会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明公开
    • 실리콘의 단결정을 생산하기 위한 장치 및 프로세스
    • 生产单晶硅的装置和工艺
    • KR1020150118547A
    • 2015-10-22
    • KR1020150051679
    • 2015-04-13
    • 실트로닉 아게
    • 브레닝거,게오르그쉬타인발데마르해버렌,마이크
    • C30B13/08C30B29/06
    • C30B11/10C30B11/001C30B11/003C30B13/08C30B13/14C30B13/20C30B15/02C30B15/12C30B29/06
    • 실리콘의단결정을생산하기위한장치및 프로세스. 이러한장치는플레이트로서, 외부에지및 내부에지를가지는상단측, 상기내부에지에인접한중앙개구, 및상기중앙개구로부터상기플레이트의하단측아래까지연장하는튜브를가지는, 플레이트; 입상실리콘을상기플레이트의상단측상에미터링하기위한디바이스; 상기플레이트상에배치되고퇴적된상기입상실리콘의용해를위하여제공되는제 1 유도가열코일; 상기플레이트아래에배치되고실리콘의용해물의안정화를위하여제공되는제 2 유도가열코일로서, 상기용해물은실리콘의성장중인단결정상에존재하는, 제 2 유도가열코일을포함한다. 플레이트의상단측은세라믹재료로이루어지고상승부들을가지며, 방사상방향에서인접한상승부들의중간부들(middles) 사이의거리는 2 mm 이상 15 mm 이하인것이이러한장치의특징적인피쳐이다.
    • 提供了一种用于制造单晶硅的装置和方法。 该装置包括:板,其包括具有外边缘和内边缘的顶侧,与内边缘相邻的中心开口,以及从中心开口延伸到板的底侧下方的管; 用于将颗粒状硅计量到板上的装置; 位于板上方的第一感应加热线圈,用于熔化沉积的颗粒状硅; 以及位于所述板下方的第二感应加热线圈,用于使硅熔体稳定化,其中所述熔体存在于生长的单晶硅上。 板的顶侧由陶瓷材料构成,具有高度,其中相邻立面的中间在径向上的距离不小于2mm且不大于15mm。
    • 9. 发明授权
    • Apparatus for Growing Sapphire Crystal and Method for Growing Sapphire Crystal Using the Same
    • 用于生长蓝宝石水晶的装置和使用其生长蓝宝石水晶的方法
    • KR101196445B1
    • 2012-11-01
    • KR20120047019
    • 2012-05-03
    • C30B29/20C30B11/00C30B35/00H01L33/00
    • C30B11/002C30B11/003H01L21/02598H01L21/67098H01L33/00
    • PURPOSE: An apparatus and method for growing a sapphire crystal are provided to obtain a single crystal with high quality by preventing radiant heat from being directly emitted from a heating device to a crucible to secure the uniformity of a temperature in a vertical direction. CONSTITUTION: A furnace(10) raises an inner temperature above a melting temperature of a sapphire scrap. A plurality of crucibles(20) melt the sapphire scrap. A thermal insulation body(30) receives a plurality of crucibles to secure the uniformity of the temperature in the crucible. A heating element(40) is installed outside the thermal insulation body to melt the sapphire scrap. A cooling unit is installed in the bottom of the crucible to prevent a seed crystal from being completely melted.
    • 目的:提供一种用于生长蓝宝石晶体的装置和方法,以通过防止辐射热从加热装置直接发射到坩埚以确保垂直方向的温度均匀性而获得高质量的单晶。 构成:炉(10)将内部温度升高到高于蓝宝石废料的熔化温度。 多个坩埚(20)熔化蓝宝石废料。 绝热体(30)容纳多个坩埚以确保坩埚中的温度均匀性。 加热元件(40)安装在绝热体外部以熔化蓝宝石废料。 坩埚的底部装有一个冷却单元,以防止晶种完全熔化。