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    • 7. 发明专利
    • 絕緣膜之沉積方法
    • 绝缘膜之沉积方法
    • TW201622005A
    • 2016-06-16
    • TW104129910
    • 2015-09-10
    • 尤金科技有限公司EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
    • 金海元KIM, HAI-WON申昌勳SHIN, CHANG-HUN金錫允KIM, SEOK-YUN鄭春植JEONG, CHOON-SIK徐眞錫SEO, JIN-SEOCK禹性柱WOO, SUNG-JOO
    • H01L21/31H01L21/205
    • H01L21/205H01L21/31
    • 本發明提供一種用於沉積一絕緣膜之方法。用於沉積該絕緣膜之方法包括進行一絕緣膜沉積製程,其包括:一吸附製程,其中將一矽前驅物注入一室中,一基板裝載於該室內以將矽吸附於該基板上,進行一第一清洗製程,其中自該室內側移除一非反應矽前驅物及反應副產物,一反應製程,其中將一第一反應源供應至該室內以藉由使用該經吸附之矽形成一含矽絕緣膜,及一第二清洗製程,其中自該室內側移除一非反應第一反應源及反應副產物,以及進行一緻密化製程,其中在該室中形成一電漿氣氛以使該含矽絕緣膜緻密化。在該緻密化製程中,注入包含H2之一第二反應源以形成該電漿氣氛,藉以改善該含矽絕緣膜之階梯覆蓋。
    • 本发明提供一种用于沉积一绝缘膜之方法。用于沉积该绝缘膜之方法包括进行一绝缘膜沉积制程,其包括:一吸附制程,其中将一硅前驱物注入一室中,一基板装载于该室内以将硅吸附于该基板上,进行一第一清洗制程,其中自该室内侧移除一非反应硅前驱物及反应副产物,一反应制程,其中将一第一反应源供应至该室内以借由使用该经吸附之硅形成一含硅绝缘膜,及一第二清洗制程,其中自该室内侧移除一非反应第一反应源及反应副产物,以及进行一致密化制程,其中在该室中形成一等离子气氛以使该含硅绝缘膜致密化。在该致密化制程中,注入包含H2之一第二反应源以形成该等离子气氛,借以改善该含硅绝缘膜之阶梯覆盖。