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1. 发明公开

KR1020180034048A 노광용 광원모듈 유닛 및 그 광원모듈 유닛이 구비된 노광장치 有权
标题翻译：曝光光源模块单元和设置有该光源模块单元的曝光设备
公开(公告)号：KR1020180034048A
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160124076
申请日：2016-09-27
申请人： (주)블루코어
发明人： 조남직 , 인치억 , 박종원 , 송우리 , 정해일
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/70008 , G03F7/2004 , G03F7/201 , G03F7/70241 , G03F7/70275
摘要： 본발명은노광용광원모듈유닛을개시한다. 본발명에의한노광용광원모듈유닛은, 다수의자외선발광소자가어레이구조로이루어진광원패널과, 발광소자의광출사측에배치되는투광패널에일체형어레이배열구조로집적화된복수의단위집광렌즈가단위발광소자에각각대응되는위치에서주광축에대해자외선발광소자어레이의중심을지나는임의의기준중심축선측으로편심된상태의매트릭스형태의어레이구조로이루어진광학패널을포함하며, 단위집광렌즈는광 입사면이평면과, (-)0.15 이내의곡률(R)을가지는오목면및 (+)0.15 이내의곡률(R)을가지는볼록면중에서선택된어느하나의형태로형성되는동시에광 출사면은볼록렌즈로형성되고, 외선발광소자와단위집광렌즈의이격거리(C1))는집광렌즈의직경(d)에대하여 C1/d
摘要翻译：本发明公开了一种曝光用光源模块单元。根据本发明的曝光光源模块的单元是多个紫外线发光装置的在光源面板，所述多个单位聚光透镜的集成为在设置在由单元阵列结构的发光装置的光出射侧的透光性板的单件阵列布置在包括发光装置中的每个相应的位置上：在朝向穿过紫外线发光相对于主光轴的元件阵列的中心轴线的偏心状态的形式，包括任何的矩阵的基准中心阵列结构的光学面板，所述单元聚光用透镜是与光入射面并且具有（ - ）不大于0.15的曲率R和小于（+）0.15的曲率（R）的凹面的凸面，并且光出射面形成为凸透镜并且外部发光元件和单元聚光透镜之间的距离C1）被设置为相对于聚光透镜的直径d满足C1 / d <0.5的值。根据该结构，可以有效地集中在从紫外线发光装置可以实现光量的最大化的各单元发射的曝光装置的漫射光的光接收区域，由于低功耗，并且特别地，高效率，单个波长，高输出时，短波长的紫外线可以确保能够使曝光图案小型化并显着提高分辨率的曝光性能，并且为常规曝光设备的光源提供实用且经济的替代方案。

2. 发明公开

KR1020160148481A 노광 장치 및 물품의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：曝光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160148481A
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020160074868
申请日：2016-06-16
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 사노히로타카 , 야마모토테츠야
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70558 , G03F7/201 , G03F7/2004 , G03F7/70008 , G03F7/70266 , G03F7/70758
摘要： 본발명은, 회전셔터와, 상기회전셔터의회전속도와, 그회전속도로, 상기회전셔터의회전을정지시키지않고, 상기회전셔터가빛을차광하는제1상태, 상기회전셔터가상기빛을통과시키는제2상태, 상기제1상태의순서로이행하도록, 상기회전셔터를회전시켰을때의기판의노광량간의관계를나타내는제1정보에근거하여, 숏영역에대한노광처리에있어서의상기기판의노광량이목표노광량과일치하도록, 상기회전셔터의회전속도를제어하는제어부를구비한노광장치를제공하고, 상기제어부가, 상기빛의조도의변화에관한제2정보에근거하여상기제1정보를갱신한다.
摘要翻译：本发明提供了一种曝光装置，包括旋转快门和控制单元，该控制单元被配置为基于在拍摄区域的曝光处理中基于目标曝光量来控制旋转快门的旋转速度，以使基板上的曝光量与曝光量相匹配第一信息指示当旋转快门以旋转速度旋转时旋转快门的旋转速度与基板上的曝光量之间的关系，而不停止旋转快门的旋转，从而从第一状态旋转快门将光遮蔽到第二状态，其中旋转快门通过光然后回到第一状态，其中控制单元基于关于光的照度变化的第二信息来更新第一信息。

