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1. 发明公开

KR1020210038519A 다중 와이어 및 방전 가공을 이용한 잉곳 절단 장치 및 잉곳 절단 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210038519A
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：KR1020210040624
申请日：2021-03-29
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 김준수
IPC分类号： B23H7/08 , B23H1/04
摘要： 지립을갖는다중와이어와방전가공을이용하여, 잉곳의금속오염문제를해결하고, 연성소재또는강성소재에맞게절단기술을적용함에따라, 생산성을극대화하는다중와이어및 방전가공을이용한잉곳절단장치및 잉곳절단방법에대하여개시한다. 본발명에따른잉곳절단장치는잉곳의상하방향으로이송되며, 외주면에지립을포함하는다중와이어; 상기잉곳과다중와이어에연결되는전극; 및상기잉곳과다중와이어사이에아크방전이이루어지도록상기전극에전원을공급하는전원공급부;를포함하며, 상기다중와이어는잉곳표면에비접촉되어, 상기지립표면과잉곳표면사이에방전을발생시키고, 상기와이어표면과잉곳표면사이에와이어방전을발생시켜잉곳을절단하는것을특징으로한다.

2. 发明公开

KR1020170053804A 오염 및 파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 제조 장치 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于产生污染和损害预防效果处理是优异的硅晶片的制造装置和使用该相同的硅晶片。
公开(公告)号：KR1020170053804A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150156005
申请日：2015-11-06
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 최선호 , 송희은 , 김준수
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02 , H01L21/67
摘要： 오염및 파손방지효과가우수한실리콘웨이퍼제조장치및 이를이용한실리콘웨이퍼제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른실리콘웨이퍼제조장치는, 실리콘잉곳을쏘잉하여생성된웨이퍼표면을세척하는실리콘웨이퍼제조장치에있어서, 상기잉곳의상부표면에부착되는지그; 상기잉곳과지그의맞닿은면에부착되되, 상기잉곳의길이방향으로중앙에홈이형성되고, 상기홈의양쪽에이격배치된빔; 상기잉곳을쏘잉하는와이어쏘우; 및상기웨이퍼표면에세척액을주입하는제1 및제2 액상주입부;을포함하고, 상기제1 액상주입부는상기빔의홈에구비되는것을특징으로한다.
摘要翻译：使用的制造装置和污染和防止破损的效果是优秀的硅晶片此，公开了一种制造硅晶片的方法。根据本发明的硅晶片的制造装置，在用于清洗由ssoing硅锭中产生的晶片表面，即安装于锭的上表面的硅晶片的制造装置; 附连到所述锭和所述夹具的所述抵接面的doedoe，形成在所述锭的长度方向的中央的槽，间隔开的上置梁的每一侧布置; 用于锯切所述锭的线锯; 和用于喷射清洗液，以在晶片表面，其特征在于，在所述光束包括的槽设置的第一mitje第二液体喷射单元，所述第一液体喷射吹。

3. 发明公开

KR1020160009817A 플라즈마를 이용한 Si-C 복합체 제조장치 및 이를 이용한 Si-C 복합체 제조방법 有权
标题翻译：使用等离子体源的SI-C的制造装置和使用其的制造方法
公开(公告)号：KR1020160009817A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140090084
申请日：2014-07-16
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 구정분 , 김준수 , 이진석
IPC分类号： B01J19/08 , C01B31/36
CPC分类号： B01J19/08 , B01J19/18 , C01B32/956
摘要： 플라즈마를이용한실리콘-탄소(Si-C) 복합체를제조하는기술에관한것으로, 보다상세하게는플라즈마를이용하여실리콘나노입자를형성하고, 실리콘나노입자와탄소를복합화하는 Si-C 복합체제조장치및 제조방법에관하여개시한다. 본발명은반응공간을제공하는반응챔버; 상기반응챔버의상측에구비되며, 플라즈마를발생시켜실리콘전구체를분해하여 Si 입자를생성하는플라즈마토치부; 상기반응챔버내부에구비되며, 상기반응챔버내부로공급되는 Si 입자를냉각하는냉각부; 및상기반응챔버내부로탄소구조체를공급하는탄소체공급부;를포함하고, 상기반응챔버내부에서상기실리콘입자와상기탄소구조체가복합화되는것을특징으로하는플라즈마를이용한 Si-C 복합체제조장치를제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种通过使用等离子体制造硅 - 碳（Si-C）络合物的技术，更具体地说，涉及用于通过使用等离子体形成硅纳米颗粒并用于使硅复合的Si-C复合物的制造装置纳米颗粒和碳。本发明包括：用于提供反应空间的反应室; 设置在反应室上侧的等离子体焰炬单元，用于通过产生等离子体并降解硅前体产生Si颗粒; 设置在反应室内的用于冷却供应到反应室内部的Si粒子的冷却单元; 以及用于将碳结构供给到反应室内部的碳体供给单元。提供了使用等离子体的Si-C复合体的制造装置，其中硅颗粒和碳结构在反应室内络合。

