基本信息:
- 专利标题： 탄화규소 단결정 제조 장치
- 专利标题（英）：Apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal
- 专利标题（中）：制造单晶碳化硅的装置
- 申请号：KR1020110134714 申请日：2011-12-14
- 公开(公告)号：KR101447476B1 公开(公告)日：2014-10-06
- 发明人： 도쿠다유이치로 , 하라가즈쿠니 , 고지마준
- 申请人： 가부시키가이샤 덴소
- 申请人地址： 일본 아이치켄 ***-**** 가리야시 쇼와쵸 *-*
- 专利权人： 가부시키가이샤 덴소
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 덴소
- 当前专利权人地址： 일본 아이치켄 ***-**** 가리야시 쇼와쵸 *-*
- 代理人： 특허법인신성
- 优先权： JPJP-P-2010-280308 2010-12-16
- 主分类号： C30B23/02
- IPC分类号： C30B23/02 ; C30B29/36 ; H01L21/20
摘要：
탄화규소 단결정(20)을 제조하기 위한 장치는 상기 시드 결정하에서 원료가스(3)를 공급함으로써 시드 결정(5)에 탄화규소 단결정을 성장시킨다. 상기 장치는 가열용기(8) 및 상기 가열용기에 위치되는 베이스(9)를 포함한다. 상기 시드 결정은 상기 베이스에 장착된다. 상기 장치는 상기 히팅장치의 내부 벽면을 따라 퍼지가스가 유동하도록 하기 위한 제1 유입구(8b), 상기 퍼지가스를 상기 제1 유입구로 공급하는 퍼지가스 공급원(14), 상기 베이스의 외부 벽면을 따라 퍼지가스가 유동하도록 하기 위한 제2 유입구(93), 및 상기 베이스 하에서 상기 베이스에 퍼지가스를 공급하고 상기 베이스를 지지하기 위한 기구(11)를 포함한다.
摘要（英）：
A silicon carbide device for producing a single crystal 20 is grown a silicon carbide single crystal on the seed crystal (5) by supplying a raw material gas (3) under the seed crystal. The apparatus includes a base (9) being located in heating vessel 8 and the heating vessel. Wherein the seed crystal is mounted to the base. The apparatus in accordance with the external wall surface of the purge gas source 14, the base that supplies a first inlet for causing purge gas to flow along the inner wall surface of the heating device (8b), the purge gas to the first inlet supplying a second inlet 93, and the purge gas to the base under the base for a purge gas to flow and includes a mechanism 11 for supporting the base.
公开/授权文献:
- KR1020120067944A 탄화규소 단결정 제조 장치 公开/授权日：2012-06-26