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1. 发明专利

TWI614828B 半導體處理裝置及方法有权
简体标题：半导体处理设备及方法
公开(公告)号：TWI614828B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105125388
申请日：2016-08-10
申请人：無錫華瑛微電子技術有限公司 , WUXI HUAYING MICROELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：溫子瑛 , WEN, SOPHIA , 王致凱 , WANG, ZHIKAI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67

2. 发明专利

TWI613836B 紫外線發光裝置及其製造方法有权
简体标题：紫外线发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI613836B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105135399
申请日：2016-11-02
申请人：首爾偉傲世有限公司 , SEOUL VIOSYS CO., LTD.
发明人：張成逵 , JANG, SEONG KYU , 李圭浩 , LEE, KYU HO , 尹餘鎭 , YOON, YEO JIN , 印致賢 , IN, CHI HYUN , 蔡鐘炫 , CHAE, JONG HYEON , 趙弘錫 , CHO, HONG SUK
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/76 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/19107

3. 发明专利

TW201804510A 複合晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：复合晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW201804510A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106114122
申请日：2017-04-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 加藤公二 , KATO, KOJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02 , H03H3/08
摘要：本發明之課題為，提供於熱膨脹係數低的支撐基板上層合有熱膨脹係數高的鉭酸鋰膜之複合晶圓中，可減低因所射入的訊號在鉭酸鋰膜與支撐基板之接合界面反射所產生的寄生訊號之複合晶圓之製造方法。本發明之解決手段為，於藉由將熱膨脹係數為高的鉭酸鋰晶圓與熱膨脹係數為小的支撐晶圓貼合而製造複合晶圓的複合晶圓之製造方法中，在貼合之前，先藉由從鉭酸鋰晶圓及/或支撐晶圓的貼合面注入離子，而擾亂各個貼合面附近之結晶性。
简体摘要：本发明之课题为，提供于热膨胀系数低的支撑基板上层合有热膨胀系数高的钽酸锂膜之复合晶圆中，可减低因所射入的信号在钽酸锂膜与支撑基板之接合界面反射所产生的寄生信号之复合晶圆之制造方法。本发明之解决手段为，于借由将热膨胀系数为高的钽酸锂晶圆与热膨胀系数为小的支撑晶圆贴合而制造复合晶圆的复合晶圆之制造方法中，在贴合之前，先借由从钽酸锂晶圆及/或支撑晶圆的贴合面注入离子，而扰乱各个贴合面附近之结晶性。

4. 发明专利

TW201801136A 基板貼合裝置及基板貼合方法审中-公开
简体标题：基板贴合设备及基板贴合方法
公开(公告)号：TW201801136A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106109907
申请日：2017-03-24
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：菅谷功 , SUGAYA, ISAO , 福田稔 , FUKUDA, MINORU
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02
摘要：本發明之基板貼合裝置係使第一基板表面之一部分與第二基板表面之一部分彼此在產生溫度差的狀態下接觸，在一部分形成接觸區域後使接觸區域擴大來貼合第一基板及第二基板，並在第一基板及第二基板間之位置偏差超過貼合後之位置偏差的臨限值之前開始擴大接觸區域。
简体摘要：本发明之基板贴合设备系使第一基板表面之一部分与第二基板表面之一部分彼此在产生温度差的状态下接触，在一部分形成接触区域后使接触区域扩大来贴合第一基板及第二基板，并在第一基板及第二基板间之位置偏差超过贴合后之位置偏差的临限值之前开始扩大接触区域。

5. 发明专利

TW201743367A 貼合式晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201743367A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106114824
申请日：2017-05-04
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 阿賀浩司 , AGA, HIROJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
摘要：本發明的目的在於提供一種貼合式晶圓的製造方法，其中，使接合晶圓與基底晶圓貼合後，直到進行剝離熱處理為止，以晶圓之間的貼合界面藉由水分子作用而結合的狀態，將接合晶圓與基底晶圓於室溫下保持12小時以上，剝離熱處理為於爐內溫度設定為400℃以上500℃以下的固定溫度的熱處理爐內將接合晶圓與基底晶圓以不進行升溫步驟而直接投入，又自以固定溫度熱處理，或自該固定溫度升溫至+50℃以內的指定溫度後以該指定溫度熱處理。藉此，能夠減低SOI晶圓的剝離後的剝離面的粗糙，以較低溫度的平滑化熱處理而使最終的貼合式晶圓表面的表面粗糙降低。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种贴合式晶圆的制造方法，其中，使接合晶圆与基底晶圆贴合后，直到进行剥离热处理为止，以晶圆之间的贴合界面借由水分子作用而结合的状态，将接合晶圆与基底晶圆于室温下保持12小时以上，剥离热处理为于炉内温度设置为400℃以上500℃以下的固定温度的热处理炉内将接合晶圆与基底晶圆以不进行升温步骤而直接投入，又自以固定温度热处理，或自该固定温度升温至+50℃以内的指定温度后以该指定温度热处理。借此，能够减低SOI晶圆的剥离后的剥离面的粗糙，以较低温度的平滑化热处理而使最终的贴合式晶圆表面的表面粗糙降低。

