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1. 发明公开

KR1020170045987A 반도체 소자 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020170045987A
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020150146215
申请日：2015-10-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서기석 , 고관협 , 송윤종
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/762 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/228 , H01L28/00 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 반도체소자및 반도체형성방법을제공한다. 이반도체소자는활성영역을한정하는소자분리영역을포함한다. 상기활성영역및 상기소자분리영역상에제1 및제2 셀배선구조체들이배치된다. 상기제1 및제2 셀배선구조체들은서로평행한라인모양이다. 상기활성영역및 상기소자분리영역상에분리패턴이배치된다. 상기분리패턴은상기제1 및제2 셀배선구조체들사이에배치된다. 상기제1 및제2 셀배선구조체들사이에콘택구조체들이배치된다. 상기콘택구조체들은상기분리패턴양 옆에배치되고상기활성영역과중첩한다. 상기제1 및제2 셀배선구조체들사이에절연패턴들이배치된다. 상기절연패턴들은상기분리패턴양 옆에배치되고상기소자분리영역과중첩한다. 상기제1 및제2 셀배선구조체들하부에공통소스영역들이배치된다. 상기공통소스영역들은상기활성영역내에배치된다. 상기분리패턴하부에라인모양의아이솔레이팅게이트패턴이배치된다.
摘要翻译：提供了一种半导体器件和一种半导体形成方法。 I型导电元件包括限定有源区的元件隔离区。并且第一和第二单元布线结构设置在有源区和器件隔离区上。第一和第二单元布线结构呈彼此平行的线形状。并且在有源区和元件隔离区上设置分离图案。分离图案设置在第一和第二单元布线结构之间。接触结构设置在第一和第二单元布线结构之间。接触结构设置在隔离图案的两侧并与有源区重叠。绝缘图案设置在第一和第二单元布线结构之间。绝缘图案设置在隔离图案的两侧并且与元件隔离区重叠。公共源极区域布置在第一和第二单元布线结构下方。公共源极区域设置在有源区域中。线状隔离栅极图案设置在隔离图案下方。

2. 发明公开

KR1020170037716A 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁记忆装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170037716A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150136274
申请日：2015-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한신희 , 서기석 , 남경태 , 김우진 , 신광일 , 주민경 , 고관협
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 자기메모리장치의제조방법이제공된다. 상기자기메모리장치의제조방법은기판상에층간절연막을형성하는것, 상기층간절연막을관통하는랜딩패드를형성하는것, 상기층간절연막상에, 상기랜딩패드의상면을덮는보호절연막을형성하는것, 상기보호절연막및 상기층간절연막을관통하는하부전극을형성하는것, 상기보호절연막상에자기터널접합막을형성하는것, 및상기자기터널접합막을패터닝하여상기하부전극상에자기터널접합패턴을형성하는것을포함한다.
摘要翻译：提供了一种制造磁存储器件的方法。一种制造磁存储器件的方法包括：在衬底上形成层间绝缘膜;形成贯穿层间绝缘膜的着陆焊盘;在层间绝缘膜上形成覆盖着陆焊盘的上表面的保护绝缘膜; 通过绝缘膜和层间绝缘膜形成下电极;在保护绝缘膜上形成磁隧道结膜;以及图案化磁隧道结膜以在下电极上形成磁隧道结图案。

3. 发明授权

KR102124209B1 반도체 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102124209B1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：KR1020140044336
申请日：2014-04-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재규 , 서기석
IPC分类号： G11C29/00 , G11C13/00

4. 发明授权

KR102098244B1 자기 메모리 소자 有权
公开(公告)号：KR102098244B1
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：KR1020140012796
申请日：2014-02-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재규 , 서기석
IPC分类号： G11C11/15

5. 发明公开

KR1020170028227A 자기 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁阻随机访问装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170028227A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150144644
申请日：2015-10-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용재 , 김우진 , 서기석 , 한신희 , 고관협
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , C01B21/076
摘要： 자기저항메모리소자는, 기판상에형성된하부전극, 상기하부전극상에구비되는 MTJ 구조물및 상기 MTJ 구조물상에구비되고, 상부전극및 상기상부전극측벽을둘러싸는측벽캡핑패턴을포함하는마스크구조물을포함한다. 상기 MTJ 구조물은하부자성패턴, 터널베리어패턴, 및상부자성패턴을포함한다.

6. 发明公开

KR1020150118651A 반도체 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020150118651A
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020140044336
申请日：2014-04-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재규 , 서기석
IPC分类号： G11C29/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C11/165 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0021 , G11C13/003 , G11C13/025 , G11C2213/52 , G11C2213/79 , G11C2213/82
摘要： 가변저항메모리셀들을포함하는반도체메모리장치가제공된다. 반도체메모리장치는서로수직하는제 1 및제 2 방향들을따라배열된복수개의제 1 가변저항메모리셀들및 상기제 1 가변저항메모리셀들에전기적으로공통연결된제 1 소스라인을포함하는제 1 메모리세그먼트, 및상기제 1 및제 2 방향들을따라배열된복수개의제 2 가변저항메모리셀들및 상기제 2 가변저항메모리셀들에전기적으로공통연결된제 2 소스라인을포함하는제 2 메모리세그먼트를포함하되, 상기제 1 및제 2 소스라인들은서로전기적으로분리될수 있다.
摘要翻译：提供了包括可变电阻存储单元的半导体存储器件。半导体存储器件包括：第一存储器段，包括沿彼此垂直的第一和第二方向布置的多个第一可变电阻存储单元，以及与第一可变电阻存储单元电连接并共同连接的第一源极线; 以及第二存储器段，其包括沿着第一和第二方向布置的多个第二可变电阻存储单元，以及与第二可变电阻存储单元电连接并共同连接的第二源极线。第一和第二源极线可彼此电分离。

