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1. 发明授权

KR102320085B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102320085B1
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：KR1020140178468
申请日：2014-12-11
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/8247
摘要： [과제] 다층막에형성되는홀과같은깊은스페이스의수직성을개선한다. [해결수단] 상호상이한유전율을갖고, 또한교대로적층된제1 막및 제2 막을포함하는다층막을, 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 마스크를개재하여에칭하는반도체장치의제조방법이제공된다. 이방법은 (a) O2 가스혹은 N2 가스, 및희가스를포함하는제1 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제1 가스를여기시키는공정과, (b) 플루오로카본가스또는플루오로하이드로카본가스를포함하는제2 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제2 가스를여기시키는공정과, (c) HBr 가스, 불소함유가스, 및플루오로카본가스혹은플루오로하이드로카본가스를포함하는제3 가스를상기처리용기내에공급하여, 그제3 가스를여기시키는공정을포함하는시퀀스가반복해서실행된다.

2. 发明授权

KR102307487B1 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102307487B1
公开(公告)日：2021-10-05
申请号：KR1020140076514
申请日：2014-06-23
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 3차원반도체메모리장치가제공된다. 3차원반도체메모리장치는기판상에형성된주변회로구조체, 주변회로구조체상에형성된수평활성층, 수평활성층상에형성된복수개의전극들을포함하는적층구조체들, 적층구조체들을수직으로관통하는수직구조체, 적층구조체들사이의수평활성층내에형성된공통소오스영역, 및수평활성층내에형성된픽업영역들을포함한다. 수평활성층은주변회로구조체상에차례로형성된고농도의불순물을포함하는제1 활성반도체층, 불순물확산억제물질을포함하는제2 활성반도체층, 및저농도의불순물을포함하는제3 활성반도체층을포함한다.

3. 发明授权

KR102287755B1 자기 저항 메모리 소자를 형성하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102287755B1
公开(公告)日：2021-08-09
申请号：KR1020140161006
申请日：2014-11-18
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C11/15
摘要： 자성층을형성하고, 상기자성층을 50K 내지 300K로냉각시키고, 상기냉각된자성층 상에제1 Mg 층을형성하고, 상기제1 Mg 층을산화시켜제1 MgO 층을형성하고, 상기제1 MgO 층상에제2 Mg 층을형성하고, 상기제2 MgO 층을산화시켜제2 MgO 층을형성하고, 상기제2 MgO 층상에자유층을형성하고, 상기자유층 상에캡핑층을형성하고, 및상기캡핑층 상에상부전극을형성하는것을포함하는자기저항메모리반도체소자의제조방법이설명된다.

7. 发明授权

KR102240769B1 자기 메모리 장치 및 그의 형성방법 有权
公开(公告)号：KR102240769B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020140106110
申请日：2014-08-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기원 , 강민아 , 박순오 , 박용성 , 오세충
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8247 , H01L27/115 , G11C11/15
摘要： 자기메모리장치가개시된다. 자기메모리장치는기판상에제 1 자성도전층및 보호층을순차적으로형성하고, 제 1 자성도전층및 보호층을패터닝하여제 1 자성도전패턴및 보호패턴을형성하고, 기판상에보호패턴을노출하는층간절연막을형성하고, 보호패턴을제거하여제 1 자성도전패턴을노출하고, 제 1 자성도전패턴및 층간절연막상에터널배리어층및 제 2 자성도전층을형성하고, 그리고제 2 자성도전층및 터널배리어층을패터닝하여제 2 자성도전패턴및 터널배리어패턴을형성하는것을포함한다.

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