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1. 发明公开

KR20180072699A 퀀텀 닷 보안 잉크 审中-公开
公开(公告)号：KR20180072699A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20187011206
申请日：2016-06-12
申请人： UBIQD LLC
发明人： MCDANIEL HUNTER
IPC分类号： C09D11/037 , C09D11/50 , C09K11/88 , G01N21/64
CPC分类号： C09D5/22 , B41M3/144 , C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/50 , G01N21/6408 , G01N21/643 , G01N21/6489 , G01N2201/061 , G01N2201/062 , G07D7/1205
摘要： 본발명은퀀텀닷(quantum dot)과같은발광물질을함유한보안잉크의조성과, 이를이용해위조방지나인증을하는장치에관한것이다. 보안잉크는다수의 QD들이분산된액체매질을포함한다. 적절한광원에의해여기된보안잉크는 30% 이상의양자수율과, 40nm 이상의수명을갖는 PL을보이고, 이수명은 QD의방출스펙트럼에걸쳐적어도 5%까지변한다. 위조방지나인증에이 보안잉크를사용하는장치는 PL 수명을공간분해하여 PL 물질의존재를고유하게확인한다.

2. 发明公开

KR20180067528A 높은-ｋ 유전체를 특징화하는 시스템 및 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180067528A
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR20187009474
申请日：2016-09-02
申请人： CALIFORNIA INST OF TECHN
发明人： ADELL PHILIPPE C , ATWATERE HARRY A
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/25 , H01L29/40
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/636 , G01N21/8851 , G01N21/9505 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： 본발명의기술은일반적으로반도체구조의특징화에관한것이고, 보다구체적으로는높은-k 유전체재료의광학특성에관한것이다. 방법은반도체및 상기반도체상에형성된높은-k 유전체층을포함하는반도체구조체를제공하되, 상기유전체층은그 내부에전자트랩을형성하는단계를포함한다. 상기방법은또한입사에너지를갖는입사광을상기높은-k 유전체층을통해적어도부분적으로투과시키고상기반도체에서상기입사광을적어도부분적으로흡수하는단계를더 포함한다. 상기방법은상기입사에너지와다른에너지를갖는광으로부터생성된비선형광학스펙트럼을측정하는단계를더 포함하고, 상기비선형광학스펙트럼은제1영역및 제2영역을포함하, 상기제1영역은상기제2영역과비교하여강도가상이한비율로변화한다. 상기방법은상기비선형광학스펙트럼으로부터상기제1영역으로부터의제1시상수및 상기제2영역으로부터의제2시상수중 하나또는양자를결정하는단계와, 상기제1시상수및 상기제2시상수중 하나또는둘 양자에기초하여상기높은-k 유전체층에서트랩밀도를결정하는단계를더 포함한다.

3. 发明公开

KR20180031809A 분광 측정 장치, 분광 측정 방법 및 시료 용기 审中-公开
标题翻译：光谱测量装置谱测量方法和样品容器
公开(公告)号：KR20180031809A
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR20187007646
申请日：2013-09-17
申请人： HAMAMATSU PHOTONICS KK
发明人： SUZUKI KENGO , IGUCHI KAZUYA , EURA SHIGERU , IKEMURA KENICHIRO
IPC分类号： G01N21/64 , G01J3/443
CPC分类号： G01N21/645 , G01J3/021 , G01J3/0254 , G01J3/0291 , G01J3/4406 , G01N21/01 , G01N21/6489 , G01N2021/6469 , G01N2021/6482 , G01N2021/6484 , G01N2201/065
摘要： 측정대상이되는시료에여기광을조사하고, 피측정광을검출하는분광측정장치로서, 여기광을발생시키는광원과, 여기광이입사되는입사개구부와, 피측정광을출사하는출사개구부를가지는적분기와, 적분기내에배치되어, 시료를수용하는수용부와, 시료에여기광을입사시키는입사광학계와, 출사개구부로부터출사된피측정광을검출하는광검출기와, 광검출기로검출된검출치에기초하여시료의양자수율을산출하는해석수단을구비하고, 여기광은시료를내포하도록당해시료에조사된다.
摘要翻译：一种光谱测量装置，用激励光照射作为测量对象的样本并检测待测量的光包括产生激发光的光源; 具有用于输入激励光的输入开口部和输出被测量光的输出开口部的积分器; 壳体部分，其布置在积分器中并容纳样品; 入射光学系统，使激发光入射到样品; 检测从所述输出开口部输出的测定对象的光的光检测器; 以及分析装置，基于由光电检测器检测的检测值计算样品的量子产率，并且将激发光施加到样品以包括样品。

