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1. 发明专利

TW200818378A 基板傳輸設備、和使用該設備的高速基板處理系統 SUBSTRATE TRANSFERRING APPARATUS AND HIGH SPEED SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM USING THE SAME 审中-公开
简体标题：基板传输设备、和使用该设备的高速基板处理系统 SUBSTRATE TRANSFERRING APPARATUS AND HIGH SPEED SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM USING THE SAME
公开(公告)号：TW200818378A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096115374
申请日：2007-04-30
申请人：新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：魏淳任 WI, SOON-IM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67742 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L21/68707 , Y10S414/139 , Y10S414/141 , Y10S901/30
摘要：提供一種基板傳輸設備和使用該設備的基板處理系統,其用於連續地將複數基板裝載在處理室內/從處理室卸載,以減少傳輸基板所花的時間並改善生產力。基板處理設備設置在傳輸室內,且在第一和第二處理室之間傳輸基板,其位在傳輸室和裝載鎖定室的橫側面。該基板的設備包含:一驅動單元,以供給旋轉力;一主軸,連接至該驅動單元;複數第一迴轉板臂,以裝載該等基板至該第一處理室/從該第一處理室卸載該等基板;和複數第二迴轉板臂,以裝載該等基板至該第二處理室/從該第二處理室卸載該等基板。因為在同時且連續處理複數基板的期間,快速地交換處理前的基板和已處理過的基板,所以可增加處理速率和整體的生產力。
简体摘要：提供一种基板传输设备和使用该设备的基板处理系统,其用于连续地将复数基板装载在处理室内/从处理室卸载,以减少传输基板所花的时间并改善生产力。基板处理设备设置在传输室内,且在第一和第二处理室之间传输基板,其位在传输室和装载锁定室的横侧面。该基板的设备包含:一驱动单元,以供给旋转力;一主轴,连接至该驱动单元;复数第一掉头板臂,以装载该等基板至该第一处理室/从该第一处理室卸载该等基板;和复数第二掉头板臂,以装载该等基板至该第二处理室/从该第二处理室卸载该等基板。因为在同时且连续处理复数基板的期间,快速地交换处理前的基板和已处理过的基板,所以可增加处理速率和整体的生产力。

2. 发明专利

TW200640295A 多燈之驅動系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR DRIVING A MULTI-LAMP 失效
简体标题：多灯之驱动系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR DRIVING A MULTI-LAMP
公开(公告)号：TW200640295A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095102892
申请日：2006-01-25
申请人：新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：魏淳任 WI, SOON-IM , 崔相敦 CHOI, SANG-DON
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H05B41/2822
摘要：一種多燈之驅動系統，尤指一種用以驅動多個放電燈之並聯配置的多燈之驅動系統及多個放電燈之驅動方法及其方法。此多燈之驅動系統包括：一電源變壓器，用以當從交流電源供應源接收到交流電源時，產生正電壓和負電壓；以及一電流均衡分配器，係供應有從電源變壓器所產生的正電壓，以將所供應之正電壓分割成多個預定電壓，且為了分配電流的量，將所分割的預定電壓分別供應至一燈陣列中之多個放電燈之相對應的電極，以使輸入至各個放電燈中的分配電流可以保持而使得彼此互相均衡，其中，負電壓被共同施加於該等放電燈的第二電極。
简体摘要：一种多灯之驱动系统，尤指一种用以驱动多个放电灯之并联配置的多灯之驱动系统及多个放电灯之驱动方法及其方法。此多灯之驱动系统包括：一电源变压器，用以当从交流电源供应源接收到交流电源时，产生正电压和负电压；以及一电流均衡分配器，系供应有从电源变压器所产生的正电压，以将所供应之正电压分割成多个预定电压，且为了分配电流的量，将所分割的预定电压分别供应至一灯数组中之多个放电灯之相对应的电极，以使输入至各个放电灯中的分配电流可以保持而使得彼此互相均衡，其中，负电压被共同施加于该等放电灯的第二电极。

3. 发明专利

TWI505319B 電漿室中之電弧的偵測方法及裝置有权
简体标题：等离子室中之电弧的侦测方法及设备
公开(公告)号：TWI505319B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102106709
申请日：2013-02-26
申请人：新動力電漿股份有限公司 , NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔相敦 , CHOI, SANG-DON
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： G01R31/245 , G01R19/0061 , G01R27/08 , H01J37/32082 , H01J37/32944 , H05H1/0081 , H05H1/46

