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1. 发明公开

KR20180064617A 메모리의 온도에 따라 상이하게 동작하는 스토리지 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180064617A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR20160164550
申请日：2016-12-05
IPC分类号： G11C16/10 , G06F3/06 , G11C7/04 , G11C11/56
CPC分类号： G11C7/04 , G06F13/00 , G11C7/1045 , G11C11/1673 , G11C11/1695 , G11C11/40626 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C16/34 , G11C16/3418
摘要： 스토리지장치는메모리들및 메모리컨트롤러를포함한다. 컨트롤러는메모리에대한제 1 및제 2 프로그램동작들을제어한다. 메모리의온도가기준값보다낮은경우, 컨트롤러는제 1 프로그램동작을제어한다. 메모리의온도가기준값 이상인경우, 컨트롤러는제 1 프로그램동작보다적은양의전력을소모하는제 2 프로그램동작을제어한다. 컨트롤러는, 메모리에대한대역폭이제 1 및제 2 프로그램동작들동안동등하게유지되도록, 메모리의동작환경을조절한다. 컨트롤러는제 1 프로그램동작과함께제 2 프로그램동작을수행한다. 스토리지장치는메모리의온도가과도하게상승하는것을방지한다. 따라서, 스토리지장치가적은양의전력을소모하고, 데이터신뢰성이향상되고, 열에기인하는메모리손상이방지된다.

2. 发明公开

KR20180046580A 전자 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180046580A
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：KR20160141894
申请日：2016-10-28
IPC分类号： G11C13/00 , G06F12/0802 , G06F13/40 , G11C11/56
CPC分类号： G11C13/004 , G06F12/0802 , G06F13/4063 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C13/0038 , G11C2013/0054 , H01L43/08
摘要： 반도체메모리는하나이상의저항성저장셀; 둘이상의직렬로연결된기준저항트랜지스터를포함하는하나이상의기준저항부; 상기하나이상의저항성저장셀 중선택된저항성저장셀과상기기준저항트랜지스터의저항값을비교하여상기선택된저항성저장셀의데이터를감지하는데이터감지부; 및상기기준저항트랜지스터들의게이트전압을조절하여상기기준저항부의저항값을조절하는기준저항조절부를포함할수 있다.

3. 发明授权

KR101838416B1 메모리 셀들, 제조 방법들, 반도체 디바이스들 메모리 시스템들, 및 전자 시스템들 有权
公开(公告)号：KR101838416B1
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：KR1020167008983
申请日：2014-09-03
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 산두,구르테즈에스. , 쿨라,위톨드
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11C11/16 , H01L27/22
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 자기셀은중간산화물영역(예를들어, 터널장벽) 및보조산화물영역사이에자유영역을포함한다. 산화물영역들양자는자유영역을통해자기이방성("MA")을유도하도록구성되어, 자유영역의 MA 강도를향상시킬수 있다. 보조산화물영역에근접한게터물질이산소농도그리고, 그에따라, 보조산화물영역의전기저항을감소시키기위해보조산화물영역에서산소를제거하도록형성되고구성된다. 그에따라, 보조산화물영역은셀 코어의전기저항에단지최소로기여한다. 그러므로본 발명의실시예들은향상된 MA 강도와함께높은실효자기저항, 낮은저항영역면적, 및낮은프로그래밍전압을가능하게한다. 제조방법들, 메모리어레이들, 메모리시스템들, 및전자시스템들이또한개시된다.

