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1. 发明公开

KR1020170022061A 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁阻随机访问装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170022061A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150116550
申请日：2015-08-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박정훈 , 손명수 , 심재철 , 고관협 , 송윤종
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/12 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/02 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 자기저항메모리장치제조방법에서, 기판상에순차적으로적층된하부전극, 자기터널접합(MTJ) 구조물및 상부전극을포함하는메모리유닛을형성한다. 메모리유닛을커버하면서순차적으로적층된캐핑막, 희생막및 식각저지막을포함하는보호막구조물을기판상에형성한다. 보호막구조물상에층간절연막을형성한다. 층간절연막을부분적으로제거하여보호막구조물을노출시키는개구를형성한다. 노출된보호막구조물을부분적으로제거하여상부전극을노출시킨다. 노출된상부전극상에개구를채우는배선을형성한다.
摘要翻译：在制造MRAM器件的方法中，在衬底上形成包括下电极，MTJ结构和顺序层叠的上电极的存储单元。在衬底上形成包括依次堆叠的覆盖层，牺牲层和蚀刻停止层的保护层结构以覆盖存储单元。在保护层结构上形成绝缘中间层。形成绝缘中间层以形成露出保护层结构的开口。暴露的保护层结构被部分去除以暴露上电极。在暴露的上电极上形成布线以填充开口。

2. 发明公开

KR1020080113696A 수직 자기 기록 헤드 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：全能磁记录头及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080113696A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020070062489
申请日：2007-06-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 나경원 , 선우국현 , 이주호 , 심재철
IPC分类号： G11B5/127 , G11B5/31 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/17 , G11B5/3123 , Y10T29/49043
摘要： A perpendicular magnetic recording head and a manufacturing method thereof are provided to improve the frequency characteristic by minimizing the interval between coils and the length of magnetic path formed along the main pole and return yoke. A perpendicular magnetic recording head comprises a main pole(140), a return yoke tip(152), and a coil(130) surrounding the upper and lower sides of the main pole in a solenoid form so that the main pole generates a magnetic field for recording information in a recording medium. The part of the coil, which passes the upper side of the main pole, comprises a plurality of first coils(161) and one or more second coils(165) having a cross-sectional shape different from that of the first coil.
摘要翻译：提供了一种垂直磁记录头及其制造方法，以通过使线圈之间的间隔和沿着主极和返回轭形成的磁路的长度最小化来提高频率特性。垂直磁记录头包括主极（140），返回轭尖（152）和以螺线管形式围绕主极的上侧和下侧的线圈（130），使得主极产生磁场用于在记录介质中记录信息。线圈的通过主极的上侧的部分包括多个第一线圈（161）和一个或多个第二线圈（165），其具有不同于第一线圈的横截面形状。

3. 实用新型

KR2019960025680U 고전압 보호회로 失效
标题翻译：高压保护电路
公开(公告)号：KR2019960025680U
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR2019940034295
申请日：1994-12-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심재철
IPC分类号： H02H9/04

4. 发明公开

KR1020170029809A 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁阻存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170029809A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150126863
申请日：2015-09-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서기석 , 심재철 , 이길호 , 정용석 , 고관협 , 송윤종
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L27/222 , H01L43/12
摘要： 자기저항메모리장치제조방법에서, 기판상에제1 층간절연막및 식각저지절연막을순차적으로형성한다. 상기식각저지절연막및 상기제1 층간절연막을관통하는하부전극을형성한다. 상기하부전극및 상기식각저지절연막상에자기터널접합(MTJ) 구조물막 및상부전극을순차적으로형성한다. 상기상부전극을식각마스크로사용하는물리적식각공정을수행하여상기 MTJ 구조물막을패터닝함으로써, 상기하부전극에적어도부분적으로접촉하는 MTJ 구조물을형성하다. 상기제1 층간절연막은상기식각저지절연막에의해보호되어상기물리적식각공정에의해식각되지않는다.
摘要翻译：在制造磁阻存储器件的方法中，在衬底上顺序地形成第一层间绝缘膜和蚀刻停止绝缘膜。穿透蚀刻停止绝缘膜和第一层间绝缘膜的下电极被形成。 MTJ结构膜和上电极依次形成在下电极和蚀刻停止绝缘膜上。执行使用上电极作为蚀刻掩模的物理蚀刻工艺以图案化MTJ结构膜以形成至少部分地与下电极接触的MTJ结构。第一层间绝缘膜由腐蚀停止绝缘膜保护，并且不被物理腐蚀过程腐蚀。

5. 实用新型

KR200125022Y1 고전압 보호회로 失效
标题翻译：高压保护电路
公开(公告)号：KR200125022Y1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR2019940034295
申请日：1994-12-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심재철
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 1. 청구범위에 기재된 고안이 속한 기술분야
고전압 보호
2. 고안이 해결하려고 하는 기술적 과제
디스플레이 장치에서 모드간 고전압차이를 극소화하여 동작모드간 전압포인트를 최소화시킴
3. 고안의 해결 방법의 요지
디스플레이장치의 고전압보호회로에 있어서, 고압드라이브단으로부터 입력된 고압을 스위칭하여 고전압을 출력하는 고전압출력부와, 상기 고전압출력부에 역위상으로 연결된 보조권선(T3)으로부터 발생되는 고전압 에러를 검출하는 고전압에러 검출부와, 모드간의 격차를 작게 하기 위하여 상기 검출전압의 범위를 축소하는 에러검출전압축소단과, 상기 에러검출축소단에서 축소된 전압의 크기에 따라 스위칭되어 고전압구동수단 및 편향구동수단의 전원을 차단하는 이상전압차단부로 구성된 것을 특징으로 하는 고전압보호회로.
4. 고안의 중요한 용도
다수의 고전압모드를 사용하는 디스플레이장치에서 고전압 보호기능을 효율적으로 수행할 수 있음.

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