文揭示係有關於具有非平面電晶體的微電子裝置之製造領域。本文說明之實施例係有關於在非平面電晶體內部之源極/汲極接點的形成，其中含鈦接點界面可用於具有在該含鈦介面與一含矽源極/汲極結構間形成的矽化鈦之一源極/汲極接點的形成。
简体摘要：本文揭示系有关于具有非平面晶体管的微电子设备之制造领域。本文说明之实施例系有关于在非平面晶体管内部之源极/汲极接点的形成，其中含钛接点界面可用于具有在该含钛界面与一含硅源极/汲极结构间形成的硅化钛之一源极/汲极接点的形成。

30. 发明专利

TW201611088A 基板處理裝置用之排程製作方法以及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备用之调度制作方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TW201611088A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104119951
申请日：2015-06-22
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：山中智史 , YAMANAKA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/02 , G05B19/418 , H01L21/304
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B19/4188 , G05B2219/00 , G05B2219/45031 , H01H43/04 , H01H43/16 , H01L21/02 , H01L21/02008 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , Y02P90/20
摘要：本發明之基板處理方法係由設置於具有用以逐片處理基板之至少一個葉片式的處理單元以及用以控制前述處理單元之控制部的基板處理裝置中的排程作成部作成用以隨著時間系列來規定前述基板處理裝置的動作之排程；該基板處理方法係包含有：排程作成步驟，係隨著時間系列配置用以規定針對各基板之前述基板處理裝置的動作的內容之複數個區塊，藉此作成該基板的排程；前述排程作成步驟係包含有：高負載迴避配置步驟，係針對複數片基板的排程的作成，以屬於產生高控制負載的時間帶之高負載時間帶不會集中於該控制部之方式將與高負載動作對應的區塊配置在時間軸上，該高負載動作係使前述控制部至少暫時性地產生高控制負載之動作。
简体摘要：本发明之基板处理方法系由设置于具有用以逐片处理基板之至少一个叶片式的处理单元以及用以控制前述处理单元之控制部的基板处理设备中的调度作成部作成用以随着时间系列来规定前述基板处理设备的动作之调度；该基板处理方法系包含有：调度作成步骤，系随着时间系列配置用以规定针对各基板之前述基板处理设备的动作的内容之复数个区块，借此作成该基板的调度；前述调度作成步骤系包含有：高负载回避配置步骤，系针对复数片基板的调度的作成，以属于产生高控制负载的时间带之高负载时间带不会集中于该控制部之方式将与高负载动作对应的区块配置在时间轴上，该高负载动作系使前述控制部至少暂时性地产生高控制负载之动作。

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