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1. 发明公开

KR1020160145550A 부유 영역 실리콘 웨이퍼 생산 시스템 审中-实审
标题翻译： FLOAT ZONE SILICON WAFER制造系统
公开(公告)号：KR1020160145550A
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020167025465
申请日：2015-02-18
申请人： 레이톤 솔라 인크.
发明人： 야쿱앤드류엑스. , 로젠츠와이그제임스벤자민 , 구르스키마크스탠리
IPC分类号： C30B33/06 , C30B29/06 , C30B29/64
CPC分类号： C30B33/06 , C30B13/00 , C30B29/06 , C30B29/64 , C30B33/04 , C30B13/24
摘要： 실리콘웨이퍼를생산하기위한방법은박리를위해부유영역실리콘워크피스를실장하고부유영역실리콘워크피스의외부표면층을관통하기에충분한에너지화된빔을발생시키는마이크로웨이브장치를에너자이징시키며에너지화된빔으로부유영역실리콘워크피스의외부표면층을박리시키고 100 마이크로미터미만의두께를갖는실리콘웨이퍼로서부유영역실리콘워크피스로부터박리된외부표면층을제거하는단계를포함한다.
摘要翻译：用于制造硅晶片的工艺包括用于安装用于剥离的浮动区硅工件的步骤，为微波装置通电以产生足以穿透浮动区硅工件的外表面层的通电束，使外表面层具有通电束的浮区硅工件，并且将硅剥离的外表面层从浮区硅工件中去除，其厚度小于100微米。

2. 发明公开

KR1020160024946A 다결정 실리콘의 결정 입경 분포의 평가 방법 审中-实审
标题翻译：评估多晶硅晶粒尺寸分布的方法
公开(公告)号：KR1020160024946A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020167001794
申请日：2014-06-03
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 미야오,슈이치 , 네츠,시게요시
IPC分类号： G01N23/207 , C01B33/02 , C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： G01N23/207 , C01B33/02 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/06 , G01N2223/3306 , G01N2223/606
摘要： 다결정실리콘의결정입경분포를 X선회절법에의해평가할때에, 채취한원판형상시료(20)를미러지수면 로부터의브래그반사가검출되는위치에배치하고, 슬릿에의해정해지는 X선조사영역이원판형상시료(20)의주면상을φ 스캔하도록원판형상시료(20)의중심을회전중심으로하여회전각도φ에서면내회전시키고, 브래그반사강도의원판형상시료(20)의회전각도(φ) 의존성을나타내는차트를구하고, 또한해당φ 스캔·차트의베이스라인의회절강도의단위회전각도당변화량을 1차미분값으로구한다. 그리고, 해당변화량의절댓값을정규분포화하였을때의왜도를산출하고, 이왜도를결정입경분포의평가지표로서이용하여, 단결정실리콘제조용원료로서적합한다결정실리콘을선택한다.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：收集的盘样品（20）设置在检测来自米勒分度平面的布拉格反射的位置; 磁盘样品（20）围绕其中心以平面旋转角度θ旋转，使得由狭缝定义的X射线照射区域扫描盘片样品（20）的主平面; 确定了布拉格反射强度对圆盘样品（20）旋转角度（Æ）的依赖关系的图表。 Æ扫描图的基线的衍射强度的单位旋转角度的变化量被确定为一阶导数值; 计算出变化量绝对值正态分布的偏差; 并且使用偏度作为晶粒尺寸分布的评价指标，以选择多晶硅。

