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1. 发明授权

KR102297750B1 고품질 SiC 단결정 성장방법 有权
公开(公告)号：KR102297750B1
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：KR1020190119631
申请日：2019-09-27
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36
摘要： 본개시는 SiC 단결정성장방법에관한것으로종자정을반응기내에위치시키는단계; 상기반응기내부온도를성장온도이하로승온시키는제1단계; 상기승온된반응기를대기압 (760torr)에서성장압력까지감압시켜 SiC 단결정을초기성장시키는제2단계; 및상기반응기의온도및 압력을유지하여 SiC 단결정을성장시키는제3단계를포함하고, 상기제2단계에서불활성가스에대한질소가스주입비 (N2/(N2+Ar))를 0.15 미만으로하는, SiC 단결정성장방법에관한것이다.

2. 发明公开

KR1020210103025A 그래핀층 위의 선택적 영역 에피텍시 구조체 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020210103025A
公开(公告)日：2021-08-23
申请号：KR1020200016985
申请日：2020-02-12
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/04 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/18 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B29/16 , C01B32/194 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/16
摘要： 일실시예에따른그래핀층위에위치가조절된반도체구조물의제조방법은단결정기판을제공하는단계, 상기기판위에위치하고두께가조절된그래핀층을제공하는단계, 상기그래핀층위에위치하고, 그래핀층의오목부를따라위치하는반도체구조물형성하는단계, 상기반도체구조물을기판으로부터박리하는단계를포함할수 있다.

3. 发明授权

KR102245507B1 탄화규소 시드를 사용하여 벌크 탄화규소를 제조하기 위한 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102245507B1
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：KR1020167008941
申请日：2014-09-05
申请人： 지티에이티 코포레이션
发明人： 드라체브,로먼,브이. , 산타나라가반,빠르티싸르티 , 안드루크히브,안드리히,엠. , 리틀,데이비드,에스.
IPC分类号： C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/00
摘要： 탄화규소의제조방법이개시되어있다. 이방법은로 쉘, 상기로 쉘의외부에위치한적어도하나의가열요소, 및단열재로둘러싸인상기로 쉘내부에위치한고온영역을포함하는승화로를제공하는단계를포함한다. 상기고온영역은하부영역에위치한탄화규소전구체및 상부영역에위치한탄화규소시드를갖는도가니를포함한다. 고온영역은탄화규소전구체를승화시키도록가열되어탄화규소시드의바닥면상에탄화규소를형성한다. 결과로서생긴탄화규소재료뿐만아니라탄화규소를제조하기위한승화로가또한개시되어있다.

4. 发明公开

KR20210017346A 전기화학적 물분해용 질화갈륨 나노와이어 광전극 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR20210017346A
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR20190096453
申请日：2019-08-08
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 라용호 , 전대우
IPC分类号： C25B11/04 , C25B1/00 , C30B23/02 , C30B29/40
摘要： 질화갈륨나노와이어광전극과물 간의접촉면적을최대화하여수소발생반응을극대화시켜물분해효율을향상시키기위한전기화학적물분해용질화갈륨나노와이어광전극제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른전기화학적물분해용질화갈륨나노와이어광전극제조방법은 (a) 기판상에금속촉매층을형성하는단계; (b) 상기금속촉매층이형성된기판을 1차어닐링처리하여, 상기기판상에원형의금속나노파티클을형성하는단계; (c) 상기원형의금속나노파티클이형성된기판상에 Ga 박막층및 In 박막층을차례로형성하는단계; (d) 상기 Ga 박막층및 In 박막층이형성된기판을 2차어닐링하여다각형의합금나노파티클을형성하는단계; 및 (e) 상기다각형의합금나노파티클을시드로이용하여다각형의나노와이어를성장시켜질화갈륨나노와이어광전극을형성하는단계;를포함하는것을특징으로한다.

5. 发明公开

KR20200130815A 탄화규소 단결정의 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130815A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：KR20207025406
申请日：2019-02-18
申请人： SHINETSU HANDOTAI KK
发明人： IKEDA HITOSHI , MATSUMOTO YUICHI , EBIHARA MASATO , TAKAHASHI TORU
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36
摘要： 본발명은, 성장용기내에서탄화규소원재료를승화시켜종결정기판상에탄화규소단결정을성장시키는탄화규소단결정의제조방법으로서, 상기종결정기판으로서, 상기성장용기에의설치면이오프앵글 1°이하의 {0001}면이며, 결정성장면이볼록형상의성장잉곳단면인기판을이용하고, 상기종결정기판의직경을상기성장용기의내경의 80% 이상으로하는것을특징으로하는탄화규소단결정의제조방법을제공한다. 이에따라, 오프앵글이없는성장, 즉 C축 로부터기울어짐이없는기저면상의성장방향에있어서도, 이폴리타입이발생하기어렵고, 또한직동률이높은탄화규소단결정을제조할수 있는탄화규소단결정의제조방법이제공된다.

