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1. 发明授权

KR101902444B1 위상 자기 이력 조셉슨 접합 메모리 셀 有权
公开(公告)号：KR101902444B1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：KR1020167011128
申请日：2014-07-16
申请人： 노스롭 그루먼 시스템즈 코포레이션
发明人： 헤아,안나와이. , 헤아,쿠엔틴피. , 나아만,오페르
IPC分类号： G11C11/44 , B82Y10/00 , G01R33/035 , G11C11/15 , H01L27/18 , H01L39/02 , H01L39/22
CPC分类号： G11C11/44 , B82Y10/00 , G01R33/0354 , G01R33/0358 , G11C11/15 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/18 , H01L39/025 , H01L39/223
摘要： 일실시예는메모리셀을설명한다. 메모리셀은제 1 기록전류및 제 2 기록전류에응답하여이진논리 1 상태에대응하는제 1 이진논리상태및 이진논리 0 상태에대응하는제 2 이진논리상태중 하나를저장하고, 저장된디지털상태에기초하여초전도위상을생성하도록구성되는위상이력자기조셉슨접합(PHMJJ)을포함한다. 메모리셀은또한 PHMJJ의초전도위상에기초하고, 판독전류에응답하여저장된디지털상태에대응하는출력을제공하도록구성되는임계전류를가진적어도하나의조셉슨접합을포함한다.

2. 发明授权

KR101901666B1 기억 회로 有权
公开(公告)号：KR101901666B1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：KR1020177002083
申请日：2015-08-06
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 스가하라사토시 , 슈토유스케 , 야마모토슈이치로
IPC分类号： G11C14/00 , G11C11/15 , G11C11/412
CPC分类号： G11C14/0081 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C11/412 , G11C11/419
摘要： 각각의셀이, 데이터를기억하는쌍안정회로와, 상기쌍안정회로에기억된데이터를불휘발적으로스토어하고, 불휘발적으로스토어된데이터를상기쌍안정회로에리스토어하는불휘발성소자를갖고, 복수의행 및복수의열로, 상기복수의행이분할된각각이 1개또는복수의행을포함하는복수의뱅크를형성하도록배열된복수의셀과, 상기복수의행을순차스토어동작하고, 상기복수의뱅크중 스토어동작되는행을포함하는제 1 뱅크의셀의전원에공급되는전압을제 1 전압으로하고, 상기복수의뱅크중 상기제 1 뱅크이외의셀의전원에공급되는전압을상기제 1 전압보다낮고상기쌍안정회로의데이터가유지되는제 2 전압으로하는제어부를구비하는것을특징으로하는기억회로.

3. 发明授权

KR101894756B1 스커미온 생성 장치, 스커미온 생성 방법 및 자기 기억 장치 有权
公开(公告)号：KR101894756B1
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：KR1020177015752
申请日：2016-03-08
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 모치즈키마사히토
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/65 , H01L27/105
CPC分类号： G11C11/1675 , G11B5/02 , G11B5/65 , G11C11/161 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L43/06 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 스커미온을생성할때의소비전력을저감가능한스커미온생성방법을제공한다. 이스커미온생성방법에서는키랄한결정구조를갖는절연성의자성체(12)에자장발생부(14)로부터의자장을인가하면서자장발생부(16)를사용하여자성체(12)에대하여국소적으로전장을인가한다. 이에의해자성체(12)의내부에스커미온이생성된다. 자성체(12)는적어도부분적으로 2~300㎚의범위내의두께를갖는박막형상인것이바람직하고, 자장발생부(14)는자성체(12)의표면에대하여대략수직으로자장을인가하는것이바람직하다.

4. 发明公开

KR20180049387A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180049387A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：KR20160144233
申请日：2016-11-01
IPC分类号： H01L45/00 , G06F9/30 , G06F9/54 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 전자장치및 그제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른전자장치는, 반도체메모리를포함하는전자장치로서, 상기반도체메모리는기판상에형성된하부콘택구조; 및상기하부콘택구조상에형성된가변저항소자를포함하며, 상기하부콘택구조는, 기판상의층간절연막을관통하는콘택홀; 상기콘택홀의측벽에형성되며, 단면이직사각형형태인스페이서; 상기콘택홀을일부매립하는콘택플러그; 및상기콘택플러그상에서나머지상기콘택홀을매립하는콘택패드를포함할수 있다.

