专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170071530A 용융물 상에서 성장되는 결정질 시트의 두께를 제어하기 위한 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于控制在熔体上生长的晶体片的厚度的设备和方法
公开(公告)号：KR1020170071530A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020177012761
申请日：2015-09-23
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 켈러만,피터엘. , 칼슨,프레드릭엠. , 모렐,데이비드 , 매킨토시,브레인 , 데사이,난디쉬
IPC分类号： C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/06 , C30B15/14 , C30B15/26 , C30B29/06 , C30B29/64
CPC分类号： C30B15/06 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B15/002 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B15/26 , C30B29/06 , C30B29/64 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要： 장치는, 용융물을포함하도록구성된도가니로서, 용융물은도가니의플로어로부터제 1 거리만큼분리된노출된표면을갖는, 도가니, 용융물에대하여비-오염성인재료를포함하는하우징으로서, 하우징은용융물과접촉하도록구성된복수의측벽들및 상단부를포함하는, 하우징, 및용융물로부터분리되며결정질시트의풀링방향에수직인횡 방향을따라배치되는복수의가열엘리먼트들로서, 복수의가열엘리먼트들은개별적으로전력이공급되며, 복수의가열엘리먼트들은용융물의노출된표면으로부터제 1 거리보다더 작은거리들의제 2 세트에배치되고, 복수의가열엘리먼트들은전력이개별적으로복수의가열엘리먼트들에공급될때 횡방향을따라열 플럭스프로파일을변화시키도록구성되는, 복수의가열엘리먼트들을포함할수 있다.
摘要翻译：装置中，坩埚被配置为容纳熔体，所述熔体比相对于所述坩埚中，具有第一暴露分离表面的通过从坩埚的底部，第一距离熔体 - 壳体，其包括受污染的成人材料，外壳与接触熔融多个加热元件与熔体分离并且沿着垂直于晶体片的拉伸方向的横向方向布置，其中多个加热元件单独供电多个加热元件被布置在所述第二组比从熔体的暴露表面上的第一距离小的距离，多个加热元件都是沿着当电力被单独提供给多个加热元件的横向方向上的热通量多个加热元件被配置成改变轮廓。

2. 发明公开

KR1020150118547A 실리콘의 단결정을 생산하기 위한 장치 및 프로세스 有权
标题翻译：生产单晶硅的装置和工艺
公开(公告)号：KR1020150118547A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：KR1020150051679
申请日：2015-04-13
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 브레닝거,게오르그 , 쉬타인발데마르 , 해버렌,마이크
IPC分类号： C30B13/08 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/10 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/20 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06
摘要： 실리콘의단결정을생산하기위한장치및 프로세스. 이러한장치는플레이트로서, 외부에지및 내부에지를가지는상단측, 상기내부에지에인접한중앙개구, 및상기중앙개구로부터상기플레이트의하단측아래까지연장하는튜브를가지는, 플레이트; 입상실리콘을상기플레이트의상단측상에미터링하기위한디바이스; 상기플레이트상에배치되고퇴적된상기입상실리콘의용해를위하여제공되는제 1 유도가열코일; 상기플레이트아래에배치되고실리콘의용해물의안정화를위하여제공되는제 2 유도가열코일로서, 상기용해물은실리콘의성장중인단결정상에존재하는, 제 2 유도가열코일을포함한다. 플레이트의상단측은세라믹재료로이루어지고상승부들을가지며, 방사상방향에서인접한상승부들의중간부들(middles) 사이의거리는 2 mm 이상 15 mm 이하인것이이러한장치의특징적인피쳐이다.
摘要翻译：提供了一种用于制造单晶硅的装置和方法。该装置包括：板，其包括具有外边缘和内边缘的顶侧，与内边缘相邻的中心开口，以及从中心开口延伸到板的底侧下方的管; 用于将颗粒状硅计量到板上的装置; 位于板上方的第一感应加热线圈，用于熔化沉积的颗粒状硅; 以及位于所述板下方的第二感应加热线圈，用于使硅熔体稳定化，其中所述熔体存在于生长的单晶硅上。板的顶侧由陶瓷材料构成，具有高度，其中相邻立面的中间在径向上的距离不小于2mm且不大于15mm。

