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1. 发明专利

TWI693296B 原子層成長裝置有权
简体标题：原子层成长设备
公开(公告)号：TWI693296B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105113804
申请日：2016-05-04
申请人：日商日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：松本竜弥 , MATSUMOTO, TATSUYA , 鷲尾圭亮 , WASHIO, KEISUKE
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/31

2. 发明专利

TW201834507A 顯示裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201834507A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140313
申请日：2017-11-21
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鷲尾圭亮 , WASHIO, KEISUKE , 松本竜弥 , MATSUMOTO, TATSUYA , 海老沢孝 , EBISAWA, TAKASHI , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI
IPC分类号： H05B33/14 , C23C16/00 , H01L21/316 , H01L51/50
摘要：本發明之課題係使顯示裝置之保護膜的信賴性提升。本發明之解決手段係一種具有有機電致發光(electroluminescence, EL)元件的顯示裝置之製造方法，其包含：於由撓性基板而成的基板11上形成有機EL元件的步驟；以覆蓋有機EL元件的方式，使用原子層堆積 (Atomic Layer Deposition, ALD)法形成由無機絕緣材料而成的保護膜16的步驟。於形成保護膜16的步驟，藉由交互地進行使用ALD法形成高密度層16H的步驟、及與高密度層16H構成元素相同且使用ALD法形成較高密度層16H的密度低之低密度層16L的步驟，而形成保護膜16。保護膜16係由一層以上之高密度層16H與一層以上之低密度層16L而成，且具有低密度層16L與高密度層16H彼此鄰接的方式交互地積層的積層構造。
简体摘要：本发明之课题系使显示设备之保护膜的信赖性提升。本发明之解决手段系一种具有有机电致发光(electroluminescence, EL)组件的显示设备之制造方法，其包含：于由挠性基板而成的基板11上形成有机EL组件的步骤；以覆盖有机EL组件的方式，使用原子层堆积 (Atomic Layer Deposition, ALD)法形成由无机绝缘材料而成的保护膜16的步骤。于形成保护膜16的步骤，借由交互地进行使用ALD法形成高密度层16H的步骤、及与高密度层16H构成元素相同且使用ALD法形成较高密度层16H的密度低之低密度层16L的步骤，而形成保护膜16。保护膜16系由一层以上之高密度层16H与一层以上之低密度层16L而成，且具有低密度层16L与高密度层16H彼此邻接的方式交互地积层的积层构造。

3. 发明专利

TW201825218A 雷射照射裝置、半導體裝置的製造方法以及雷射照射裝置的動作方法审中-公开
简体标题：激光照射设备、半导体设备的制造方法以及激光照射设备的动作方法
公开(公告)号：TW201825218A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106120721
申请日：2017-06-21
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：清水良 , SHIMIZU, RYO , 佐藤亮介 , SATO, RYOSUKE , 下地輝昭 , SHIMOJI, TERUAKI
IPC分类号： B23K26/062 , B23K26/352 , H01L21/324
摘要：一個實施形態的雷射退火裝置(1)係具有：雷射振盪器(4)，產生雷射光(L)；上浮式運送平台(3)，用以使雷射光(L)所照射的工件(W)上浮且運送；以及光束分析儀(7)，用以測定雷射光(L)的光束分布。上浮式運送平台(3)係具有：與工件(W)對向的運送面(3a)；以及與運送面(3a)相反側的下表面(3b)。光束分析儀(7)係位於上浮式運送平台(3)之下表面(3b)的下方。於上浮式運送平台(3)的一部分具有能夠拆卸的裝卸部(12)。藉由將裝卸部(12)從上浮式運送平台(3)拆卸，能夠設置從運送面(3a)到達下表面(3b)的開口部(S)。藉由光束分析儀(7)能夠透過開口部(S)測定雷射光(L)的光束分布。
简体摘要：一个实施形态的激光退火设备(1)系具有：激光振荡器(4)，产生激光光(L)；上浮式运送平台(3)，用以使激光光(L)所照射的工件(W)上浮且运送；以及光束分析仪(7)，用以测定激光光(L)的光束分布。上浮式运送平台(3)系具有：与工件(W)对向的运送面(3a)；以及与运送面(3a)相反侧的下表面(3b)。光束分析仪(7)系位于上浮式运送平台(3)之下表面(3b)的下方。于上浮式运送平台(3)的一部分具有能够拆卸的装卸部(12)。借由将装卸部(12)从上浮式运送平台(3)拆卸，能够设置从运送面(3a)到达下表面(3b)的开口部(S)。借由光束分析仪(7)能够透过开口部(S)测定激光光(L)的光束分布。