5. 发明公开

KR20180044918A 공유된 소스 라인을 이용하는 상보적인 자기 터널 접합 MTJ 비트 셀 및 관련된 방법들 审中-公开
公开(公告)号：KR20180044918A
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：KR20187005489
申请日：2016-08-10
IPC分类号： G11C11/16 , H01L27/22
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要： 공유된소스라인들을이용하는보수 MTJ 비트셀들이개시된다. 일양상에서, 공유된소스라인을이용하는 2T2MTJ 보수비트셀이제공된다. 비트셀은제1 MTJ 및제2 MTJ를포함한다. 제1 MTJ의값은제2 MTJ의값의보수이다. 제1 비트라인은제1 MTJ의최상부층에커플링되고, 1 액세스트랜지스터의제1 전극은제1 MTJ의최하부층에커플링된다. 제2 비트라인은제2 MTJ의최하부층에커플링되고, 제2 액세스트랜지스터의제1 전극은제2 MTJ의최상부층에커플링된다. 제1 및제2 MTJ들의각각의최상부층은자유층을포함하고그리고제1 및제2 MTJ들의각각의최하부층은고정층을포함하거나, 또는제1 및제2 MTJ들의각각의최상부층은고정층을포함하고그리고제1 및제2 MTJ들의각각의최하부층은자유층을포함한다. 워드라인은, 제1 액세스트랜지스터및 제2 액세스트랜지스터의제2 전극에커플링된다. 공유된소스라인은, 제1 액세스트랜지스터및 제2 액세스트랜지스터의제3 전극에커플링된다. 공유된소스라인을이용하는것은, 비트셀이감소된기생저항으로설계되게허용한다.

6. 发明公开

KR20180044456A 반도체 소자 审中-公开
公开(公告)号：KR20180044456A
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：KR20160137412
申请日：2016-10-21
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1697 , G11C11/18 , G11C11/5607 , H01L27/228 , H01L43/08 , H03K19/18 , H03K19/20
摘要： 본발명은반도체소자에관한것으로, 제1 전극; 및상기제1 전극에연결된제1 셀및 제2 셀을포함하고, 상기제1 셀및 제2 셀은각각상기제1 전극에연결된제1 자성층을포함한다.

7. 发明公开

KR20180043696A 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자 审中-公开
公开(公告)号：KR20180043696A
公开(公告)日：2018-04-30
申请号：KR20160136757
申请日：2016-10-20
申请人： UNIV KOREA RES & BUS FOUND
发明人： LEE KYUNG JIN
IPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10
摘要： 본발명은자기터널접합소자및 자기메모리소자를제공한다. 상기자기터널접합소자는차례로적층된고정자성체, 절연체, 및자유자성체를구비하는자기터널접합및 상기자기터널접합의상기자유자성체에인접하여상기자기터널접합에면내전류를인가하는도선을포함한다. 상기자기터널접합소자는상기고정자성체는고정자화방향을갖고, 막면에대하여수직방향으로자화되는물질을포함하는박막이고, 상기자유자성체는 [보조자유자성층/자유비자성층]/메인자유자성층구조이며, N은 2 이상의자연수이고, [보조자유자성층/자유비자성층] 구조가 N번반복적층된구조임을나타낸다. 상기메인자유자성층및 상기보조자유자성층은자화방향이변하고, 막면에대하여수직방향으로자화되는물질을포함하는박막이며, 상기메인자유자성층은상기면내전류로인해스핀전류를발생시키는도선과인접하여배치된다. 상기자유자성체를구성하는자성층들중 서로가장가까운두 자성층의자화방향은 RKKY 교환상호작용에의해서로반대방향이다.

