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61. 发明公开

KR1020120086498A 타원형 도가니를 이용한 카이로플러스법에 의한 사파이어 단결정 제조 장치 失效
标题翻译： KYROPOULOS SAPPHIRE单晶生长装置通过使用ELLIPTIC CRUCIBLE
公开(公告)号：KR1020120086498A
公开(公告)日：2012-08-03
申请号：KR1020110007765
申请日：2011-01-26
申请人： 아즈텍 주식회사
发明人： 박종관
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/20 , C30B11/00 , H01L21/02
CPC分类号： C30B17/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/06 , C30B28/10 , C30B29/20 , C30B35/00 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要： PURPOSE: A manufacturing apparatus of a sapphire single crystal by a Kyropoulos method using an oval crucible is provided to improve a low recovery rate of the Kyropoulos method by growing a cylindrical ingot to an oval ingot by using the oval crucible. CONSTITUTION: A chamber(110) accepts an insulating material(120). A heating element(130) is installed inside the insulating material. A crucible(140) is located inside the heating element and receives a raw material for a sapphire single crystal. A support(150) prevents the crucible from sagging to the bottom due to the load of an object received in the crucible. A stand(160) is located on the upper end of the support.
摘要翻译：目的：提供通过使用椭圆形坩埚的Kyropoulos方法的蓝宝石单晶的制造装置，通过使用椭圆形坩埚将圆柱形锭生长成椭圆形锭来提高Kyropoulos方法的低回收率。构成：室（110）接受绝缘材料（120）。加热元件（130）安装在绝缘材料的内部。坩埚（140）位于加热元件内部并且接收蓝宝石单晶的原料。由于坩埚中容纳的物体的载荷，支撑件（150）防止坩埚下垂到底部。支架（160）位于支架的上端。

62. 发明公开

KR1020110005803A 결정 성장 장치 내에 가열 부재를 정렬하기 위한 시스템 및 방법 无效
标题翻译：在晶体生长装置中加热元件的系统和方法
公开(公告)号：KR1020110005803A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020107022669
申请日：2009-03-19
申请人： 지티에이티 코포레이션
发明人： 카타크,챈드라,피. , 파사사라시,산타나,라가반 , 스켈톤,딘 , 두안무,닝 , 샤르티에,칼
IPC分类号： C30B35/00 , C30B11/00 , C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： B22D27/045 , C30B11/003 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/04 , H01L31/182 , Y02P70/521 , Y10T29/49826
摘要： 결정 성장 장치 내에 가열 부재를 정렬하기 위한 시스템 및 방법은 가열 부재의 하나 또는 그 이상의 가열 요소를 서로 연결하고 가열 요소들 중 적어도 하나를 결정 성장 장치에 연결하는데 사용되는 히터 클립과 같은 가열부재를 포함한다. 가열 요소들은 전기적 및 열적으로 결합될 수 있으며 가열 부재의 단순한 제어를 위해서 동일한 회로를 통해 연결될 수 있다.

63. 发明公开

KR1020100101640A 반도체 공정 부품의 처리 방법 및 이에 의해 형성되는 부품 无效
标题翻译：用于处理形成半导体加工组件和组分的方法
公开(公告)号：KR1020100101640A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020107015114
申请日：2008-12-15
申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드
发明人： 나렌다예쉬완 , 버클리리차드에프.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/673 , H01L21/322
CPC分类号： C30B35/00 , H01L21/67316
摘要： 탄화규소로 이루어진 외부표면부를 가진 반도체 공정 부품으로, 외부표면부는 표층 불순물 준위 및 벌크 불순물 준위를 가진다. 표층 불순물 준위는 외부표면부 내측으로 0nm 내지 100nm 깊이의 평균 불순물 준위이고, 벌크 불순물 준위는 외부표면부 내측으로 3.0 마이크론 이상의 깊이에서 측정되며, 표층 불순물 준위는 벌크 불순물 준위의 80% 이하이다.

64. 发明公开

KR20100031896A Apparatus and method for forming semiconductor devices 有权
标题翻译：用于形成半导体器件的装置和方法
公开(公告)号：KR20100031896A
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：KR20080090756
申请日：2008-09-16
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , KOOKJE KOKUSAI ELECTRIC KOREA
发明人： PARK YOUNG SOO , AHN JUNG IL , KIM MYEONG JIN , CHA SANG YEOB , HWANG WAN GOO , AN YOUNG SAM
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B35/00
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to improve deposition uniformity between wafers by forming a thin film by vertically stacking a plurality of wafers. CONSTITUTION: An apparatus(1) for manufacturing a semiconductor device includes an inner tube(120), an outer tube(140), a gas supply unit(240), a gas exhaust unit(280), and a plate(400). The outer tube surrounds the inner tube. The gas supply unit supplies the gas. The gas flows from the lower side to the upper side of the inner tube. The gas exhaust unit exhausts the gas. A plate includes at least one through-hole. The gas flows through the through-hole.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的装置和方法，以通过垂直堆叠多个晶片形成薄膜来提高晶片之间的沉积均匀性。构成：用于制造半导体器件的装置（1）包括内管（120），外管（140），气体供应单元（240），排气单元（280）和板（400）。外管围绕内管。气体供应单元供应气体。气体从内管的下侧向上侧流动。排气单元排气。板包括至少一个通孔。气体流过通孔。