4. 发明授权

KR101804331B1 선형 검사 시스템 有权
公开(公告)号：KR101804331B1
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020177021822
申请日：2015-06-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 슈레진저,아사프 , 총,성데
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/64 , G01R31/26 , H02S50/10 , H02S50/15
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/95 , G01N2201/0612 , G01R31/2601 , G01R31/44 , H02S50/00 , H02S50/10 , H02S50/15
摘要： 본개시내용의실시예들은일반적으로, 포괄적인, 확장가능한기판검사시스템들에관한것이다. 검사시스템들은, 두께, 비저항, 소우마크(saw mark)들, 기하형상, 스테인(stain)들, 칩(chip)들, 마이크로크랙(micro crack)들, 결정프랙션(crystal fraction), 및포토루미네선스(photoluminescence)를포함하는, 기판의하나또는그 초과의특성들을검사, 검출, 또는측정하도록적응된다수의계측유닛들을포함한다. 검사시스템들은, 기판을태양전지로프로세싱하기전에, 기판들상의결함들을식별하고, 기판으로생산되는태양전지의태양전지효율성을추정하기위해활용될수 있다. 기판들은트랙또는컨베이어상에서계측유닛들사이의검사시스템을통해이송된다음, 검사데이터에기반하여소팅될수 있다.

5. 发明公开

KR1020170122279A 반도체 기판의 평가 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：评估半导体衬底的方法和制造半导体衬底的方法
公开(公告)号：KR1020170122279A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020177029722
申请日：2015-12-16
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 에리구치카즈타카 , 구보타츠요시
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/64
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/9501 , H01L21/0223 , H01L21/02299 , H01L22/12 , H01T19/02
摘要： 반도체기판의품질을포토루미네선스측정에의해평가하는반도체기판의평가방법으로서, 상기포토루미네선스측정에의한평가는, 평가대상반도체기판의표면에전(前)처리를실시한후에여기광을조사하고, 이여기광이조사된표면으로부터얻어지는발광을검출하는것을포함하고, 또한, 상기전처리는, 상기여기광이조사되는평가대상반도체기판의표면에산화막형성처리를실시하는것 및형성된산화막의표면을코로나방전에의해대전시키는것을포함하는상기반도체기판의평가방법이제공된다.
摘要翻译：一种通过光致发光测量来评估半导体衬底质量的方法，其中，通过对要评估的半导体衬底的表面执行预处理来进行光致发光测量的评估，其中预处理包括在待照射激发光的待评估的半导体衬底的表面上执行氧化物膜形成处理的步骤以及照射形成的氧化物膜的表面的步骤并通过电晕放电对半导体衬底进行充电。

6. 发明授权

KR101523487B1 면역크로마토그래피, 이것에 이용되는 검출 장치 및 시약 有权
标题翻译：免疫印迹，检测器及其使用的试剂
公开(公告)号：KR101523487B1
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：KR1020157001362
申请日：2013-11-27
申请人： 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
发明人： 아이자와히데키 , 오쿠보미치오 , 미요시가즈토미
IPC分类号： G01N33/543 , G01N21/59 , G01N21/64 , G01N21/78
CPC分类号： G01N33/56983 , B82Y30/00 , G01N21/59 , G01N21/6428 , G01N21/6489 , G01N21/8483 , G01N33/558 , G01N33/582 , G01N2021/6439 , G01N2021/8488 , G01N2333/08 , G01N2333/11 , G01N2469/10
摘要： 형광및 흡광을각각검출장치로일괄하여검출측정하는다항목검출용면역크로마토그래피로서, 형광입자및 흡광입자는, 형광입자의형광의여기파장과흡광입자의흡수파장이동일한파장영역이되고, 시험영역의반사광강도와시험영역의반사광강도와시험영역및 시험영역이외의비시험영역의반사광강도를일괄하여검출측정하는면역크로마토그래피.

7. 发明授权

KR101359076B1 실리콘 중 불순물의 측정 방법 有权
标题翻译：用于确定硅中污染物的方法
公开(公告)号：KR101359076B1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020110115726
申请日：2011-11-08
申请人： 와커 헤미 아게
发明人： 보나우어-클렙쿠르트
IPC分类号： C30B29/60 , G01N1/28 , G01N21/63 , G01N21/35
CPC分类号： C30B13/04 , C01B33/037 , C30B29/06 , G01N21/3563 , G01N21/6489 , G01N21/94 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595
摘要： 본 발명은 시험해야 할 실리콘으로부터 대역 정제에 의해 단결정질 막대를 제조하는, 실리콘 중 불순물의 측정 방법에 관한 것으로서, 이 단결정질 막대를 1 이상의 희석 단계에서 한정된 탄소 및 도펀트 농도를 갖는 단결정질 또는 다결정질 실리콘으로 제조된 케이싱에 도입하고, 실리콘의 희석된 단결정질 막대를 대역 정제에 의해 막대 및 케이싱으로부터 제조하며; 여기서 광발광 또는 FTIR 또는 양쪽에 의해 희석된 단결정질 막대를 이용하여 시험해야 할 실리콘 중 불순물의 측정을 실시한다.