8. 发明公开

KR20180040162A 전자 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180040162A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：KR20160131052
申请日：2016-10-11
申请人： SK HYNIX INC
发明人： KIM JUNE SEO , LEE MIN SUK , MOON JUNG HWAN , JUNG BO KYUNG , KIM JEONG MYEONG , PARK JI HUN
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 전자장치및 그제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른전자장치는, 반도체메모리를포함하는전자장치로서, 상기반도체메모리는, 변경가능한자화방향을갖는자유층, 고정된자화방향을갖는고정층및 상기자유층과상기고정층사이에개재되는터널베리어층을포함하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조물을포함하는가변저항소자를포함하고, 상기자유층, 상기터널베리어층및 상기고정층이배열되는제1 방향에서, 상기가변저항소자의제1 면과대향하는제1 면을가지면서상기가변저항소자와이격하여분리되는제1 영구자석을더 포함하고, 상기제1 영구자석에의해생성되는자기장은, 상기고정층에의해생성되는표류자계의영향을상쇄또는감소시키는방향을가질수 있다.

9. 发明授权

KR101835927B1 대칭 스위칭 및 단일 방향 전류 프로그래밍을 갖는 스핀-토크 전달 자기 메모리 셀 구조물 有权
标题翻译：具有对称开关和单向电流编程的自旋转矩传输磁性存储单元结构
公开(公告)号：KR101835927B1
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：KR1020147001682
申请日：2012-06-15
申请人： 오보닉스 메모리 테크놀로지, 엘엘씨
发明人： 리우,준
IPC分类号： G11C11/16 , H01L27/22
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要： 단방향및/또는대칭프로그래밍전류를사용하여 STT-MRAM(spin torque transfer magnetic random access memory) 셀을프로그래밍하는기법이제공된다. 단방향프로그래밍전류는자유영역의자화를적어도 2개의상이한방향으로스위칭시키기위해 STT-MRAM 셀의자유영역을통해한쪽방향으로흐른다. 대칭프로그래밍전류는실질적으로유사한전류크기를사용하여자유영역의자화를 2개의상이한방향중 어느하나로스위칭시킨다. 어떤실시예들에서, STT-MRAM 셀은 2개의고정영역 - 각각이반대방향으로고정된자화를가짐 -, 및자화가고정영역들중 하나의고정영역의자화에대해평행또는반평행이되도록스위칭되도록구성되어있는자유영역을포함하고있다. 자유영역을상이한자화방향으로스위칭시키는것은프로그래밍전류를 2개의반대로자화된고정영역들중 하나의고정영역을통해보내는것을포함할수 있다.
摘要翻译：提供了使用单向和/或对称编程电流对STT-MRAM（自旋转矩传递磁性随机存取存储器）单元进行编程的技术。单向编程电流沿着一个方向流过STT-MRAM单元的自由区域，以在至少两个不同方向上切换自由区域的磁化。对称编程电流使用基本相似的电流量值来将自由区的磁化切换到两个不同方向中的一个。在一些实施例中，STT-MRAM单元具有两个固定区域 - 每一个都具有固定在相反方向磁化，并且平行于磁化或反平行的开关的固定区域中的一个固定区域的磁化如图所示。将自由区切换到不同的磁化方向可以涉及通过两个相反磁化的固定区中的一个的固定区发送编程电流。

10. 发明公开

KR20180018779A MRAM용 세차 운동 스핀 전류 구조체 审中-公开
标题翻译：自旋当前结构的MRAM
公开(公告)号：KR20180018779A
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR20187001466
申请日：2016-03-10
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/02 , H01L43/10
摘要： 자기저항랜덤액세스메모리(MRAM)가개시된다. MRAM 디바이스는자기터널접합구조체에서자유층의상당히향상된성능을갖는자기터널접합스택을갖는다. MRAM 디바이스는세차운동스핀전류(PSC) 자성층의평면내 자화방향이자유롭게회전하는수직 MTJ와연계하여 PSC 자성층을활용한다.
摘要翻译：磁阻随机存取存储器（MRAM）被打开。 MRAM器件具有磁性隧道结叠层，其具有磁性隧道结结构中自由层的显着改善的性能。 MRAM器件利用PSC磁性层与其中旋转自旋电流（PSC）磁性层的面内磁化方向自由旋转的垂直MTJ结合。

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