4. 发明公开

KR20180022540A 제로 트랜지스터 횡전류 양방향 비트 셀 审中-公开
标题翻译： ZERO晶体管横向电流双向BITCELL
公开(公告)号：KR20180022540A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR20170037376
申请日：2017-03-24
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： HATCHER RYAN MICHAEL
IPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/18
摘要： 전하상태를저장하는횡전류양방향비트셀이제공된다. 횡전류양방향비트셀은, 충전전류(charge current)를통과시키는스핀홀 금속, 스핀홀 금속상에배치되고, 스핀홀 금속을통과하는충전전류에응답하여이진(binary) 비트에대응하는비휘발성스핀상태를생성및 저장하고, 판독전압의인가에응답하여비휘발성스핀상태에대응하는충전전류를유도하는자기터널접합부스택, 서로반대극성을갖는한 쌍의기록다이오드를통해스핀홀 금속에각각전기적으로연결되고, 각각에인가되는기록전압에응답하여기록동작동안스핀홀 금속을통해충전전류를공급하고, 서로전기적으로절연되는제1 및제2 기록비트라인, 판독다이오드를통해자기터널접합부스택에전기적으로연결되고, 인가되는판독전압에응답하여판독동작동안스핀홀 금속을통해충전전류를유도하는판독비트라인, 및서로반대극성을갖는한 쌍의액세스다이오드를통해스핀홀 금속각각에전기적으로연결되고, 각각에인가되는동일한전압에응답하여스핀홀 금속을통한충전전류의흐름을허용하는제1 및제2 워드라인을포함한다.
摘要翻译：用于存储电荷状态的位单元，所述位单元包括用于通过充电电流的自旋霍尔金属，磁隧道结（MTJ）堆栈，用于响应于通过所述二进制位而生成和存储对应于二进制位的非易失性自旋状态通过自旋霍尔金属的充电电流，以及响应于施加读取电压而引起对应于非易失性自旋状态的充电电流，第一和第二写入位线用于响应于写入电压被施加到第一写入位线和第二写入位线两者，以及读取位线，用于响应于读取电压被施加到读取位线而感应通过自旋霍尔金属的充电电流，以及第一字线和第二字线用于允许充电电流流过自旋门厅金属。

5. 发明公开

KR1020170140176A 비트 셀 상태 유지 审中-实审
标题翻译：保持位单元状态
公开(公告)号：KR1020170140176A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020177026805
申请日：2016-02-19
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 오거스틴,찰스 , 도미시마,시게끼 , 샨츠,제임스더블유. , 루,쉬-리엔엘.
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1659 , G11C11/1657 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
摘要： 본개시내용의다양한실시예에따라서, STT(spin transfer torque) RAM(random access memeory)과같은 MRAM인 STTRAM 메모리에서의표류자계저감이설명된다. 일실시예에서, STTRAM에서의비트셀 비트값 저장상태들의유지가, 메모리의비트셀들이상태를변경하도록야기할수 있는표류자계를보상하기위해자계들을생성함으로써용이하게될 수있다. 또다른실시예에서, STTRAM에서의비트셀 비트값 저장상태들의유지는, 메모리의비트셀들이상태를변경하도록야기할수 있는표류자계를일시적으로종료시키기위해메모리의행에대한액세스를선택적으로중지시킴으로써용이하게될 수있다. 다른양태들이본 명세서에설명된다.
摘要翻译：根据本公开的各种实施例，描述了作为诸如自旋转移力矩（RST）随机存取存储器（RAM）的MRAM的STTRAM存储器中的漂移场减少。在一个实施例中，通过产生磁场来补偿漂移磁场可以促进位单元位值存储状态在STTRAM中的保持，这可能导致存储器中的位单元改变状态。在又一个实施例中，通过选择性地中止对存储器行的访问以暂时终止漂移磁场来促进位单元位值存储状态在STTRAM中的保持，这可能导致存储器的位单元改变状态它可以。这里描述了其他方面。

6. 发明授权

KR101810097B1 저전력 메모리 동작들을 수행하기 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于执行低功率存储器操作的系统和方法
公开(公告)号：KR101810097B1
公开(公告)日：2017-12-18
申请号：KR1020167018311
申请日：2014-11-26
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 센,지안 , 추아-오안,류고
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C7/1009 , G11C7/109 , G11C7/12 , G11C11/1673 , G11C2207/2263
摘要： 방법은, 단일메모리클럭사이클동안, MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지엘리먼트에저장된제 1 값을판독하고, 제 1 값을 MTJ 스토리지엘리먼트에저장될제 2 값과비교하고, 그리고비교에기초하여제 2 값을 MTJ 스토리지엘리먼트에선택적으로기록함으로써, MTJ 스토리지엘리먼트에서의메모리동작을수행하는단계를포함한다.
摘要翻译：该方法包括：读取存储在单个存储器时钟周期的磁性隧道结（MTJ）存储元件中的第一值，将第一值与要存储在MTJ存储元件中的第二值相比较，值给MTJ存储元件，从而在MTJ存储元件中执行存储器操作。