65. 发明授权

KR100910191B1 유기 금속 기상 성장 장치 失效
标题翻译：金属有机化学蒸气沉积设备
公开(公告)号：KR100910191B1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：KR1020070067270
申请日：2007-07-04
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 우에노마사키 , 우에다도시오 , 다카스카에이료
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45585 , C23C16/303 , C23C16/45504 , C30B25/165 , C30B35/00
摘要： 유기 금속 기상 성장 장치(1)는, 반응 가스(G)를 이용하여 기판(20)에 성막하기 위한 유기 금속 기상 성장 장치로서, 기판(20)을 가열하고, 기판(20)을 적재하기 위한 적재면을 갖는 서셉터(5)와, 기판(20)에 반응 가스(G)를 도입하기 위한 통로(11)를 구비하고 있다. 통로(11)의 내부에 적재면이 면한 상태로 서셉터(5)는 회전 가능하며, 반응 가스(G)의 유동 방향을 따른 통로(11)의 높이는, 위치(A3)부터 위치(S)까지 일정하며, 위치 S부터 하류측을 향해 단조감소하고 있다. 이에 따라, 성막되는 막의 두께를 균일하게 하면서 성막 효율을 향상시킬 수 있다.
유상 금속 기상 성장 장치, 질화물 반도체, 반응 가스, 성막 효율, 서셉터,

66. 发明公开

KR1020090019855A 고전력 레이저 평판 제품 처리 시스템 컨트롤러 有权
标题翻译：大功率激光平板工作台处理系统控制器
公开(公告)号：KR1020090019855A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：KR1020087031153
申请日：2007-05-31
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 콘웨이요셉이. , 샤르마요게시
IPC分类号： H01S3/22 , H01S3/00
CPC分类号： C30B35/00 , B23K26/064 , C30B1/02 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要： A pulsed DUV workpiece treatment apparatus and method for delivering light to irradiate the workpiece. for crystallization of a material on the workpiece, carried on a work stage, which may comprise a pulsed laser DUV light source and an optical train producing a very narrow width very elongated beam of light pulses with a set of parameters required to be maintained within a respective selected narrow range of values on a pulse to pulse basis is disclosed, which may comprise: a laser controller; a work stage controller; a system controller receiving process recipe control demands from a customer recipe control command generator and providing control signals to the laser controller and the workstage controller, which may comprise: a database driven process controller which may comprise: a database containing generic process command steps selectable by a user through an external process user interface.
摘要翻译：用于输送光以照射工件的脉冲DUV工件处理设备和方法。用于工件上的材料的结晶，其承载在工作台上，该工作台可以包括脉冲激光DUV光源和光学系列，其产生非常窄的宽度非常细长的光脉冲束，其具有需要保持在一个公开了基于脉冲的各个选定的窄范围的值，其可以包括：激光控制器; 工作台控制器; 系统控制器接收来自客户配方控制命令发生器的处理配方控制要求，并向激光控制器和工作台控制器提供控制信号，激光控制器和工作台控制器可以包括：数据库驱动过程控制器，其可以包括：包含通用过程命令步骤的数据库，用户通过外部进程的用户界面。

67. 发明授权

KR100806001B1 실리콘 단결정의 인상 방법 有权
标题翻译：硅单晶拉拔法
公开(公告)号：KR100806001B1
公开(公告)日：2008-02-26
申请号：KR1020057025104
申请日：2005-01-25
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후카츠노리히토 , 후센린 , 스즈키요지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 순수 마진을 감소시키지 않고, 거의 전체 길이에 걸쳐서 점 결함의 응집체가 존재하지 않는 실리콘 단결정의 잉곳을 제조한다.
열 차폐 부재(36)가, 통부(37)의 하부에 통 내의 방향으로 팽출되어 설치되며 또한 내부에 축열 부재(47)가 설치된 팽출부(41)를 구비한다. 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 열 차폐 부재(36)에서의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량이, 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량보다 많게 하여 잉곳(25)을 인상한다. 또는, 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도가, 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도보다 크게 설정된다.
摘要翻译：生产出一种单晶硅锭，其几乎在整个长度上不存在点缺陷聚集体而不会降低纯边距。