3. 发明授权

KR101511826B1 유도 방식에 의한 다결정 실리콘 잉곳을 생산하기 위한 방법 有权
标题翻译：通过诱导方法生产多晶硅的工艺
公开(公告)号：KR101511826B1
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：KR1020127005894
申请日：2010-08-20
申请人： 솔린 디벨롭먼트 비.브이.
发明人： 베린고브,세르기 , 오니센코,볼로디미르 , 시쿨코브,아나톨리 , 셰어파크,유리 , 포지건,세르기 , 마르첸코,스테판 , 셰브추크,안드리
IPC分类号： C30B11/04 , C30B29/06 , H01L31/04
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/006
摘要： 유도방식에의해다결정실리콘잉곳을생산하는방법으로, 인덕터에의해둘러싸인냉각도가니의용융챔버로실리콘원료를충전하고, 용융표면을형성하고, 인덕터피드의출력파라메터를모니터하면서용융하고, 제어냉각조건하에서다결정실리콘잉곳을풀링(pulling)하는단계를포함하는방법은용융과정에서, 인덕터의상부평면아래에하지만인덕터의높이의 1/3 보다낮지않게용융표면위치를제공하도록실리콘원료를충전하는질량유속(mass rate)과잉곳을풀링하는속도를설정하는단계를포함한다. 이렇게해서용융표면위치를, 인덕터피드의출력의파라메터중하나, 현저하게는작동주파수, 전압, 전류를소정의범위내에유지함으로써동일한레벨에유지한다. 본방법은태양전지제조에적합한다결정실리콘잉곳을캐스팅하는것이고, 높은생산효율과낮은특정에너지소비에현저한효과가있다.

4. 发明公开

KR1020140120362A 실리콘 정제 몰드 및 방법 审中-实审
标题翻译：硅氧烷纯化和方法
公开(公告)号：KR1020140120362A
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020147024389
申请日：2013-02-01
申请人： 실리코르 머티리얼즈 인코포레이티드
发明人： 누리압달라 , 장춘후이 , 오우나델라카멜
IPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00
CPC分类号： C22B9/00 , C01B33/02 , C01B33/037 , C22B21/06 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/14 , F27B14/20
摘要： 본 발명은 분별 응고(fractional solidification)를 이용하여 재료를 정제하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 도시된 장치 및 방법은 분별 응고 동안의 온도 구배 및 냉각 속도에 대한 제어를 제공하여 더 높은 순도의 재료를 얻게 한다. 본 발명의 장치 및 방법은 태양 전지와 같은 태양과 관련된 적용에 사용하기 위한 실리콘 재료를 제작하는데 사용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用分级凝固来净化材料的装置和方法。显示的装置和方法可以控制分级凝固过程中的温度梯度和冷却速率，从而产生更高纯度的材料。本发明的装置和方法可用于制造用于太阳能电池等太阳能应用的硅材料。

5. 发明公开

KR1020140059823A 소모성 전극 진공 아크 재용해 공정에 의한 반금속의 정제 审中-实审
标题翻译：通过消耗电极真空电弧过程净化金属
公开(公告)号：KR1020140059823A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020147007908
申请日：2012-08-15
申请人： 콘삭 코퍼레이션
发明人： 로버츠레이몬드제이.
IPC分类号： C30B13/00 , C01B33/037 , C30B29/06
CPC分类号： F27B14/14 , C01B33/037 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/06 , F27B2014/068 , Y02P20/129
摘要： 예열된 고체 전극 형태의 실리콘 등의 반금속이 예열된 전극이 짧은 CEVAR 바닥부 개방형 도가니를 사용하는 CEVAR 용해로 시스템 내에서 용해된 후에 제어된 가열 및 냉각으로 잉곳을 생산함으로써 CEVAR 정제 공정에 의해 정제된다.