3. 发明公开

KR1020160091116A 노광장치 无效
标题翻译：曝光装置
公开(公告)号：KR1020160091116A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011376
申请日：2015-01-23
申请人： 무진전자 주식회사
发明人： 김종만 , 이한승
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70008 , H01L21/0274
摘要： 본개시는광을가이드하여웨이퍼를노광하는노광장치(an exposure apparatus)에있어서, 광을방사하는광원장치; 웨이퍼가놓이는웨이퍼스테이지(a wafer stage); 그리고광원장치로부터광을받는광입력부를가지며, 광을가이드하여웨이퍼로조사되기위한광으로변환하는광 가이드시스템;을포함하며, 광원장치는: 제1 기판, 및제1 기판에구비된적어도하나의반도체발광소자를포함하며, 광입력부를향하여광을방사하는제1 광원모듈; 그리고제2 기판, 및제2 기판에구비된적어도하나의반도체발광소자를포함하며, 광입렵부를향하여광을방사하는제2 광원모듈;을포함하는것을특징으로하는노광장치에관한것이다.
摘要翻译：本公开涉及通过引导光将晶片暴露于光的曝光装置。曝光装置包括：发光的光源装置; 允许将晶片放置在其上的晶片台; 以及导光系统，其具有从所述光源装置接收光的光输入单元，以及引导光将所述光照射到所述晶片。光源装置包括：第一光源模块，包括第一基板和设置在第一基板上的至少一个半导体发光器件，并朝向光输入单元发射光; 以及第二光源模块，包括第二基板和设置在第二基板上的至少一个半导体发光器件，并朝向光输入单元发射光。

4. 发明公开

KR1020160091115A 노광장치용 광원장치 无效
标题翻译：曝光装置中使用的光源装置
公开(公告)号：KR1020160091115A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011375
申请日：2015-01-23
申请人： 무진전자 주식회사
发明人： 김종만 , 이한승
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70008 , H01L21/0274
摘要： 본개시는광을가이드하여웨이퍼를노광하는노광장치의광입력부(a light receiving part)에광을방사하는(emitting) 노광장치(an exposure apparatus)용광원장치(a light source device)에있어서, 제1 기판, 및제1 기판에구비된적어도하나의반도체발광소자를포함하며, 광입력부를향하여광을방사하는제1 광원모듈; 그리고제2 기판, 및제2 기판에구비된적어도하나의반도체발광소자를포함하며, 광입렵부를향하여광을방사하는제2 광원모듈;을포함하는것을특징으로하는노광장치용광원장치에관한것이다.
摘要翻译：公开了一种在曝光装置中使用的光源装置，其向曝光装置的光接收部分发光，其中光接收部分通过引导光来曝光晶片。光源装置包括：第一光源模块，包括第一基板和设置在第一基板上的至少一个半导体发光器件，并将光发射到光接收部分; 以及第二光源模块，包括第二基板和设置在第二基板上的至少一个半导体发光器件，并将光发射到光接收部分。公开了一种在曝光装置中使用的具有提高的冷凝效率并且易于维护的光源装置。

5. 发明公开

KR1020150026944A 광조사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光照射装置，基板处理装置及其生产基板处理装置的方法
公开(公告)号：KR1020150026944A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140113184
申请日：2014-08-28
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 시마이후토시 , 사토아키히코 , 호소다히로시 , 지바마사키
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/26 , G03F7/40 , G03F7/70008 , G03F7/70275 , G03F7/70875 , H01L21/67196 , H01L21/67748
摘要： 소정면을 갖고, 기판을 수용 가능한 챔버와,
상기 소정면에 형성되고, 상기 기판의 반입 및 반출이 가능한 기판 반입출구와,
상기 기판 반입출구를 통과하여 상기 챔버의 내부에 반입되는 상기 기판이 상기 기판 반입출구를 통과하여 상기 챔버의 외부로 반출되도록 상기 챔버의 내부에서 상기 기판을 이동시키는 기판 이동부와,
상기 챔버의 내부를 이동하는 상기 기판에 대하여 소정 파장의 광을 조사하는 광조사부를 구비하는 광조사 장치.
摘要翻译：光照射装置包括具有一定表面并存储基底的腔室; 形成在一定表面上并具有基板的基板进入孔被取出; 基板移动部，通过在穿过基板进入孔之后通过基板进入孔而将通过基板的内部移动到基板的室内，将其排出到室外; 以及照射在室内移动的基板的一定波长的光的光照射部。