68. 发明授权

KR100798594B1 실리콘 단결정의 인상 방법 有权
标题翻译：提高硅单晶的方法
公开(公告)号：KR100798594B1
公开(公告)日：2008-01-28
申请号：KR1020070027086
申请日：2007-03-20
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후카츠노리히토 , 후센린 , 스즈키요지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 순수 마진을 감소시키지 않고, 거의 전체 길이에 걸쳐서 점 결함의 응집체가 존재하지 않는 실리콘 단결정의 잉곳을 제조한다.
열 차폐 부재(36)가, 통부(37)의 하부에 통 내의 방향으로 팽출되어 설치되며 또한 내부에 축열 부재(47)가 설치된 팽출부(41)를 구비한다. 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 열 차폐 부재(36)에서의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량이, 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량보다 많게 하여 잉곳(25)을 인상한다. 또는, 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도가, 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도보다 크게 설정된다.

69. 发明公开

KR1020070120867A 여러 단편으로 된 세라믹 도가니 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：多层陶瓷坩埚及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070120867A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020060119129
申请日：2006-11-29
申请人： 제너럴 일렉트릭 캄파니
发明人： 모리카와유지 , 가와사키가즈오 , 황선중 , 쉡켄스마르크
IPC分类号： C30B15/10 , C04B35/583
CPC分类号： C30B15/00 , B22D7/00 , B22D33/00 , C30B23/066 , C30B25/02 , C30B35/00 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1064
摘要： A multi-piece ceramic crucible and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a unit body crucible from a plurality of pieces without using a heat process to destroy and eliminate complex graphite mandrel from the crucible. A crucible(10) comprises a first and a second fraction. The first fraction with a cylindrical structure is a fundamentally lower portion(12), and comprises a sidewall(13), a closed lower portion end(14), and an opened upper portion having a circumference(51). The second fraction is an upper portion(11) connected to a lips part(16) of a ring type of which a taper type wall(15) is extended to the outside, and comprises an opened lower portion having the circumference(41), and an upper portion with the circumference having a negative taper type wall.
摘要翻译：提供了一种多件式陶瓷坩埚及其制造方法，以从多个零件制造单元体坩埚而不使用热处理从坩埚中破坏并消除复杂的石墨芯棒。坩埚（10）包括第一和第二部分。具有圆柱形结构的第一部分是基本上的下部（12），并且包括侧壁（13），封闭的下部端部（14）和具有圆周（51）的敞开的上部。第二部分是与锥形壁（15）向外延伸的环形唇部（16）连接的上部（11），并且包括具有圆周（41）的开口下部，并且具有圆周的上部具有负锥形壁。

70. 发明公开

KR1020070058424A 레이저 빔을 이용한 반도체 결정화 방법 및 장치 失效
标题翻译：用激光束结晶半导体的方法和装置
公开(公告)号：KR1020070058424A
公开(公告)日：2007-06-08
申请号：KR1020070050604
申请日：2007-05-25
申请人： 샤프 가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 니뽄 레이저
发明人： 사사끼노부오 , 우즈까다쯔야 , 오오끼고오이찌
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268 , H01L21/477
CPC分类号： H01L21/02683 , B23K26/067 , B23K26/0676 , B23K26/08 , B23K26/0884 , B23K2201/006 , B23K2201/40 , C30B13/24 , C30B35/00 , G02B19/0014 , G02B19/0057 , G02B27/144 , G02B27/145 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/6675 , H01L29/78672 , Y10T29/41
摘要： A semiconductor crystallizing method using a laser beam is provided to increase throughput even when CW(continuous wave) solid laser is used, by simultaneously irradiating the laser beams to a semiconductor layer such that the laser beams are emitted from a plurality of laser sources. The laser beam that is emitted by a plurality of laser beams to melt and crystallize a semiconductor layer is irradiated to the surface of a semiconductor layer on a substrate(12) by using a focus adjusting optical system. The plurality of laser beams that don't overlap each other are irradiated to the substrate so as to be injected to the semiconductor layer, so that the melted traces of the semiconductor layer are positioned to overlap each other.
摘要翻译：提供使用激光束的半导体结晶方法，即使在使用CW（连续波）固体激光器的情况下，通过将激光束同时照射到半导体层以使得激光束从多个激光源发射而提高吞吐量。通过使用聚焦调整光学系统将由多个激光束发射以熔化和结晶半导体层的激光束照射到基板（12）上的半导体层的表面。将彼此不重叠的多个激光束照射到基板，以便被注入到半导体层中，使得半导体层的熔融迹线彼此重叠。

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