4. 发明专利

TW201526715A 電漿反應器及使用彼之電漿點火方法审中-公开
简体标题：等离子反应器及使用彼之等离子点火方法
公开(公告)号：TW201526715A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103128737
申请日：2014-08-19
申请人：新動力電漿股份有限公司 , NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔相敦 , CHOI, SANG-DON
IPC分类号： H05H1/46
摘要：揭示一種電漿反應器和使用彼之電漿點火方法。所揭示之電漿反應器包括至少一個具有變壓器一次繞組繞在其上之磁心、用於將AC電力供應至繞在該磁心上之該變壓器一次繞組的AC電源、至少一個電漿室體，磁心係安裝於此，以透過該磁心在電漿室體中直接誘發電壓，從而在電漿室體中誘發感應電動勢，及至少一個經由絕緣區連接至該電漿室體之浮室，該來自電漿室體之感應電動勢被間接傳送至該浮室。電漿之點火係根據該電漿室體和該浮室之間所產生的電壓差而產生，且經點火的電漿係供應至處理室。
简体摘要：揭示一种等离子反应器和使用彼之等离子点火方法。所揭示之等离子反应器包括至少一个具有变压器一次绕组绕在其上之磁心、用于将AC电力供应至绕在该磁心上之该变压器一次绕组的AC电源、至少一个等离子室体，磁心系安装于此，以透过该磁心在等离子室体中直接诱发电压，从而在等离子室体中诱发感应电动势，及至少一个经由绝缘区连接至该等离子室体之浮室，该来自等离子室体之感应电动势被间接发送至该浮室。等离子之点火系根据该等离子室体和该浮室之间所产生的电压差而产生，且经点火的等离子系供应至处理室。

5. 发明专利

TWI390578B 具有放電感應電橋的電漿源及使用該電漿源的電漿處理系統失效
简体标题：具有放电感应电桥的等离子源及使用该等离子源的等离子处理系统
公开(公告)号：TWI390578B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095118290
申请日：2006-05-23
申请人：新動力電漿股份有限公司 , NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔大圭 , CHOI, DAE-KYU , 魏淳任 , WI, SOON-IM
IPC分类号： H01J37/02
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32009

6. 发明专利

TW200812444A 化合物電漿來源及利用該來源以解離氣體的方法 COMPOUND PLASMA SOURCE AND METHOD FOR DISSOCIATING GASES USING THE SAME 失效
简体标题：化合物等离子来源及利用该来源以解离气体的方法 COMPOUND PLASMA SOURCE AND METHOD FOR DISSOCIATING GASES USING THE SAME
公开(公告)号：TW200812444A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096112804
申请日：2007-04-11
申请人：新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔大圭 CHOI, DAE-KYU , 魏淳任 WI, SOON-IM
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32357
摘要：本發明揭示一化合物電漿來源。該化合物電漿來源包含一變壓器,以產生電感耦合電漿;及第一與第二電容耦接電極,以產生電容耦合電漿。該變壓器包含一被局部地定位在電漿放電室中之磁芯,及一纏繞著該磁芯且連接至第一電源之原繞組。該第一電容耦接電極具有一本體,以形成該電漿放電室。定位在該電漿放電室中之磁芯係藉著一磁芯保護管所保護。該第二電容耦接電極係安裝在該磁芯保護管中。該第二電容耦接電極係連接至第二電源。當該第一及第二電源開始供給電力時,產生一環形之第一磁場及一徑向形狀之第二磁場,俾能以複合之方式在該電漿放電室中產生該電感耦合電漿與該電容耦合電漿。
简体摘要：本发明揭示一化合物等离子来源。该化合物等离子来源包含一变压器,以产生电感耦合等离子;及第一与第二电容耦接电极,以产生电容耦合等离子。该变压器包含一被局部地定位在等离子放电室中之磁芯,及一缠绕着该磁芯且连接至第一电源之原绕组。该第一电容耦接电极具有一本体,以形成该等离子放电室。定位在该等离子放电室中之磁芯系借着一磁芯保护管所保护。该第二电容耦接电极系安装在该磁芯保护管中。该第二电容耦接电极系连接至第二电源。当该第一及第二电源开始供给电力时,产生一环形之第一磁场及一径向形状之第二磁场,俾能以复合之方式在该等离子放电室中产生该电感耦合等离子与该电容耦合等离子。

7. 发明专利

TWI608558B 一種石墨絲太陽電池、用於製作其之直熱式等離子體處理裝置、製作系統及其製作方法有权
简体标题：一种石墨丝太阳电池、用于制作其之直热式等离子体处理设备、制作系统及其制作方法
公开(公告)号：TWI608558B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW104132164
申请日：2015-09-30
申请人：新動力電漿股份有限公司 , NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔大圭 , CHOI, DAE-KYU , 李東源 , LEE, DONG WON , 李楨彬 , LEE, JEONG BIN , 鄭鍾宇 , CHUNG, JONG WOO , 金龍洙 , KIM, YONG SOO , 崔鎔在 , CHOI, YOUNG JAE , 金賢鍾 , KIM, HYUN JONG , 張炳烈 , JANG, BYOUNG YEOUL
IPC分类号： H01L21/67 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/20 , C01B32/20
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/04 , H01L31/18 , Y02E10/50