7. 发明公开

KR1020170104354A 마그네틱 장치에서 이용가능하고 기판 상에 위치하는 마그네틱 접합 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：磁性装置上可用的磁性连接点及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170104354A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：KR1020160104235
申请日：2016-08-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 펭겐 , 크로운비모하마드토우픽 , 니키틴블라디미르 , 탕슈에티
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 본발명은기술적과제는스핀전환토크의성능을향상시키고, 높은 PMA 및향상된 TMR을구현하기위한, 마그네틱장치에서이용가능하고기판상에위치하는마그네틱접합및 그의제조방법에관한것이다. 상기마그네틱장치에서이용가능하고기판상에위치하는마그네틱접합의제조방법은, 마그네틱(magnetic)을포함하는핀형레이어(pinned layer)를제공하고, 비마그네틱스페이서레이어(nonmagnetic spacer layer)를제공하고, 프리레이어(free layer)를제공하되, 상기비마그네틱스페이서레이어는, 상기핀형레이어와상기프리레이어사이에위치하고, 상기프리레이어는, 마그네틱을포함하고, 쓰기전류(write current)가마그네틱접합을통해흐를때, 복수의안정적인마그네틱상태(stable magnetic states)를변경할수 있되, 상기핀형레이어를제공하는것과, 상기프리레이어를제공하는것 중적어도하나는, 글래스-촉진성분(glass-promoting component)을포함하는마그네틱레이어(magnetic layer)를제공하되, 상기마그네틱레이어는증착된아몰포스(amorphous)이고, 상기마그네틱레이어상에희생산화레이어(sacrificial oxide layer)를제공하고, 상기희생산화레이어상에희생레이어(sacrificial layer)를제공하되, 상기희생레이어는상기글래스-촉진성분을위한싱크(sink)를포함하고, 섭씨 300도보다크고섭씨 475도보다작은어닐링온도에서, 상기마그네틱레이어, 상기희생산화레이어, 및상기희생레이어중 적어도하나에어닐링을수행하되, 상기어닐링이후에상기마그네틱레이어의적어도일부는결정화(crystallized)되고, 상기어닐링이후에, 상기희생산화레이어와희생레이어는제거되는것을포함한다.
摘要翻译：本发明的技术问题是提高自旋扭矩切换的性能，磁性接头，和制造，可以在用于实现高PMA磁性装置一起使用的方法和改进的TMR位于基板上。在位于衬底上的磁性装置中使用的制造磁接头的方法，提供了一个钉扎层（固定层）包括磁性（磁的），提供了一个非磁间隔层（非磁性间隔层），与所述自由但是，因为它流过磁性接头设置的层（自由层），非磁性间隔层，位于所述被钉扎层和自由层，自由层，包括磁和写入电流（写入电流）之间是，可以改变多个稳定的磁态，提供钉扎层并提供自由层，其中一个是包含玻璃促进组分的磁性层其中所述磁性层是沉积的非晶体，并且其中在所述磁性层上形成牺牲氧化物层，在所述牺牲氧化物层上提供牺牲层，其中所述牺牲层包括用于所述玻璃促进组分的水槽，并且其中所述牺牲层包括用于所述玻璃 - 其中，在磁性层，牺牲氧化物层和牺牲层中的至少一个在比退火温度更低的退火温度下退火之后，至少一部分磁性层被结晶，其中牺牲氧化层和牺牲层被去除。

