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2. 发明专利

TW201805999A 吸附性的評價方法审中-公开
简体标题：吸附性的评价方法
公开(公告)号：TW201805999A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106112630
申请日：2017-04-14
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：介川直哉 , SUKEGAWA, NAOYA , 横田亮平 , YOKOTA, RYOHEI , 不破徳人 , FUWA, NARUTO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , B24B37/00 , H01L21/02016 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L21/3221 , H01L22/24 , H01L23/544 , H01L29/34
摘要：本發明的課題是針對成為實際的製品之裝置晶圓，可簡易地評價吸附性。其解決手段為一種晶圓的吸附性評價方法，包含：吸附層形成工程，其係利用研磨輪來研磨半導體晶圓的表面的背側的背面，在背面形成研磨痕，且在半導體晶圓的內部，研磨痕的下部形成吸附層；攝像工程，其係藉由攝像手段(31)來攝取形成有研磨痕的背面的至少單位領域；計數工程，其係於所被攝取的單位領域中計數具有10~500nm的寬度之研磨痕的數量；及比較工程，其係比較藉由計數工程所計數的研磨痕的數量是否為預定值以上。
简体摘要：本发明的课题是针对成为实际的制品之设备晶圆，可简易地评价吸附性。其解决手段为一种晶圆的吸附性评价方法，包含：吸附层形成工程，其系利用研磨轮来研磨半导体晶圆的表面的背侧的背面，在背面形成研磨痕，且在半导体晶圆的内部，研磨痕的下部形成吸附层；摄像工程，其系借由摄像手段(31)来摄取形成有研磨痕的背面的至少单位领域；计数工程，其系于所被摄取的单位领域中计数具有10~500nm的宽度之研磨痕的数量；及比较工程，其系比较借由计数工程所计数的研磨痕的数量是否为预定值以上。

3. 发明专利

TWI609075B 用以加速碳化矽晶圓化學機械研磨材料移除速率之亞鹵酸鹽碳化矽蝕刻劑有权
简体标题：用以加速碳化硅晶圆化学机械研磨材料移除速率之亚卤酸盐碳化硅蚀刻剂
公开(公告)号：TWI609075B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW105134537
申请日：2016-10-26
申请人：方樹輝 , FANG, TRELIANT
发明人：方樹輝 , FANG, TRELIANT
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09K13/00 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24C11/00 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , H01L21/02013 , H01L21/02024 , H01L21/30625 , H01L21/3212

4. 发明专利

TWI605112B 研磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI605112B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW101105223
申请日：2012-02-17
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：淺野宏 , ASANO, HIROSHI , 玉井一誠 , TAMAI, KAZUSEI , 岡田安規 , OKADA, YASUNORI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024

5. 发明专利

TWI604519B 拋光方法、拋光裝置及拋光工具有权
简体标题：抛光方法、抛光设备及抛光工具
公开(公告)号：TWI604519B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW099143912
申请日：2010-12-15
申请人：國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY , 荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：佐野泰久 , SANO, YASUHISA , 山內和人 , YAMAUCHI, KAZUTO , 村田順二 , MURATA, JUNJI , 岡本武志 , OKAMOTO, TAKESHI , 定國峻 , SADAKUNI, SHUN , 八木圭太 , YAGI, KEITA
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： H01L21/32125 , B24B37/0053 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B49/12 , H01L21/02024

6. 发明专利

TWI591711B 拋光裝置及拋光工具有权
简体标题：抛光设备及抛光工具
公开(公告)号：TWI591711B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW105143919
申请日：2010-12-15
申请人：國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY , 荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：佐野泰久 , SANO, YASUHISA , 山內和人 , YAMAUCHI, KAZUTO , 村田順二 , MURATA, JUNJI , 岡本武志 , OKAMOTO, TAKESHI , 定國峻 , SADAKUNI, SHUN , 八木圭太 , YAGI, KEITA
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： H01L21/32125 , B24B37/0053 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B49/12 , H01L21/02024