3. 发明公开

KR1020140136659A 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼 有权
标题翻译：硅半导体单晶硅和晶体管
公开(公告)号：KR1020140136659A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130056958
申请日：2013-05-21
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 홍영호 , 박현우
IPC分类号： C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/02 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B15/203 , C30B30/04 , H01L29/30
摘要： 실시 예의 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼는 인터스티셜 우세 무결함 영역에 포함된 결정 결함 중 10 ㎚ 내지 30 ㎚ 크기의 결정 결함을 우세하게 갖는 전이 영역을 포함하고, 잉곳 및 웨이퍼에 대해 적어도 한 번의 열처리를 수행하기 이전의 초기 산소 농도와 적어도 한 번의 열처리를 수행한 이후의 최종 산소 농도 차가 0.5 ppma 이하이다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，用于半导体的单晶硅锭和晶片包括主要具有尺寸为10-30nm的晶体缺陷的过渡区域，其包括在间隙主要的无缺陷区域中的晶体缺陷中。在至少一个热处理工艺之后的初始氧浓度与在至少一个热处理工艺之后的最终氧浓度之间的差异相对于锭和晶片为0.5ppma或更小。

4. 发明授权

KR101145788B1 다결정질 게르마늄 합금형 실리콘 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：多晶锗合金硅及其生产方法
公开(公告)号：KR101145788B1
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020090119715
申请日：2009-12-04
申请人： 와커 헤미 아게
发明人： 파브리라즐로 , 소핀미하일
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06 , C30B29/08
CPC分类号： C23C16/22 , C01B33/035 , C22C28/00 , C23C16/0209 , C30B13/00 , C30B15/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/52 , Y10T428/298
摘要： 본 발명은, 0.5m 내지 4m의 길이와 25mm 내지 220mm의 직경을 가지며, 0.1～50 mol%의 게르마늄 및 99.9～50 mol%의 실리콘으로 이루어진 고순도 합금을 포함하는 봉(rod)으로서, 상기 합금은 가느다란 실리콘 봉 또는 가느다란 게르마늄 합금형 실리콘 봉에 증착되고, 상기 합금은 다결정질 구조를 가지는, 봉에 관한 것이다.
다결정질 게르마늄 합금, 셸로우 도너, 셸로우 억셉터, 모노게르만, 지멘스 반응기
摘要翻译：棒长度为0.5-4μm，直径为25-220mm，由沉积在硅薄棒或锗合金硅薄棒上的高纯度合金制成，其中合金含有0.1-50mol％的锗和99.9 -50％的硅，并具有多晶结构。包括用于制备棒的独立权利要求，其包括在西门子反应器中供给排出的气体并与发光的细棒接触，在细棒上形成了输出气体的沉积，所述细棒包括硅或锗合金化的硅，喷射气体包括氢，至少含硅化合物和至少含锗化合物。

5. 发明公开

KR1020110090794A 용융 미립자를 이용하여 실리콘으로 이루어진 단결정을 제조하는 방법 有权
标题翻译：使用固体颗粒生产单晶复合硅的方法
公开(公告)号：KR1020110090794A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020110008926
申请日：2011-01-28
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 본아몬윌프리드 , 알트만쇼페르루드비그
IPC分类号： C30B9/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B13/00 , C30B11/00 , C30B13/20 , C30B13/26 , C30B13/30 , C30B13/32 , C30B15/02 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1056
摘要： PURPOSE: A method for producing a single crystal composed of a silicon using molten granules is provided to generate a passage opening when a second volume of melting silicon does not exist or is lower than twice size of a first volume of melting silicon. CONSTITUTION: In a method for producing a single crystal composed of a silicon using molten granules, a first volume of melting silicon is formed between the bottom of a conical tube(1) and a monocrystal and the bottom of the conical tube is closed. A first volume of melting silicon is formed by a first induction heating coil(2) which is arranged in a rotary plate. A second volume of melting silicon is generated by a second induction heating coil(7) which is arranged on the top of rotary plate.
摘要翻译：目的：提供一种使用熔融颗粒由硅制成的单晶的方法，当第二体积的熔融硅不存在或低于第一体积熔融硅的两倍时，产生通道开口。构成：在使用熔融颗粒制造由硅构成的单晶的方法中，在锥形管（1）的底部和单晶之间形成第一体积的熔融硅，并且锥形管的底部是封闭的。熔融硅的第一体积由布置在旋转板中的第一感应加热线圈（2）形成。熔融硅的第二体积由设置在旋转板的顶部的第二感应加热线圈（7）产生。