4. 发明公开

KR1020150039010A 태양전지모듈의 해체 방법 无效
标题翻译：拆分太阳能电池模块的方法
公开(公告)号：KR1020150039010A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020130117489
申请日：2013-10-01
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이진석 , 안영수 , 장보윤 , 김준수 , 강기환 , 정태희
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/042
摘要： 본발명의실시예에따른태양전지모듈의해체방법은태양전지모듈을유기용매에담궈상기태양전지모듈의태양전지셀을감싸는절연성보호층을제거하는단계; 상기태양전지모듈의유리를획득하는단계; 및상기태양전지모듈의태양전지셀을획득하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的分解太阳能电池模块的方法包括以下步骤：通过将太阳能电池模块浸入有机溶剂中去除围绕太阳能电池模块的太阳能电池的绝缘保护层; 获得太阳能电池模块的玻璃; 并获得太阳能电池模块的太阳能电池。

5. 发明公开

KR1020150039005A 태양전지의 금속회수방법 有权
标题翻译：用于回收太阳能电池金属的方法
公开(公告)号：KR1020150039005A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020130117477
申请日：2013-10-01
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이종현 , 류홍렬 , 이진석 , 안영수 , 장보윤 , 김준수 , 강기환
IPC分类号： C25C1/20 , C25C7/00 , C25C7/02 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , C25C1/20 , C25C7/00 , C25C7/02 , H01L31/042
摘要： 본발명의실시예에따른태양전지의금속회수방법은제1 전극과제2 전극을포함하는태양전지로부터상기제1 전극의제1 구성물질을분리하는것에관한것으로, 상기태양전지와고용물질을혼합하는단계; 상기제1 구성물질과상기고용물질의고용체를생성하는단계; 및상기고용체로부터상기제1 구성물질을분리하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的用于回收太阳能电池的金属的方法涉及第一电极的第一化合物与包括第一电极和第二电极的太阳能电池的分离。用于回收太阳能电池的金属的方法包括以下步骤：将太阳能电池和固体溶解的材料混合; 产生第一化合物和固溶体的第一化合物固溶体; 并将第一化合物与固溶体分离。

6. 发明授权

KR101509086B1 태양전지의 금속회수방법 有权
标题翻译：用于回收太阳能电池金属的方法
公开(公告)号：KR101509086B1
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020130117482
申请日：2013-10-01
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이종현 , 류홍렬 , 이진석 , 안영수 , 장보윤 , 김준수 , 강기환
IPC分类号： C25C1/20 , C25C7/00 , C25C7/02 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , C25C3/00 , C25C7/00 , C25C7/02 , Y02P10/212
摘要： 본발명의실시예에따른태양전지의금속회수방법은제1 전극과제2 전극을포함하는태양전지로부터상기제2 전극의제2 구성물질을분리하는태양전지의금속회수방법에관한것으로, 상기태양전지와알칼리성수용액을혼합하는단계, 상기알칼리성수용액을상기제1 전극및 상기제2 전극중 상기제2 전극과선택적으로반응시키는단계및 상기반응에따라상기태양전지로부터상기제2 구성물질을분리하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的用于回收太阳能电池的金属的方法从第一电极和第二电极的太阳能电池分离第二电极的第二部件包括以下步骤：将太阳能电池和碱性水溶液解; 在第一电极和第二电极之间选择性地使碱性水溶液与第二电极反应; 并且在反应时将第二组分与太阳能电池分离。

7. 发明授权

KR101483695B1 실리콘의 정련 장치 有权
标题翻译：用于精炼硅的设备
公开(公告)号：KR101483695B1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130029663
申请日：2013-03-20
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안영수 , 이진석 , 장보윤 , 김준수
IPC分类号： C30B13/14 , C30B13/28
摘要： 실리콘의 정련 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 정련 장치는 실리콘 용탕이 저장되며, 상부가 개방된 실리콘 용융부 및 상기 실리콘 용융부 내측에서 연장되어 내부에 유로를 형성하는 하나 이상의 격벽을 포함한다.