8. 发明专利

TW201709380A 一種石墨烯太陽電池、用於製作其之直熱式等離子體處理裝置、製作系統及其製作方法审中-公开
简体标题：一种石墨烯太阳电池、用于制作其之直热式等离子体处理设备、制作系统及其制作方法
公开(公告)号：TW201709380A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104132164
申请日：2015-09-30
申请人：新動力電漿股份有限公司 , NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔大圭 , CHOI, DAE-KYU , 李東源 , LEE, DONG WON , 李楨彬 , LEE, JEONG BIN , 鄭鍾宇 , CHUNG, JONG WOO , 金龍洙 , KIM, YONG SOO , 崔鎔在 , CHOI, YOUNG JAE , 金賢鍾 , KIM, HYUN JONG , 張炳烈 , JANG, BYOUNG YEOUL
IPC分类号： H01L21/67 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/20 , C01B31/04
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/04 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：本發明係有關於一種石墨烯太陽電池、用於製作其之直熱式等離子體處理裝置，製作系統及其製作方法。依本發明之石墨烯太陽電池製作系統，包括：一佈置模塊，其用於佈置至少一個石墨烯；一直熱式等離子體處理模塊，其為了在該石墨烯表面形成第一及第二半導體層，而對該石墨烯進行直接加熱；一抗反射膜形成模塊，其用於在被直接加熱之該石墨烯上形成抗反射膜及一第二金屬層形成模塊，其用於在已設有抗反射膜之該石墨烯上形成第二金屬層。依利用本發明直熱式等離子體處理裝置之太陽電池製作系統，可直接加熱待測物而產生等離子體，從而在待測物表面穩定迅速蒸鍍矽。且對碳纖維或石墨烯進行直接加熱並蒸鍍矽，而節儉製作成本且製作簡易，且可生產利用碳纖維或石墨烯之太陽電池。且提供一種太陽電池，由於其使用耐熱石墨烯，因此在極限溫度下亦可使用。
简体摘要：本发明系有关于一种石墨烯太阳电池、用于制作其之直热式等离子体处理设备，制作系统及其制作方法。依本发明之石墨烯太阳电池制作系统，包括：一布置模块，其用于布置至少一个石墨烯；一直热式等离子体处理模块，其为了在该石墨烯表面形成第一及第二半导体层，而对该石墨烯进行直接加热；一抗反射膜形成模块，其用于在被直接加热之该石墨烯上形成抗反射膜及一第二金属层形成模块，其用于在已设有抗反射膜之该石墨烯上形成第二金属层。依利用本发明直热式等离子体处理设备之太阳电池制作系统，可直接加热待测物而产生等离子体，从而在待测物表面稳定迅速蒸镀硅。且对碳纤维或石墨烯进行直接加热并蒸镀硅，而节俭制作成本且制作简易，且可生产利用碳纤维或石墨烯之太阳电池。且提供一种太阳电池，由于其使用耐热石墨烯，因此在极限温度下亦可使用。

9. 发明专利

TWI517765B 具內部變壓器之電漿反應器有权
简体标题：具内部变压器之等离子反应器
公开(公告)号：TWI517765B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW097118919
申请日：2008-05-22
申请人：新動力電漿股份有限公司 , NEW POWER PLASMA CO., LTD.
发明人：崔大圭 , CHOI, DAE-KYU
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46

10. 发明专利

TW200904265A 用於產生氣體電漿之方法與裝置、用於產生電漿之氣體組成物以及使用氣體組成物來製造半導體元件之方法(二) METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING GAS PLASMA, GAS COMPOSITION FOR GENERATING PLASMA AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：用于产生气体等离子之方法与设备、用于产生等离子之气体组成物以及使用气体组成物来制造半导体组件之方法(二) METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING GAS PLASMA, GAS COMPOSITION FOR GENERATING PLASMA AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200904265A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097132168
申请日：2003-02-13
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , 新動力電漿股份有限公司 NEW POWER PLASMA CO., LTD
发明人：閔泳敏 YOUNG-MIN MIN , 崔大圭 DAE-KYU CHOI , 道仁 DO-IN BAE , 楊潤植 YUN-SIK YANG , 黃完九 WAN-GOO HWANG , 金鎮滿 JIN-MAN KIM
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/321 , H01J37/32357 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要：一種用於產生電漿的方法與裝置,和一種用於使用該電漿製造半導體元件的方法與裝置。一氣體沿著與該主要磁場的磁力線具相同位移量之流動路徑而流動,同時高頻交流電被施加至該氣體,從而產生一氣體電漿。將該氣體電漿饋入一加工腔體內,以進行用於製造半導體元件的程序。
简体摘要：一种用于产生等离子的方法与设备,和一种用于使用该等离子制造半导体组件的方法与设备。一气体沿着与该主要磁场的磁力线具相同位移量之流动路径而流动,同时高频交流电被施加至该气体,从而产生一气体等离子。将该气体等离子馈入一加工腔体内,以进行用于制造半导体组件的进程。

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