6. 发明公开

KR1020140058751A 선광원 발생장치와, 선광원 발생장치를 구비한 노광기와, 선광원 발생장치에 사용되는 렌티큐라시스템. 审中-实审
标题翻译：线型灯光曝光装置和灯具组件
公开(公告)号：KR1020140058751A
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120124419
申请日：2012-11-05
申请人： 제이엔씨 주식회사
发明人： 성낙훈
IPC分类号： G03B21/60 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/201 , G03F7/70008 , G03F7/70275 , G03F7/70283 , G03F7/70841 , G03F7/709
摘要： The present invention relates to a linear light source generating device, a lenticular system used in the linear light source generating device, and an exposure apparatus having the linear light source generating device. The present invention also relates to a method of manufacturing a fine linear light source. The linear light source generating device according to the present invention is made by using a property of a linear light source owned by a lenticular. In order to implement a nano-sized linear light source efficiently, a lenticular system used in the linear light source generating device is utilized in the present invention. Also, the present invention adopts the linear light source generating device to an exposure apparatus field so as to configure an exposure apparatus having the linear light source generating device. According to the present invention, the linear light source generating device is composed of a light source and a lenticular system. Preferably, the light source uniformly illuminates the lenticular system, and it is desired for the light source to illuminate an overall surface of the lenticular system at a uniform intensity. In an ideal embodiment, the light emitted from the light source is guided perpendicularly downwards after passing the linear light source generating device. To this end, a perpendicular light lenticular is used.
摘要翻译：线性光源产生装置，线状光源产生装置中使用的透镜系统以及具有该线性光源生成装置的曝光装置技术领域本发明涉及一种线性光源生成装置，本发明还涉及一种制造精细线性光源的方法。根据本发明的线性光源产生装置是通过使用由透镜所拥有的线性光源的特性制成的。为了有效地实现纳米尺寸线性光源，在本发明中利用了用于线性光源产生装置的透镜系统。此外，本发明采用线性光源产生装置进行曝光装置领域，以构成具有线性光源产生装置的曝光装置。根据本发明，线状光源生成装置由光源和透镜系统构成。优选地，光源均匀地照射透镜系统，并且期望光源以均匀的强度照亮透镜系统的整个表面。在理想的实施例中，从光源发射的光在通过线性光源产生装置之后被垂直向下引导。为此，使用垂直光透镜。

7. 发明公开

KR1020130131473A 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020130131473A
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020137026632
申请日：2004-03-30
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 구도다케히토 , 히루카와시게루
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/207
CPC分类号： G03F7/70191 , G03B27/42 , G03F7/70091 , G03F7/701 , G03F7/70108 , G03F7/70158 , G03F7/70566 , G03F7/70008
摘要： An exposure method and apparatus for simultaneously transferring patterns with various pitches with high resolution. On the pupil surface of an illumination system, nine areas are set. The nine areas are a first area (28) including the optical axis (BX), four second areas (29A to 29D) each smaller than the first area and arranged along a first circumference (32A) surrounding the first area (28), and four third areas (30A to 30D) each smaller than the first area and arranged along a second circumference (32B) surrounding the first circumference (32A) and arranged along a second circumference. The distribution of intensity of light over the pupil surface is so set that the intensities of light over the nine areas are approximately equal to one another, and the intensity of light over the other area is smaller than those over the nine areas. This distribution of intensity of light is set using a diffraction optical element or a diaphragm.