8. 发明授权

KR101441985B1 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치 및 이를 이용한 실리콘 박판 제조 방법 有权
标题翻译：使用连续铸造的太阳能电池用硅薄板的制造方法和使用其的硅薄板的制造方法
公开(公告)号：KR101441985B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020130019736
申请日：2013-02-25
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 이진석 , 김준수
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 실리콘 박판 제조의 생산성 및 품질 향상에 기여할 수 있는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치 및 이를 이용한 실리콘 박판 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치는 실리콘 원료가 장입되어 용융되는 공간을 제공하는 도가니부; 상기 도가니부의 외벽과 외부 바닥면에 각각 배치되며, 상기 도가니부 내에 장입된 실리콘 원료를 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 가열부; 상기 도가니부로부터의 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 일측 벽면을 관통하는 토출구를 통해 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 실리콘 용탕 저장부; 및 상기 토출구를 통해 토출되는 실리콘 용융물을 냉각 및 고화시켜 실리콘 박판을 형성하는 실리콘 박판 주조부;를 포함하며, 상기 실리콘 박판 주조부는 내부에 상기 토출구와 수평으로 연결되는 주조 공간을 구비하는 주조부 몸체와, 상기 주조부 몸체를 가열하여 상기 실리콘 기판이 고화되는 온도를 제어하는 보조 가열 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

9. 发明公开

KR1020140115066A 실리콘 잉곳 제조 장치 有权
标题翻译：制造硅胶的装置
公开(公告)号：KR1020140115066A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020130029664
申请日：2013-03-20
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이진석 , 안영수 , 장보윤 , 김준수
IPC分类号： C30B13/14 , C30B11/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00 , C30B11/002
摘要： Disclosed is an apparatus for manufacturing a silicon ingot. The apparatus for manufacturing a silicon ingot according to an embodiment of the present invention includes a dummy cylinder prepared inside a single-direction coagulator for coagulating molten silicon, while having an accommodation unit having an accommodation space for accommodating the molten silicon therein.
摘要翻译：公开了一种用于制造硅锭的装置。根据本发明的实施例的用于制造硅锭的装置包括：制备在用于凝固熔融硅的单向凝结器内部的虚拟圆筒，同时具有用于容纳熔融硅的容纳空间的容纳单元。

10. 发明授权

KR101439184B1 실리콘 나노 입자 제조장치 有权
标题翻译：硅胶无颗粒发生装置
公开(公告)号：KR101439184B1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：KR1020130036854
申请日：2013-04-04
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 김준수 , 이진석
IPC分类号： C01B33/021 , B01J19/26 , B82B1/00
CPC分类号： C01B33/027 , B01J19/088 , B01J2219/0894 , C01P2004/64
摘要： In a silicon nanoparticle generating apparatus of the present invention, non-reacting and non-degraded silane gas (SiH_4) created in a plasma area of inductive coupled plasma (ICP) producing nanoparticles by chemical reaction induction forms pressure by being collected to an inner room of a reaction path, as included is a gas circulating device (10) re-supplying non-reacting and non-degraded silane gas (SiH_4) toward the ICP because of increased pressure in the inner room. Thus, preparation efficiency of silicon nanoparticles is greatly increased while use of silane gas (SiH_4) is decreased due to utilization of the non-reacting and non-degraded silane gas (SiH_4), and particularly, preparation costs are reduced through increase of preparation efficiency, while the scrubbing amount for removing non-reacting and non-degraded silane gas (SiH_4), is also significantly decreased.
摘要翻译：在本发明的硅纳米颗粒发生装置中，通过化学反应诱导产生的感应耦合等离子体（ICP）等离子体（ICP）等离子体区域中产生的非反应性和非劣化性硅烷气体（SiH 4）通过收集到内部空间而形成压力包括的反应路径是由于内部室内的压力增加而向ICP提供非反应性和非劣化性硅烷气体（SiH_4）的气体循环装置（10）。因此，由于利用非反应性和非劣化性硅烷气体（SiH_4），硅烷气体（SiH_4）的使用量降低，因此硅纳米粒子的制备效率大大提高，特别是通过提高制备效率来降低制备成本，而用于除去非反应性和未劣化的硅烷气体（SiH_4）的洗涤量也显着降低。

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