4. 发明专利

TWI605493B 雷射回火方法以及雷射回火裝置有权
简体标题：激光回火方法以及激光回火设备
公开(公告)号：TWI605493B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102140959
申请日：2013-11-12
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/02686 , H01L21/268

5. 发明专利

TW201641739A 原子層成長裝置以及原子層成長裝置排氣部审中-公开
简体标题：原子层成长设备以及原子层成长设备排气部
公开(公告)号：TW201641739A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105113802
申请日：2016-05-04
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：松本竜弥 , MATSUMOTO, TATSUYA , 鷲尾圭亮 , WASHIO, KEISUKE
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45502 , C23C16/45536 , H01L21/31
摘要：本發明阻止原子層成長裝置中的附膜，提高維護性。本發明包括：筒狀的排氣配管連接部，安裝於成膜容器中所設的排氣用開口部的外側，外周面具有超過開口部的大小，且排氣路徑位於筒孔側；以及筒狀的排氣防附材，位於成膜容器內側，插入安裝至開口部，且排氣路徑位於筒孔側，在排氣配管連接部設有連接部惰性氣體供給路徑與連接部惰性氣體供給口，所述連接部惰性氣體供給路徑是與排氣路徑劃分開來，供惰性氣體流動，所述連接部惰性氣體供給口設置於連接部惰性氣體供給路徑中，供惰性氣體流出至開口部側，在排氣防附材設有防附材惰性氣體供給路徑與防附材惰性氣體排出口，所述防附材惰性氣體供給路徑是與排氣路徑劃分開來，由開口部內周面及開口部周圍的成膜容器內壁與防附材之間的間隙所形成，且連通於連接部惰性氣體供給口，所述防附材惰性氣體排出口設置於防附材惰性氣體供給路徑中，供惰性氣體流出至成膜容器內部。
简体摘要：本发明阻止原子层成长设备中的附膜，提高维护性。本发明包括：筒状的排气配管连接部，安装于成膜容器中所设的排气用开口部的外侧，外周面具有超过开口部的大小，且排气路径位于筒孔侧；以及筒状的排气防附材，位于成膜容器内侧，插入安装至开口部，且排气路径位于筒孔侧，在排气配管连接部设有连接部惰性气体供给路径与连接部惰性气体供给口，所述连接部惰性气体供给路径是与排气路径划分开来，供惰性气体流动，所述连接部惰性气体供给口设置于连接部惰性气体供给路径中，供惰性气体流出至开口部侧，在排气防附材设有防附材惰性气体供给路径与防附材惰性气体排出口，所述防附材惰性气体供给路径是与排气路径划分开来，由开口部内周面及开口部周围的成膜容器内壁与防附材之间的间隙所形成，且连通于连接部惰性气体供给口，所述防附材惰性气体排出口设置于防附材惰性气体供给路径中，供惰性气体流出至成膜容器内部。

6. 发明专利

TWI508842B 薄壁成形品之成形方法有权
公开(公告)号：TWI508842B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101121274
申请日：2012-06-14
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：兒玉浩一 , KODAMA, KOICHI , 澤田靖彥 , SAWADA, YASUHIKO , 須佐圭吳 , SUSA, KEIGO
IPC分类号： B29C45/60 , B29C45/72 , B29L7/00 , B29L11/00

7. 发明专利

TWI449908B 氫殘量感測器有权
简体标题：氢残量传感器
公开(公告)号：TWI449908B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW097102778
申请日：2008-01-25
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：藤田泰宏 , YASUHIRO FUJITA , 河原崎芳德 , YOSHINORI KAWAHARAZAKI , 大脇康志 , YASUSHI OWAKI , 林義彥 , YOSHIHIKO HAYASHI , 岩本隆志 , TAKASHI IWAMOTO
IPC分类号： G01N33/20 , C01B3/00 , C22C33/04
CPC分类号： G01N33/005 , Y02E60/324