7. 发明公开

KR1020110095694A 패턴 구조물의 형성 방법 无效
标题翻译：形成图案结构的方法
公开(公告)号：KR1020110095694A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020100015302
申请日：2010-02-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김정인 , 오재희 , 서기석
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/24 , H01L21/31144 , H01L21/0332 , H01L21/0337
摘要： PURPOSE: A method for forming a pattern structure is provided to prevent defect to a semiconductor device by protecting a lower layer through a sacrificial layer in a mask processing mask. CONSTITUTION: A mask(104) is formed on an etched layer which is formed on a lower layer. Patterns(106) are formed on the lower layer by etching a target layer using a mask. A sacrificial layer(110) is filled between the patterns and the mask and is formed to cover the lower layer. The mask is removed. The sacrificial layer is partially etched between the patterns when the mask is removed. The remaining sacrificial layer is removed from the lower layer through ashing or strip.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成图案结构的方法，以通过掩模处理掩模中的牺牲层保护下层来防止半导体器件的缺陷。构成：掩模（104）形成在形成在下层上的蚀刻层上。通过使用掩模蚀刻目标层，在下层上形成图案（106）。牺牲层（110）被填充在图案和掩模之间，并形成为覆盖下层。去除面具。当去除掩模时，牺牲层被部分地蚀刻在图案之间。剩余的牺牲层通过灰化或条带从下层去除。

8. 发明授权

KR102132649B1 데이터의 센싱 마진을 향상시키는 저항성 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102132649B1
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：KR1020140000871
申请日：2014-01-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서기석 , 이재규
IPC分类号： G11C13/00

9. 发明公开

KR1020170037706A 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁记忆装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170037706A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150136182
申请日：2015-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손명수 , 서기석 , 고관협 , 남경태 , 송윤종
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/12 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 본발명은자기메모리장치및 그의제조방법에관한것으로, 기판상에제1 층간절연막을형성하는것, 상기제1 층간절연막을관통하는제1 도전패턴을형성하는것, 상기제1 층간절연막상에몰드절연막을형성하는것, 상기몰드절연막은상기제1 도전패턴과접하는제1 몰드절연막및 상기제1 몰드절연막상의제2 몰드절연막을포함하고, 상기제1 및제2 몰드절연막들과상기제1 층간절연막을관통하는제2 도전패턴을형성하는것 및상기제2 도전패턴상에자기터널접합패턴을형성하는것을포함하는자기메모리장치의제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种磁存储器件及其制造方法，包括：在衬底上形成第一层间绝缘膜;形成贯穿第一层间绝缘膜的第一导电图案;形成模制绝缘膜其中，模具绝缘膜包括与第一导电图案接触的第一模具绝缘膜和在第一模具绝缘膜上的第二模具绝缘膜，并且穿过第一和第二模具绝缘膜以及第一层间绝缘膜在第二导电图案上形成磁隧道结图案，通过在第一导电图案上形成第一导电图案，在第二导电图案上形成第二导电图案，形成磁隧道结图案。

10. 发明公开

KR1020170029809A 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁阻存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170029809A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150126863
申请日：2015-09-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서기석 , 심재철 , 이길호 , 정용석 , 고관협 , 송윤종
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L27/222 , H01L43/12
摘要： 자기저항메모리장치제조방법에서, 기판상에제1 층간절연막및 식각저지절연막을순차적으로형성한다. 상기식각저지절연막및 상기제1 층간절연막을관통하는하부전극을형성한다. 상기하부전극및 상기식각저지절연막상에자기터널접합(MTJ) 구조물막 및상부전극을순차적으로형성한다. 상기상부전극을식각마스크로사용하는물리적식각공정을수행하여상기 MTJ 구조물막을패터닝함으로써, 상기하부전극에적어도부분적으로접촉하는 MTJ 구조물을형성하다. 상기제1 층간절연막은상기식각저지절연막에의해보호되어상기물리적식각공정에의해식각되지않는다.
摘要翻译：在制造磁阻存储器件的方法中，在衬底上顺序地形成第一层间绝缘膜和蚀刻停止绝缘膜。穿透蚀刻停止绝缘膜和第一层间绝缘膜的下电极被形成。 MTJ结构膜和上电极依次形成在下电极和蚀刻停止绝缘膜上。执行使用上电极作为蚀刻掩模的物理蚀刻工艺以图案化MTJ结构膜以形成至少部分地与下电极接触的MTJ结构。第一层间绝缘膜由腐蚀停止绝缘膜保护，并且不被物理腐蚀过程腐蚀。

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