7. 发明专利

TW201720903A 用以加速碳化矽晶圓化學機械研磨材料移除速率之亞鹵酸鹽碳化矽蝕刻劑审中-公开
简体标题：用以加速碳化硅晶圆化学机械研磨材料移除速率之亚卤酸盐碳化硅蚀刻剂
公开(公告)号：TW201720903A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105134537
申请日：2016-10-26
申请人：方樹輝 , FANG, TRELIANT
发明人：方樹輝 , FANG, TRELIANT
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09K13/00 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24C11/00 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , H01L21/02013 , H01L21/02024 , H01L21/30625 , H01L21/3212
摘要：本發明揭示一碳化矽蝕刻劑，其通式MXO2，M為鹼金屬或銨，X為鹵素，O為氧。當碳化矽蝕刻劑與磨料顆粒混合成水溶液漿料狀型態，MXO2蝕刻劑作為摩擦化學反應劑，用以加速在化學機械研磨過程中碳化矽材料之移除速率。該移除速率相比於其他不含此亞鹵酸鹽蝕刻劑的漿料有時可高出幾個數量級。MXO2式中的典型金屬為K及Na，X包括Cl、Br及I。全系列之MXO2化合物屬於金屬亞鹵酸鹽或亞鹵酸銨鹽。亞氯酸鈉(NaClO2)為亞鹵酸鹽中最簡單也最易取得，故為典型例子。增加的研磨速率可大幅增加CMP的碳化矽基材研磨操作的生產率。此外，因研磨配方中不含有毒重金屬離子，故廢水處理廠可容易處理CMP製程所產生的研磨廢水。
简体摘要：本发明揭示一碳化硅蚀刻剂，其通式MXO2，M为碱金属或铵，X为卤素，O为氧。当碳化硅蚀刻剂与磨料颗粒混合成水溶液浆料状型态，MXO2蚀刻剂作为摩擦化学反应剂，用以加速在化学机械研磨过程中碳化硅材料之移除速率。该移除速率相比于其他不含此亚卤酸盐蚀刻剂的浆料有时可高出几个数量级。MXO2式中的典型金属为K及Na，X包括Cl、Br及I。全系列之MXO2化合物属于金属亚卤酸盐或亚卤酸铵盐。亚氯酸钠(NaClO2)为亚卤酸盐中最简单也最易取得，故为典型例子。增加的研磨速率可大幅增加CMP的碳化硅基材研磨操作的生产率。此外，因研磨配方中不含有毒重金属离子，故废水处理厂可容易处理CMP制程所产生的研磨废水。

8. 发明专利

TWI572701B 研磨用組合物及使用其之研磨方法有权
简体标题：研磨用组合物及使用其之研磨方法
公开(公告)号：TWI572701B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW101103569
申请日：2012-02-03
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：寺本匡志 , TERAMOTO, MASASHI , 緒方晉一 , OGATA, SHINICHI , 谷本龍一 , TANIMOTO, RYUICHI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , C09G1/02 , H01L21/02024 , H01L21/30604

9. 发明专利

TW201702347A 矽晶圓研磨用組成物及研磨方法审中-公开
简体标题：硅晶圆研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TW201702347A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105103288
申请日：2016-02-02
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 百田怜史 , MOMOTA, SATOSHI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B1/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304
摘要：本發明之目的係於矽晶圓之最後加工研磨中，減低LPD，並且防止金屬，尤其是鎳、銅之污染而進行研磨。本發明提供一種研磨用組成物，其係含有研磨粒、水溶性高分子、鹼性化合物、螯合劑及水之研磨用組成物，其特徵為：存在於前述研磨用組成物中之粒子之粒度分布中，將相當於從粒徑小之側起之體積累積為10%之粒徑設為D10，將相當於從粒徑小之側起之體積累積為50%之粒徑設為D50，將相當於粒徑小之側起之體積累積為90%之粒徑設為D90時，以A=(D90-D50)/(D50-D10)所定義之粗大粒子頻率參數A之值為未達1.7，且用於矽晶圓研磨之最後加工研磨。
简体摘要：本发明之目的系于硅晶圆之最后加工研磨中，减低LPD，并且防止金属，尤其是镍、铜之污染而进行研磨。本发明提供一种研磨用组成物，其系含有研磨粒、水溶性高分子、碱性化合物、螯合剂及水之研磨用组成物，其特征为：存在于前述研磨用组成物中之粒子之粒度分布中，将相当于从粒径小之侧起之体积累积为10%之粒径设为D10，将相当于从粒径小之侧起之体积累积为50%之粒径设为D50，将相当于粒径小之侧起之体积累积为90%之粒径设为D90时，以A=(D90-D50)/(D50-D10)所定义之粗大粒子频率参数A之值为未达1.7，且用于硅晶圆研磨之最后加工研磨。

10. 发明专利

TWI555830B 研磨用組成物及利用其的半導體基板的研磨方法有权
简体标题：研磨用组成物及利用其的半导体基板的研磨方法
公开(公告)号：TWI555830B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW100140489
申请日：2011-11-07
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：篠田敏男 , SHINODA, TOSHIO , 永原佳代子 , NAGAHARA, KAYOKO , 井上穣 , INOUE, YUTAKA , 高橋修平 , TAKAHASHI, SHUHEI , 三輪俊博 , MIWA, TOSHIHIRO
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B31/003 , H01L21/02024

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