8. 发明授权

KR101193419B1 Semiconductor photolithography apparatus 有权
标题翻译：半导体光刻设备
公开(公告)号：KR101193419B1
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR20120066196
申请日：2012-06-20
申请人： JUSTIN BD & L CO LTD
发明人： KIM SANG WOOK , KIM DOO MIN
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/70008
摘要： PURPOSE: A semiconductor exposing apparatus is provided to efficiently cool a UV LED by discharging heat from the UV LED to the outside of a housing part using a first heat discharge pipe and a second heat discharge pipe. CONSTITUTION: An optical fiber(140) is inserted into a housing part. A heat discharging unit(150) is formed in the housing part to be arranged on the upper side of the UV LED and includes a first heat discharge pipe(151) and a second heat discharge pipe(152). The first heat discharge pipe is arranged on the upper side of the UV LED. The second heat discharge pipe is connected to the first heat discharge pipe.
摘要翻译：目的：提供一种半导体曝光装置，用于通过使用第一放热管和第二放热管将UV LED照射到壳体部分的外部来有效地冷却UV LED。构成：将光纤（140）插入壳体部分。在所述壳体部分上形成放热单元（150），所述放热单元设置在所述UV LED的上侧，并且包括第一排热管（151）和第二排热管（152）。第一排热管布置在UV LED的上侧。第二排热管与第一排热管连接。

9. 发明公开

KR1020110092924A 플라즈모닉 광학 장치의 병렬 프로브의 제조방법 有权
标题翻译：接触式等离子光学纳米探针，由纳米探针组成的探针阵列，包括探针阵列的等离子体光学装置，以及用于制备纳米探针和探针阵列的方法
公开(公告)号：KR1020110092924A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012629
申请日：2010-02-11
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 한재원
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F7/7035 , Y10T29/49 , G03F7/2051 , G03F7/70008 , G03F7/7055
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a parallel probe of a plasma monic optical device is provided to manufacture a plurality of probe modules on a wafer at the same time, thereby reducing manufacturing costs. CONSTITUTION: A plurality of probe modules(110) is arranged on a substrate(101). The probe module is composed of a probe tip(120) and a spring. The spring is located on the outer circumference of the probe tip. A thin metal film(122) is coated on the probe tip. A nano aperture(125) is placed on the thin metal film. A protective layer(127) is formed on the probe tip to protect the contact surface of the probe tip.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造等离子体单色光学器件的并行探针的方法，以在同一时间在晶片上制造多个探针模块，从而降低制造成本。构成：多个探针模块（110）布置在基底（101）上。探针模块由探针尖端（120）和弹簧构成。弹簧位于探针尖端的外周。金属薄膜（122）被涂覆在探针尖端上。将纳米孔（125）放置在薄金属膜上。在探针尖端上形成保护层（127），以保护探针尖端的接触表面。

10. 发明公开

KR1020110016130A Ｘ―선을 이용한 금속 전극패턴 제조방법, 그 방법에 의해 제조된 금속 전극패턴 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 有权
标题翻译：使用X射线光刻工艺的金属电极的制造方法，金属电极通过包括其的方法和等离子体显示面板
公开(公告)号：KR1020110016130A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090073676
申请日：2009-08-11
申请人： 경북대학교 산학협력단
发明人： 박이순 , 양동열 , 류승민
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2039 , G03F7/0042 , G03F7/70008 , H01J17/49
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a metallic electrode pattern using X-ray is provide to uniformly reach bottom contacting a substrate and to form a metallic electrode pattern on the substrate. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metallic electrode pattern comprises: a step of coating photosensitive metallic paste on a substrate and drying to form a coat(S110); a step of arranging X-ray mask and irradiating X-ray(S120); a step of developing the coat to form electrode pattern(S130); and a step of firing the electrode pattern to form sintered electrode pattern(S140). The wavelength of X-ray is 0.01-10 nm. The X-ray irradiated using X-ray tube.
摘要翻译：目的：提供使用X射线制造金属电极图案的方法，以均匀地达到与基板接触的底部并在基板上形成金属电极图案。构成：金属电极图案的制造方法包括：将感光性金属膏涂布在基板上并干燥以形成涂层的步骤（S110）; 设置X射线掩模和照射X射线的步骤（S120）; 显影涂层以形成电极图案的步骤（S130）; 以及烧制电极图案以形成烧结电极图案的步骤（S140）。 X射线的波长为0.01-10nm。使用X射线管照射X射线。

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