6. 发明专利

TWI606504B 半導體處理裝置、其處理方法及表面檢測方法有权
简体标题：半导体处理设备、其处理方法及表面检测方法
公开(公告)号：TWI606504B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105129679
申请日：2016-09-13
申请人：無錫華瑛微電子技術有限公司 , WUXI HUAYING MICROELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：溫子瑛 , WEN, SOPHIA , 王致凱 , WANG, ZHIKAI
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67

7. 发明专利

TW201739054A 用於非平面電晶體之源極／汲極接點（三）审中-公开
简体标题：用于非平面晶体管之源极／汲极接点（三）
公开(公告)号：TW201739054A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106117658
申请日：2012-09-27
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：普拉德漢山米爾S , PRADHAN, SAMEER S. , 喬斯沙布哈許M , JOSHI, SUBHASH M. , 秦金宋 , CHUN, JIN-SUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/02 , H01L21/02532 , H01L21/283 , H01L21/28518 , H01L21/32053 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76897 , H01L23/48 , H01L29/16 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66666 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/7851 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本文揭示係有關於具有非平面電晶體的微電子裝置之製造領域。本文說明之實施例係有關於在非平面電晶體內部之源極/汲極接點的形成，其中含鈦接點界面可用於具有在該含鈦界面與一含矽源極/汲極結構間形成的矽化鈦之一源極/汲極接點的形成。
简体摘要：本文揭示系有关于具有非平面晶体管的微电子设备之制造领域。本文说明之实施例系有关于在非平面晶体管内部之源极/汲极接点的形成，其中含钛接点界面可用于具有在该含钛界面与一含硅源极/汲极结构间形成的硅化钛之一源极/汲极接点的形成。

8. 发明专利

TW201738988A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201738988A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106109131
申请日：2017-03-20
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田鎖學 , TAKUSARI, MANABU , 村元僚 , MURAMOTO, RYO
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/677
摘要：本發明之基板處理裝置係將具有由外壁所包圍之內部區域，其內部區域藉由第1隔壁區劃為第1及第2基板搬送區域。基板處理裝置具備：第1及第2基板搬送機器人，係分別配置於上述第1及第2基板搬送區域；處理單元，係與上述第2基板搬送區域鄰接設置；控制部，係控制上述第1及第2基板搬送機器人的動作；選擇性電源開啟手段，係在關閉上述第1基板搬送機器人之電源之下，選擇性地開啟上述第2基板搬送機器人之電源；控制器，係將調整上述第2基板搬送機器人之動作的調整信號輸入至上述控制部；與聯鎖手段，係依各區域個別地檢測對上述第1及第2基板搬送區域之人的進入，並將對應區域之基板搬送機器人之電源關閉。
简体摘要：本发明之基板处理设备系将具有由外壁所包围之内部区域，其内部区域借由第1隔壁区划为第1及第2基板搬送区域。基板处理设备具备：第1及第2基板搬送机器人，系分别配置于上述第1及第2基板搬送区域；处理单元，系与上述第2基板搬送区域邻接设置；控制部，系控制上述第1及第2基板搬送机器人的动作；选择性电源打开手段，系在关闭上述第1基板搬送机器人之电源之下，选择性地打开上述第2基板搬送机器人之电源；控制器，系将调整上述第2基板搬送机器人之动作的调整信号输入至上述控制部；与联锁手段，系依各区域个别地检测对上述第1及第2基板搬送区域之人的进入，并将对应区域之基板搬送机器人之电源关闭。

9. 发明专利

TW201737388A 圓板狀加熱器及加熱器冷卻板總成审中-公开
简体标题：圆板状加热器及加热器冷却板总成
公开(公告)号：TW201737388A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105143304
申请日：2016-12-27
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：竹林央史 , 鳥居謙悟
IPC分类号： H01L21/67 , H05B3/03 , H05B3/12 , H05B3/74
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H05B3/08 , H05B3/283
摘要：靜電夾具加熱器10係將複數個發熱體20埋設於圓板狀之陶瓷基體30。靜電夾具加熱器10係將是晶圓載置面的上面12劃分成多個區域，在各區域，將包括端子22、24之發熱體20埋設於陶瓷基體30。在靜電夾具加熱器10的下面14，包括個數(此處為8個)比發熱體20之總數少的端子集中區域16。全部之發熱體20的端子22、24係通過陶瓷基體30的內部後被配線於任一個端子集中區域16。
简体摘要：静电夹具加热器10系将复数个发热体20埋设于圆板状之陶瓷基体30。静电夹具加热器10系将是晶圆载置面的上面12划分成多个区域，在各区域，将包括端子22、24之发热体20埋设于陶瓷基体30。在静电夹具加热器10的下面14，包括个数(此处为8个)比发热体20之总数少的端子集中区域16。全部之发热体20的端子22、24系通过陶瓷基体30的内部后被配线于任一个端子集中区域16。

10. 发明专利

TWI600479B 超音波及百萬赫超音波清洗裝置有权
简体标题：超音波及百万赫超音波清洗设备
公开(公告)号：TWI600479B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106100825
申请日：2017-01-11
申请人：北京七星華創電子股份有限公司 , BEIJING SEVENSTAR ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：滕宇 , TENG, YU , 吳儀 , WU, YI
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02
CPC分类号： B08B3/12 , B08B3/02 , B08B3/08 , H01L21/02 , H01L21/02057 , H01L21/67023 , H01L21/67051

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