专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102482590B1 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 소자, 유기 EL 소자, 감방사선성 수지 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102482590B1
公开(公告)日：2022-12-28
申请号：KR1020180032028
申请日：2018-03-20
IPC分类号： H10K99/00 , H01L29/786 , C08L83/04 , C08L83/14 , G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
摘要： (과제) 고온처리시에백화하기어렵고, 아웃가스의발생이억제된층간절연막을구비하는박막트랜지스터기판, 이것을구비하는액정표시소자나유기 EL 소자및, 당해층간절연막을적합하게형성할수 있는감방사선성수지조성물, 그리고박막트랜지스터기판의제조방법을제공한다. (해결수단) 기판과, 상기기판상에배치된박막트랜지스터와, 상기박막트랜지스터의위에배치된층간절연막을갖는박막트랜지스터기판으로서, 상기층간절연막이, 하기식 (1)로나타나는구조를갖는중합체를포함하는박막트랜지스터기판에관한것이다. JPEG112018027744737-pat00014.jpg3084 (식 (1) 중, R1은, 헤테로원자를포함하는 2가의연결기를나타내고, R2는, 방향환을포함하는 1가의유기기를나타낸다. *는결합부위를나타낸다.)

2. 发明授权

KR102454445B1 아릴렌기를 갖는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 有权
公开(公告)号：KR102454445B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：KR1020177008745
申请日：2015-10-27
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08G61/12

3. 发明授权

KR102437302B1 용제치환법을 이용한 레지스트패턴 도포용 조성물의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102437302B1
公开(公告)日：2022-08-29
申请号：KR1020197005312
申请日：2017-10-02
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： [과제] 용제현상리소그래피프로세스로패턴화된레지스트막상에도포하여패턴을반전시키기위한도포용조성물의제조방법을제공한다. [해결수단] 가수분해성실란을비알코올계친수성용제중에서가수분해축합하여가수분해축합물을얻는공정 (A), 이가수분해축합물에대하여그 비알코올계친수성용제를소수성용제로용매치환하는공정 (B)을포함하는패턴화된레지스트막에도포되는조성물의제조방법. 기판상에레지스트조성물을도포하고레지스트막을형성하는공정 (1), 이레지스트막을노광과현상하는공정 (2), 공정 (2)의현상중 또는현상후에얻어지는패턴화된레지스트막에상기의제조방법에의해얻어진조성물을도포하고, 패턴간에도막을형성하는공정 (3), 패턴화된레지스트막을에칭제거하여패턴을반전시키는공정 (4)을포함하는반도체장치의제조방법. 노광이 ArF레이저(파장 193nm) 또는 EUV(파장 13.5nm)를이용하여행해지는제조방법. 현상이유기용제에의한네거티브형현상인제조방법.

4. 发明授权

KR102422401B1 방향성 자가-조립 패턴 형성방법 및 조성물 有权
公开(公告)号：KR102422401B1
公开(公告)日：2022-07-18
申请号：KR1020140195926
申请日：2014-12-31
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40

5. 发明授权

KR102419121B1 LED 매트릭스 어레이를 형성하기 위한 2단계 인광체-퇴적을 지원하는 포토레지스트 패터닝 프로세스 有权
公开(公告)号：KR102419121B1
公开(公告)日：2022-07-11
申请号：KR1020217022895
申请日：2019-12-17
IPC分类号： G03F7/40 , H01L33/50 , H01L33/00
摘要： 기판상에포토레지스트구조체들을패터닝하는것을제공하는단계들을포함하는, 실리콘구조체들의저온경화를위한방법이설명된다. 포토레지스트구조체들은축합경화실리콘시스템으로적어도부분적으로채워질수 있는적어도하나의개방영역을정의한다. 기상촉매퇴적은축합경화실리콘의경화를가속화하기위해사용되고, 포토레지스트구조체가제거되어독립형또는층형실리콘구조체들을남긴다. 반사성금속또는다른재료로코팅될수 있는인광체함유실리콘구조체들이이 방법에의해가능해진다.