6. 发明公开

KR20200128007A 탄화규소 단결정의 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200128007A
公开(公告)日：2020-11-11
申请号：KR20207024691
申请日：2019-02-14
申请人： SHINETSU HANDOTAI KK
发明人： IKEDA HITOSHI , MATSUMOTO YUICHI , TAKAHASHI TORU
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36
摘要： 본발명은, 성장용기내에서고체탄화규소원재료를승화시켜종결정기판상에탄화규소단결정을성장시키는탄화규소단결정의제조방법으로서, 탄탈(Ta)의분말을카본의분말과함께혼합하여, 상기성장용기내의상기고체탄화규소원재료에부착시키고, 열처리를행하여소결하고, 상기고체탄화규소원재료의표면에탄화탄탈(TaC)의피막을형성한후, 또는형성하면서탄화규소단결정을성장시키는것을특징으로하는탄화규소단결정의제조방법을제공한다. 이에따라, 카본인클루전이저감화된탄화규소단결정의제조방법이제공된다.

7. 发明授权

KR102068933B1 탄화규소 잉곳 성장용 분말 및 이를 이용한 탄화규소 잉곳의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102068933B1
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：KR1020190083910
申请日：2019-07-11
申请人： 에스케이씨 주식회사
发明人： 박종휘 , 구갑렬 , 견명옥 , 김정규 , 최정우 , 고상기 , 장병규 , 심종민
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36

8. 发明授权

KR101882321B1 잉곳 제조 장치 有权
公开(公告)号：KR101882321B1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：KR1020110142891
申请日：2011-12-26
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 허선 , 손창현
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/00 , H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 실시예에따른잉곳제조장치는, 원료를수용하는도가니; 상기원료상에위치하는종자정을고정하는홀더; 및상기도가니내부에특정성분을선택적으로통과시키는필터부를포함하고, 상기필터부는상기도가니의바닥면으로부터경사지는경사면을포함한다.

9. 发明公开

KR1020170099958A 탄화규소 단결정 잉곳의 제조 방법 및 탄화규소 단결정 잉곳 审中-实审
标题翻译：制造方法和碳化硅单晶锭的碳化硅单晶锭
公开(公告)号：KR1020170099958A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020177020007
申请日：2016-02-18
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
发明人： 다니고모모 , 야노다카유키 , 후지모토다츠오 , 츠게히로시 , 가메이가즈히토 , 구스노키가즈히코 , 세키가즈아키
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/06 , C30B29/36 , C30B29/60
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/002 , C30B29/36 , C30B29/06 , C30B29/60
摘要： 본발명은종결정과성장 SiC 단결정의계면근방에서발생하는관통나선전위의증대에대하여, SiC 단결정의성장에따른전위밀도의감소율을향상시키고, 성장의초기단계에서관통나선전위밀도의작은 SiC 단결정잉곳을제조하는방법을제공한다. 본발명은탄화규소단결정으로이루어지는종결정의성장면상에승화재결정법에의해탄화규소단결정을성장시켜탄화규소단결정잉곳을제조하는방법이며, 미리, 종결정의성장면에스텝의높이가 10㎛이상 1㎜이하이며, 테라스의폭이 200㎛이상 1㎜이하인스텝번칭을형성한후, 상기종결정의성장면에승화재결정법에의해탄화규소단결정을성장시키는탄화규소단결정잉곳의제조방법이다.
摘要翻译：本发明终止荣格通过相对于在螺旋电压的增加，以及提高SiC单晶的生长的位错密度的减少率，螺旋位错密度的小的SiC通过发生在所生长的SiC单晶的界面附近生长的单晶锭早提供一种用于制造的方法。本发明是一种生产碳化硅单晶锭，以通过升华再结晶法限定的碳化硅单晶生长端构成的表面上从10㎛1㎜生长碳化硅单晶，提前，现场端jeonguiseong台阶的高度的范围内的方法和用于制造碳化硅单晶锭由宽度的露台200㎛小于1㎜步骤beonching，升华再结晶在所述端jeonguiseong场景方法形成后以生长碳化硅单晶的方法。

10. 发明公开

KR1020160058351A 잉곳 제조 장치 有权
标题翻译：装置制作的装置
公开(公告)号：KR1020160058351A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020140159118
申请日：2014-11-14
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 이재석 , 정창원
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/00 , C01B31/04
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36 , C01B32/20 , C30B23/08 , C30B35/002 , H01L21/205
摘要： 잉곳제조장치에관한것으로, 보다상세하게는도가니의상부에다결정탄화규소성장을억제할수 있으며, 종자정에가해지는열응력을감소키고종자정의배면이열분해로손실되는것을방지할수 있는잉곳제조장치에관하여개시한다. 본발명은상부몸체, 하부몸체및 가이드부재를포함하는도가니를구비하는잉곳제조장치에있어서, 상기상부몸체는상기하부몸체의내경보다작은관통공을구비하고, 상기가이드부재는튜브형상을가지며, 상기가이드부재의상부면의일부는상기상부몸체와밀착되어접촉되고, 상기가이드부재의상부면의나머지부분중 일부는종자정과밀착되어접촉되는것을특징으로하는잉곳제조장치를제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种锭制造装置，更具体地说，涉及一种能够抑制坩埚上部的多晶碳化硅生长的锭制造装置，能够降低施加于种子的热应力，能够防止后表面的种子不会被热分解所损失。本发明提供一种铸锭制造装置，其包括具有上体，下体和引导构件的坩埚，其中，所述上体包括内径小于所述下体的内径的通孔; 引导构件具有管状; 引导构件的上表面的一部分与上体紧密接触; 并且引导构件的上表面的剩余部分与种子紧密接触。

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