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1. 发明公开

KR1020170037716A 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁记忆装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170037716A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150136274
申请日：2015-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한신희 , 서기석 , 남경태 , 김우진 , 신광일 , 주민경 , 고관협
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 자기메모리장치의제조방법이제공된다. 상기자기메모리장치의제조방법은기판상에층간절연막을형성하는것, 상기층간절연막을관통하는랜딩패드를형성하는것, 상기층간절연막상에, 상기랜딩패드의상면을덮는보호절연막을형성하는것, 상기보호절연막및 상기층간절연막을관통하는하부전극을형성하는것, 상기보호절연막상에자기터널접합막을형성하는것, 및상기자기터널접합막을패터닝하여상기하부전극상에자기터널접합패턴을형성하는것을포함한다.
摘要翻译：提供了一种制造磁存储器件的方法。一种制造磁存储器件的方法包括：在衬底上形成层间绝缘膜;形成贯穿层间绝缘膜的着陆焊盘;在层间绝缘膜上形成覆盖着陆焊盘的上表面的保护绝缘膜; 通过绝缘膜和层间绝缘膜形成下电极;在保护绝缘膜上形成磁隧道结膜;以及图案化磁隧道结膜以在下电极上形成磁隧道结图案。

2. 发明公开

KR1019990016673A 반도체장치의 게이트전극 형성방법 및 그에 따른 반도체장치 无效
标题翻译：形成半导体装置的栅电极的方法及其用于半导体装置的方法
公开(公告)号：KR1019990016673A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970039310
申请日：1997-08-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신광일
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 본 발명은 단위면적당 더 많은 게이트전극을 형성할 수 있는 반도체장치의 게이트전극 형성방법 및 그에 따른 반도체장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치의 게이트전극 형성방법은, 웨이퍼 상에 다수의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용한 식각공정을 진행하여 상기 웨이퍼 내부에 다수의 오목부 및 볼록부를 형성하는 단계, 상기 오목부 및 볼록부가 형성된 웨이퍼 상부 전면에 절연막을 형성하는 단계, 에치백공정을 진행하여 상기 오목부 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계 및 상기 절연막 스페이서가 형성된 상기 웨이퍼 전면에 게이트 절연막 및 도전막을 차례로 형성한 후, 통상의 사진식각공정을 통해서 상기 오목부 저면 및 볼록부 상에 다수의 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 상에 형성된 오목부 측벽에 절연막 스페이서를 형성함으로서 소자분리영역을 축소시고, 오목부 저면 및 볼록부 상에 게이트전극을 형성함으로서 단위면적당 더 많은 게이트전극을 형성할 수 있는 효과가 있다.

3. 发明公开

KR1020010095551A 플랫 셀 마스크롬 소자의 제조방법 无效
标题翻译：用于制造平面细胞掩模ROM的方法
公开(公告)号：KR1020010095551A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：KR1020000018695
申请日：2000-04-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신광일
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A fabrication method of a flat cell mask ROM is provided to minimize open failures due to particles and to improve a yield by forming a buried impurity layer after forming a field oxide. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) of a first conductive type has a cell region and a peripheral region. A field oxide(102) is formed at the peripheral region of the semiconductor substrate(100) for defining the cell region. A buried impurity layer(106) of a second conductive type is then selectively formed at the cell region by using a photoresist pattern(104) as a mask.
摘要翻译：目的：提供一种扁平单元掩模ROM的制造方法，以最小化由于颗粒引起的开放故障，并且通过在形成场氧化物之后形成掩埋杂质层来提高产量。构成：第一导电类型的半导体衬底（100）具有单元区域和周边区域。在半导体衬底（100）的周边区域处形成场氧化物（102），用于限定电池区域。然后通过使用光致抗蚀剂图案（104）作为掩模，在单元区域选择性地形成第二导电类型的掩埋杂质层（106）。

4. 发明公开

KR1020160116534A 전자빔을 이용한 웨이퍼의 검사 방법 审中-实审
标题翻译：使用电子束检查晶片的方法
公开(公告)号：KR1020160116534A
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150044393
申请日：2015-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김석 , 전충삼 , 고우석 , 신광일 , 양유신 , 윤민철 , 이상길
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/222 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J2237/20214 , H01J2237/226 , H01J2237/2817
摘要： 본발명의기술적사상에따른웨이퍼의검사방법은, 복수의전자빔컬럼들이상기웨이퍼의서로다른다이들상에서각 다이의서로다른부분영역들과각각대면하도록위치를조정하는단계; 상기복수의전자빔컬럼들이상기부분영역들을각각스캔하는단계; 및상기부분영역들을각각스캔하여획득된복수의부분이미지들을조합하여하나의다이이미지를획득하는단계;를포함할수 있다. 또한, 본발명의기술적사상에따른웨이퍼의검사방법은, 검사대상영역으로지정된다이들이복수의전자빔컬럼들에의해각각스캔되도록웨이퍼또는복수의전자빔컬럼들의정렬방향을적어도한 번회전시키는단계; 및상기스테이지의스캔방향이상기다이의어느하나의가장자리와수직하고, 상기복수의전자빔컬럼들의스캔방향이상기스테이지의스캔방향과서로수직하도록상기스테이지의스캔방향및 상기복수의전자빔컬럼들의스캔방향중 적어도하나를회전시키는단계;를포함할수 있다.

5. 发明公开

KR1019970063410A 임계선폭 (CD)의 마진을 크게하는 반도체장치의 제조방법 无效
标题翻译：一种用于增加临界线宽度（CD）的边缘的半导体器件的制造方法，
公开(公告)号：KR1019970063410A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004417
申请日：1996-02-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신광일
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 임계선폭(CD)의 마진을 크게하는 반도체장치의 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법은 활성이 고르게 일어나는 포토레지스트를 사용하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 활성이 아랫 부분부터 일어나는 포토레지스트를 사용한다.
따라서 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법으로 반도체장치를 제조하면, 포토레지스트 패턴이 역 마름모형으로 형성되므로 이 패턴에 의해 형성되는 어떤 막질의 CD는 상기 포토레지스트 패턴의 윗 부분과 아랫 부분간의 간격 만큼의 마진을 갖게 되어 종래 기술보다 큰 CD 마진을 확보할 수 있다. 이와 같은 결과에 의해 더욱 작은 CD 패턴을 형성할 수 있으며 반도체장치의 고 집적화를 높일 수 있다.

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