6. 发明公开

KR1020220088311A 현상 방법 및 기판 처리 시스템 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220088311A
公开(公告)日：2022-06-27
申请号：KR1020210172782
申请日：2021-12-06
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/004 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/67 , C11D7/26 , C11D11/00
摘要： 금속함유도포막의현상처리시에발생하는기판표면의잔사물의양을저감시킨다. 기판의현상처리를행하는현상방법이며, 금속함유도포막이소정의패턴으로노광된상기기판에유기용제를포함하는현상액을공급하는공정과, 상기현상액이공급된상기기판에유기용제를포함하는세정액을공급하는공정을구비하고, 상기세정액은, 상기현상액보다상기금속함유도포막의용해성이작다.

7. 发明授权

KR102380068B1 수지 조성물, 경화막, 반도체 장치 및 그들의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102380068B1
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：KR1020197001744
申请日：2017-09-25
IPC分类号： G03F7/023 , C08L79/08 , C08L71/00 , C08K5/17 , G03F7/037 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L23/28 , H01L23/522 , H01L23/485 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： (A) 폴리이미드, 폴리이미드전구체, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조옥사졸전구체, 기타폴리아미드및 이들의공중합체로부터선택되는 1종류이상의수지, (D) 에폭시기수가 3 이상인열가교제를포함하는수지조성물로서, 또한 (E) 분자량이 60 이상 1000 이하인제3급아미드구조를갖는화합물을포함하는수지조성물. 보존안정성이나노광후 지연안정성이우수하고, 저온에서의가열처리에의해경화가가능하면서, 내약품성이높은경화막을얻을수 있으며, 또한그 경화막을적용한디바이스의신뢰성시험후에있어서의디바이스특성의저하를억제할수 있는수지조성물을제공한다.

8. 发明授权

KR102367868B1 경화막 및 그의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102367868B1
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：KR1020187006713
申请日：2016-09-20
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/16 , C08G69/02 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/40
摘要： 고신도성, 저응력성, 금속구리고밀착성의경화막을제공한다. 감광성수지조성물을경화한경화막으로서, 상기감광성수지조성물이폴리히드록시아미드를함유하고, 상기경화막에있어서의상기폴리히드록시아미드의폐환율이 10% 이하인것을특징으로하는경화막.

9. 发明授权

KR102344939B1 에칭용 마스크 레지스트 조성물, 이를 이용한 기판의 제조 방법 및 발광 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102344939B1
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：KR1020187019604
申请日：2017-03-17
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/037 , G03F7/09 , G03F7/40 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L33/12 , H01L33/22
摘要： 본발명은, 일반식(1)로나타내는구조단위를주성분으로하는폴리이미드및 (B) 광산발생제를포함하는조성물로서, 폴리이미드(A)의이미드기당량이 0.0025몰/g 이상인것을특징으로하는에칭용마스크레지스트조성물에관한것이다. TIFF112018067418919-pct00041.tif34101 [일반식(1) 중, R1은탄소수 2∼50의 2가의유기기를나타내고, R2는탄소수 2∼50의 3가또는 4가의유기기를나타내며, m1은 0 또는 1, c1은 0 또는 1이고, m1=0일때 c1=1, m1=1일때 c1=0임] 100℃∼300℃의고온하로되는고출력드라이에칭처리에있어서도레지스트버닝이나탄화가생기지않고, 또한저온에서레지스트경화를행해도, 높은에칭내성이얻어지므로, 면내균일성이높은사파이어패턴이얻어지는에칭용마스크레지스트조성물을제공할수 있다.

10. 发明授权

KR102261223B1 네거티브형 감광성 수지 조성물 및 경화 릴리프 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102261223B1
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：KR1020190042603
申请日：2019-04-11
申请人： 아사히 가세이 가부시키가이샤
发明人： 시오사키슈지로 , 오구라도모히토
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式