8. 发明专利

TWI443010B 擠壓成形用模具及模具流路決定方法有权
简体标题：挤压成形用模具及模具流路决定方法
公开(公告)号：TWI443010B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW098125655
申请日：2009-07-30
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：富山秀樹 , TOMIYAMA, HIDEKI , 岩村真 , IWAMURA, MAKOTO , 內海真一 , UCHIUMI, SHINICHI , 鹽谷智朗 , SHIOTANI, TOMOAKI
IPC分类号： B29C47/14 , B29L7/00

9. 发明专利

TW201421548A 結晶質半導體的製造方法及結晶質半導體的製造裝置审中-公开
简体标题：结晶质半导体的制造方法及结晶质半导体的制造设备
公开(公告)号：TW201421548A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102135936
申请日：2013-10-04
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02532 , B23K26/0622 , H01L21/02686 , H01L21/268
摘要：本發明提供可將非晶質半導體更均勻地結晶化的結晶質半導體的製造方法以及結晶質半導體的製造裝置。本發明的結晶質半導體的製造裝置包括：多個脈衝雷射光源2、脈衝雷射光源3，及將多個脈衝雷射光導引至非晶質半導體的光學系統12，各脈衝雷射光在時間性強度變化中的1脈衝中至少具有第1個波峰群、及之後出現的第2個波峰群，且第1個波峰群中的最大波峰強度為1脈衝中的最大高度，將第1個波峰群的最大波峰強度a與第2個波峰群的最大波峰強度b之比b/a設為最大波峰強度比，將成為基準的最大波峰強度比設為基準最大波峰強度比，使多個脈衝雷射光的最大波峰強度比相對於基準最大波峰強度比之差為4%以下。
简体摘要：本发明提供可将非晶质半导体更均匀地结晶化的结晶质半导体的制造方法以及结晶质半导体的制造设备。本发明的结晶质半导体的制造设备包括：多个脉冲激光光源2、脉冲激光光源3，及将多个脉冲激光光导引至非晶质半导体的光学系统12，各脉冲激光光在时间性强度变化中的1脉冲中至少具有第1个波峰群、及之后出现的第2个波峰群，且第1个波峰群中的最大波峰强度为1脉冲中的最大高度，将第1个波峰群的最大波峰强度a与第2个波峰群的最大波峰强度b之比b/a设为最大波峰强度比，将成为基准的最大波峰强度比设为基准最大波峰强度比，使多个脉冲激光光的最大波峰强度比相对于基准最大波峰强度比之差为4%以下。

10. 发明专利

TW201421544A 結晶半導體膜之製造方法以及製造裝置审中-公开
简体标题：结晶半导体膜之制造方法以及制造设备
公开(公告)号：TW201421544A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102135385
申请日：2013-09-30
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0622 , H01L21/02532 , H01L21/02686
摘要：本發明課題在於將非單結晶半導體膜藉由脈衝雷射的照射而進行結晶化時，防止照射不均產生。解決方法包括：第1步驟，將相較於藉由脈衝雷射的照射而在非單結晶半導體膜上產生微結晶化的照射脈衝能量密度為低，且藉由照射多次N次而適合結晶化的照射脈衝能量密度設為E0，藉由與照射脈衝能量密度E0相同的照射脈衝能量密度E1來照射脈衝雷射；第2步驟，藉由相較於照射脈衝能量密度E1為低，且成為用以使結晶再熔融的必要的照射能量密度以上的照射脈衝能量密度E2來照射脈衝雷射。將對於相同照射面的第1步驟與第2步驟的合計照射次數設為N次以上。
简体摘要：本发明课题在于将非单结晶半导体膜借由脉冲激光的照射而进行结晶化时，防止照射不均产生。解决方法包括：第1步骤，将相较于借由脉冲激光的照射而在非单结晶半导体膜上产生微结晶化的照射脉冲能量密度为低，且借由照射多次N次而适合结晶化的照射脉冲能量密度设为E0，借由与照射脉冲能量密度E0相同的照射脉冲能量密度E1来照射脉冲激光；第2步骤，借由相较于照射脉冲能量密度E1为低，且成为用以使结晶再熔融的必要的照射能量密度以上的照射脉冲能量密度E2来照射脉冲激光。将对于相同照射面的第1步骤与第2步骤的合计照射次数设为N次以上。

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