8. 发明公开

KR1020170096604A RRAM 셀을 판독하기 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于读取RRAM单元的方法和设备
公开(公告)号：KR1020170096604A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020170021186
申请日：2017-02-16
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 양친-치에 , 창치-양 , 리아오창-솅 , 첸시아-웨이 , 양젠-솅 , 투쿠오-치 , 시솅-훙 , 추웬-팅 , 싱마니시쿠마르 , 첸치-차이
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1673 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2213/79 , G11C2213/82
摘要： 본개시물은 RRAM 셀의판독동작을수행하기위한방법및 장치에관한것으로서, 대응액세스트랜지스터들을손상시키지않고, 판독전류윈도우를증가시키기위해선택되지않은비트-라인들및 선택-라인들에넌-제로바이어스전압을인가한다. 몇몇실시예들에서, 방법은제1 판독전압을워드-라인에인가함으로써선택된 RRAM 디바이스를포함하는 RRAM 셀들의행에결합된워드-라인을활성화시킴으로써수행될수 있다. 제2 판독전압이선택된 RRAM 디바이스의제1 전극에결합된비트-라인에인가된다. 하나이상의넌-제로바이어스전압들은선택되지않은 RRAM 디바이스들을갖는 RRAM 셀들의행 내의 RRAM 셀들에결합된비트-라인들및 선택-라인들에인가된다.
摘要翻译：本发明涉及用于执行RRAM单元的读取操作中，而不会损害相应的访问晶体管的方法和设备，用于提高读取电流窗口行和选择列直插式的未选择位非施加零偏压。在一些实施例中，可以通过将第一读取电压施加到字线来激活耦合到包括选定RRAM器件的一行RRAM单元的字线来执行该方法。第二读取电压被施加到耦合到所选RRAM器件的第一电极的位线。将一个或多个非零偏置电压施加到位线和选择线，所述位线和选择线通过未选择的RRAM器件与一行RRAM单元中的RRAM单元耦合。

9. 发明公开

KR1020170064259A 메모리 및 이를 포함하는 전자 장치 审中-实审
标题翻译：存储器和包含该器件的电子器件
公开(公告)号：KR1020170064259A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020150169808
申请日：2015-12-01
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 강석준
IPC分类号： G11C13/00 , G06F12/08
CPC分类号： G11C13/004 , G06F3/0604 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C11/1673 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/0038 , G11C13/0059 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0078 , G11C2213/72 , G11C2213/76
摘要： 반도체메모리는, 다수의컬럼과다수의로우로배열된다수의저항성메모리셀들을포함하는셀 어레이; 및상기다수의저항성메모리셀들중 선택된메모리셀에리드전압을인가하기위한리드전압인가회로; 상기선택된메모리셀에흐르는전류량을감지해데이터를센싱하는센싱회로; 및상기선택된메모리셀에과전류가흐르면상기선택된메모리셀 양단의전압레벨을줄이는과전류방지부를포함할수 있다.
摘要翻译：半导体存储器被布置成多行和多行;单元阵列，其包括多个电阻式存储单元; 以及读取电压施加电路，用于将读取电压施加到所述多个电阻式存储器单元中的选定电阻式存储器单元; 感测电路，用于感测流过所选存储单元的电流量并感测数据; 以及过电流防止单元，用于当过电流流过选定的存储器单元时降低所选存储器单元两端的电压电平。

10. 发明授权

KR101734133B1 가변 저항 메모리 소자들을 판독하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于读取可变电阻器存储器装置的方法和设备
公开(公告)号：KR101734133B1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020157010403
申请日：2013-06-26
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 어거스트,나타니엘제이. , 웨이,리치옹
IPC分类号： G11C13/00 , G11C11/56
CPC分类号： G11C11/5607 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0054
摘要： 몇몇실시예들에서, 저항성메모리셀에서의저항을검출하는것은펄스에지를사용하여수행될수 있다. 예를들어, 문제의데이터셀의저항성상태를결정하기위해저항성메모리데이터셀을통해한 펄스를인가하고기준지연회로를통해다른펄스를인가하여어느경로가더 큰지연을갖는지를결정할수 있다.
摘要翻译：在一些实施例中，可以使用脉冲边缘来执行检测电阻式存储器单元中的电阻。例如，可以通过电阻存储器数据单元施加一个脉冲以确定所讨论的数据单元的电阻状态，并且可以通过参考延迟电路施加另一个脉冲以确定哪条路径具有更大的延迟。

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