8. 发明授权

KR101318749B1 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 및 제조 방법 有权
标题翻译：评估硅波的方法和制造硅波的方法
公开(公告)号：KR101318749B1
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020120051361
申请日：2012-05-15
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 우치노신 , 호우라이마사타카 , 고이케야스오 , 오노류지
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/6456 , H01L22/12
摘要： (과제) 기판 저항에 상관없이 실리콘 웨이퍼에 있어서의 산소 석출물의 유무 및 면 내 분포를 고정밀도로 평가하기 위한 수단을 제공하는 것.
(해결 수단) 평가 대상 실리콘 웨이퍼에 대하여 당해 실리콘 웨이퍼 표면에 있어서 포토루미네선스 강도의 면 내 분포를 나타내는 제1 면 내 분포 정보를 취득하는 것, 상기 제1 면 내 분포 정보 취득 후의 평가 대상 실리콘 웨이퍼에 대하여 열산화 처리를 행한 후, 당해 실리콘 웨이퍼 표면에 있어서 포토루미네선스 강도의 면 내 분포를 나타내는 제2 면 내 분포 정보를 취득하는 것, 제1 면 내 분포 정보와, 제2 면 내 분포 정보에 1 미만의 보정 계수에 의한 보정을 가하여 얻어진 제3 면 내 분포 정보와의 차분 정보를 얻는 것 및, 얻어진 차분 정보에 기초하여, 평가 대상 실리콘 웨이퍼에 있어서의 산소 석출물의 유무 및 산소 석출물의 면 내 분포로 이루어지는 군으로부터 선택되는 평가 항목의 평가를 행하는 것을 포함하는 실리콘 웨이퍼의 평가 방법.

9. 发明公开

KR1020130093519A 에지-온 광발광을 사용하여 반도체 재료의 벌크 불순물을 측정하는 방법 审中-实审
标题翻译：使用边缘测量半导体材料的体积变化的方法 - 光电子学
公开(公告)号：KR1020130093519A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020127031367
申请日：2011-06-03
申请人： 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨
发明人： 크레스조우스키,더그 , 하드,존,더블유.
IPC分类号： G01N21/64 , G01N21/94 , G01N21/95
CPC分类号： G01N21/9505 , G01J3/443 , G01N21/6489 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N21/9503
摘要： 반도체 샘플 내의 불순물을 식별하고 정량화하기 위한 광발광 분광 시스템 및 방법이 제공된다. 일부 실시 형태에서, 이 시스템 및 방법은 디포커싱된 시준 레이저 빔이 제1 샘플 표면을 조사하는 것, 및 제1 표면과 실질적으로 직교인 제2 표면과의 교차점에서의 샘플 에지로부터의 광발광을 집광 렌즈에 의해 집광하는 것을 포함하며, 여기서 제1 샘플 표면은 집광 렌즈에 평행인 위치에 대해 약 0° 내지 90°로 배향된다.

10. 发明公开

KR1020110083871A 광소자의 내부 양자 우물 효율을 측정하는 방법 및 장치 失效
标题翻译：用于测量LED内部质量效率的方法和装置
公开(公告)号：KR1020110083871A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020100003836
申请日：2010-01-15
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 심종인 , 김현성
IPC分类号： G01N21/63 , G01M11/02
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N2201/062
摘要： PURPOSE: A method and an apparatus for measuring the internal quantum well efficiency of an optical device are provided to measure the efficiency of a light emitting diode in a non-destructive manner at the normal temperature through optical excitation or current injection. CONSTITUTION: A method for measuring the internal quantum well efficiency of an optical device is as follows. The intensity of emitted light from the optical device is measured by applying excitation current to the optical device. The reference intensity of the excitation current where the variation of recombination coefficients according to the variation of carrier density within the quantum well of the optical device is minimum is extracted(S13). The internal quantum efficiency of the optical device at the reference excitation current intensity is calculated(S14,S15). The internal quantum efficiencies of the optical devices at different excitation current intensities are calculated from the internal quantum efficiency of the optical device at the reference excitation current intensity(S17).
摘要翻译：目的：提供一种用于测量光学器件的内部量子阱效率的方法和装置，以通过光学激发或电流注入在常温下以非破坏性的方式测量发光二极管的效率。构成：用于测量光学器件的内部量子阱效率的方法如下。通过向光学器件施加激发电流来测量来自光学器件的发射光的强度。提取根据光器件的量子阱内的载流子密度变化最小的复合系数的变化的激励电流的参考强度（S13）。计算参考激励电流强度下的光学器件的内部量子效率（S14，S15）。在不同的激发电流强度下，光器件的内部量子效率是以参考激发电流强度下的光器件的内部量子效率计算的（S17）。

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