6. 发明授权

KR100809858B1 결정질 반도체 재료 제조 방법 및 반도체 장치 제조 방법 失效
标题翻译：晶体半导体材料制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR100809858B1
公开(公告)日：2008-03-04
申请号：KR1020010050655
申请日：2001-08-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 히라가토루 , 노구치타카시 , 우스이세츠오 , 모리요시후미
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B1/023 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/2026
摘要： 결정성을 보다 향상시킬 수 있는 결정질 반도체 재료 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 장치 제조 방법을 제공한다.
기판(11) 상에 보호막(12)을 통해 Si로 이루어지는 비정질막을 형성한다. 이어서, 이 비정질막에 단파장 에너지 빔을 조사하여 제 1 가열 처리를 행하여, 준단결정으로 이루어지는 결정질막(14)을 형성한다. 계속해서, 결정질막(14)에 단파장 에너지 빔(E
2 )을 조사하여 제 2 가열 처리를 행하여, 결정질막(14)의 입자계(14b) 및 그 근방만을 선택적으로 용융하고 재결정화한다. 이로써, 결정성이 개선된 결정질막(15)이 얻어진다.
준단결정 반도체 재료, 비정질 반도체 재료, 재결정화, 결정질막, 임자계

7. 发明公开

KR1020060062139A 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：通过多重热处理的多晶硅薄膜制造方法
公开(公告)号：KR1020060062139A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040100887
申请日：2004-12-03
申请人： 네오폴리((주))
发明人： 백운서
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02672 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/2022 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L27/1277
摘要： A method of crystallizing an amorphous semiconductor thin film used for a thin film transistor (TFT) is provided. The method includes the steps of: forming first and second crystallization induced metal patterns locally in respective portions of a source region and a drain region of the TFT on an amorphous semiconductor thin film; and crystallizing an amorphous semiconductor via independent two-times heat treatment using the first and second crystallization induced metal patterns. In this case, the independent two-times heat treatment is executed before and after ions of impurities are injected, respectively. In this way, a metal induced lateral crystallization double heat treatment is executed before and after ions of impurities are injected, respectively. As a result, the entire crystallization heat treatment time necessary for crystallizing the amorphous semiconductor thin film can be greatly reduced, and a poly-crystalline TFT having low leakage current can be obtained.

8. 发明公开

KR1020040085310A 결정화 방법 有权
标题翻译：使用激光辐照获得所需尺寸的单晶层的结晶方法
公开(公告)号：KR1020040085310A
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020030019953
申请日：2003-03-31
申请人： 하이디스 테크놀로지 주식회사
发明人： 류명관 , 이호년 , 박재철 , 김억수
IPC分类号： H01L21/428
CPC分类号： H01L21/02678 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/02686 , H01L21/2026
摘要： PURPOSE: A crystallization method is provided to obtain a single crystalline layer of a desired size at a desired position from an amorphous layer or a polycrystalline layer by using a laser irradiation method. CONSTITUTION: A laser beam(630) of a particular pattern is irradiated on a substrate of a predetermined size by using a mask. The first crystallization process is performed to crystallize the irradiated part of the substrate. The first scan process is performed to grow grains within the first crystalline part of the substrate. A polycrystalline island region(610) is formed by completing the first scan process. The second scan process is performed to form the grains as a single crystalline region by using the grains as seeds. The single crystalline region is extended by irradiating the laser beam.
摘要翻译：目的：提供一种结晶方法，通过使用激光照射方法从非晶层或多晶层在期望的位置获得所需尺寸的单一结晶层。构成：通过使用掩模将特定图案的激光束（630）照射在预定尺寸的基板上。进行第一结晶处理以使基板的照射部分结晶。执行第一扫描处理以在基底的第一结晶部分内生长晶粒。通过完成第一扫描处理形成多晶岛区域（610）。通过使用谷物作为种子，执行第二扫描处理以形成作为单一结晶区域的晶粒。通过照射激光束来延伸单晶区域。

9. 发明公开

KR1020030028696A 다결정 실리콘 막 생산 공정 有权
标题翻译：形成聚硅氧烷膜的方法
公开(公告)号：KR1020030028696A
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：KR1020020010374
申请日：2002-02-27
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 다께다가즈오 , 사이또마사까즈 , 다까사끼유끼오 , 아베히로노부 , 오오꾸라마꼬또 , 기무라요시노부 , 시바다께오
IPC分类号： H01L21/477
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B13/00 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/6675 , H01L29/78672
摘要： PURPOSE: To provide a method by which the diameters of particles can be evaluated and managed nondestructively at a high speed. CONSTITUTION: The mean particle diameter of polysilicon particles is evaluated by measuring the diffraction pattern of light. In order to adjust the field effect mobility of a thin film transistor to ≧200 cm¬2/VS and, in addition, the in-plane fluctuation of the field effect mobility to ≤±10%, the desirable data is fed back to a laser annealing process so that the mean particle diameter becomes ≧500 nm and the in-plane fluctuation may become ≤±20%. Consequently, the diameters of the polysilicon particles can be evaluated non destructively at a high speed. In addition, a high-performance low-temperature polysilicon TFT liquid crystal device having field effect mobility which is uniformly in- plane distributed can be produced stably.
摘要翻译：目的：提供可以高速度非破坏性地评估和管理颗粒直径的方法。构成：通过测量光的衍射图来评价多晶硅颗粒的平均粒径。为了将薄膜晶体管的场效应迁移率调整为≥200cm/ 2 / Vs，另外，场效应迁移率的面内波动为±±10％，则期望的数据被反馈到激光退火处理，使得平均粒径变为≥500nm，面内波动可以变为±20％。因此，多晶硅颗粒的直径可以非常高的速度非破坏性地评价。此外，可以稳定地制造具有均匀面内分布的场效应迁移率的高性能低温多晶硅TFT液晶装置。

10. 发明公开

KR1020030015265A 다결정 실리콘 로드와 그의 가공방법 有权
标题翻译： 다결정실리콘로드와그의가공방법
公开(公告)号：KR1020030015265A
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：KR1020027016494
申请日：2001-06-01
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 나까노마모루 , 야마구찌유끼오 , 기따가와데루히사 , 사또리끼또 , 하따께야마나오끼
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B15/02 , Y10S117/90 , Y10S117/911 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072 , Y10T428/2973
摘要： 본 발명은 연결구조를 갖는 다결정 실리콘 로드와 그 가공방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 복수의 다결정 실리콘 로드를 단부에서 서로 안정적으로 용이하게 매달 수 있는 연결구조를 갖는 다결정 실리콘 로드에 관한 것으로, 나아가서는 어닐 처리를 하지 않고 안정적으로 홈가공 등을 실시할 수 있는 가공방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 로드는, 다결정 실리콘의 용융효율을 대폭 높일 수 있다. 또 다결정 실리콘 로드의 외주부분 또는 외주부분의 일부를 제거하고, 남긴 중앙부분에 가공을 실시함으로써 어닐 처리를 필요없게 할 수 있다.
摘要翻译：根据本发明的多晶硅棒具有用于将多晶硅棒端对端悬挂的结构，从而可以显着提高多晶硅的熔化效率。通过完全或部分地从棒上除去周边部分以留下中心部分而获得的多晶硅棒，并且通过研磨去除中心部分，优选周边部分的加工中心部分，其量相当于直径的10-60％棒，然后进行凹槽成形加工。这使得退火不必要。＆lt;图像＆GT;

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