6. 发明公开

KR1020130113422A 다결정성 규소 블록을 생산하기 위한 방법 및 장치 无效
标题翻译：用于生产多晶硅块的方法和装置
公开(公告)号：KR1020130113422A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020137001086
申请日：2011-06-10
申请人： 센트로테에름 시텍 게엠베하
发明人： 후씨,슈테판 , 호쓰,크리스티안
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B11/04 , C30B29/06
CPC分类号： F27B14/04 , C01B33/021 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/04 , C30B29/06
摘要： 본 출원에는 규소 재료로 충전되고, 공정 챔버에 배열되는 도가니에서 다결정성 규소 잉곳을 생산하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 도가니에서 규소 재료는 용융되어 용융된 규소를 형성시키고, 이어서 용융된 규소의 고형화 온도 미만으로 냉각된다. 공정 기간 동안, 공정 챔버에 배열되고, 적어도 하나의 관을 지니는 플레이트 부재는 도가니에서 용융된 규소 상에 배열되거나 배열될 수 있고, 가스 흐름은 플레이트 부재에서 적어도 하나의 관을 통해 부분적으로 또는 전체적으로 용융된 규소의 표면 상에 유도될 수 있다. 대안적으로, 방법 및 도가니 및 고정 링을 포함하는 도가니 배열이 개시된다. 추가 규소 재료가 도가니 위에 고정시키려는 고정 링에서 고정링에 의해 수용될 수 있도록 고정 링이 규소 재료로 충전된 도가니 위에 또는 도가니 상에 배열될 수 있다. 도가니에서의 규소 재료 및 고정 링에서의 추가 규소 재료의 가열 동안, 도가니에 용융된 규소가 형성되고, 이어서, 용융된 규소는 규소의 고형화 온도 미만으로 냉각된다.

7. 发明公开

KR1020130033410A 다결정성 규소 잉곳을 제조하기 위한 방법 및 장치 无效
标题翻译：制造多晶硅硅素体的工艺和装置
公开(公告)号：KR1020130033410A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020137001085
申请日：2011-06-10
申请人： 센트로테에름 시텍 게엠베하
发明人： 후씨,슈테판 , 프로코펜코,올렉산드르 , 클루스,랄프 , 호쓰,크리스티안
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06 , H01L21/02
CPC分类号： C01B33/021 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/20 , F27D99/0006
摘要： 본 출원에는 다결정성 규소 잉곳을 생산하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 공정 동안, 공정 챔버에 도가니가 배열되고, 도가니는 고형 규소 재료로 충전되거나 공정 챔버에서 규소 재료로 충전된다. 도가니는 적어도 하나의 대각 히터에 대해 대각 히터가 측면 오프셋(offset)으로, 일반적으로 생산하려는 규소 잉곳 위에 위치되는 방식으로 위치된다. 이어서, 도가니에서 고형 규소 재료가 규소 재료의 용융 온도 초과로 가열되어 도가니에서 용융된 규소를 형성시키고, 이어서 도가니에서 규소 재료가 용융된 규소의 고형화 온도 미만으로 냉각되고, 냉각 단계 동안 규소 재료에서의 온도 프로파일은 적어도 하나의 대각 히터를 통해 부분적으로 또는 전체적으로 제어된다. 본 발명의 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내부의 도가니 홀더, 및 공정 챔버에서 적어도 하나의 대각 히터를 포함한다. 대각 히터는 도가니 홀더에 대하여 측면으로 위치되고, 일반적으로 도가니 홀더에 수직으로 연장되고, 대각 히터가 일반적으로 도가니에서 형성하려는 다결정성 규소 잉곳 상에 위치되는 거리에서 수직 방향으로 도가니 홀더로부터 이격되어 있다. 대각 히터는 공정 챔버가 밀폐될 때에 도가니 홀더에 대해 고정적이다.

8. 发明公开

KR1020120129165A 온도 조절이 용이한 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 장치 및 이를 이용한 실리콘 기판 제조 방법 有权
标题翻译：使用温度控制的连续铸造的太阳能电池用硅基板的制造装置和使用其的硅基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020120129165A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110047263
申请日：2011-05-19
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 이진석 , 김준수
IPC分类号： C30B28/10 , C30B29/06 , H01L31/04
CPC分类号： B22D11/045 , C01B33/037 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B28/10 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： PURPOSE: An apparatus for manufacturing a silicon substrate for a solar cell using continuous casting with easiness of temperature control and a method for manufacturing the silicon substrate using the same are provided to control easily Impurities by keeping the high liquid interface of a silicon substrate orthogonal to the growth direction of the substrate. CONSTITUTION: A crucible part(110) includes an outlet(115). The outlet is arranged in the horizontal direction through a surface of a wall. A heating part(120) melts silicon metal. A cast part(130) makes a silicon substrate with molten silicon metal. A cooling part quenches the silicon substrate.
摘要翻译：目的：提供一种使用容易进行温度控制的连续铸造的太阳能电池用硅基板的制造装置及使用其的制造硅基板的方法，通过将硅基板的高液界面保持与衬底的生长方向。构成：坩埚部件（110）包括出口（115）。出口通过壁的表面在水平方向上布置。加热部件（120）熔化硅金属。铸造部件（130）制造具有熔融硅金属的硅基板。冷却部件淬火硅衬底。

9. 发明授权

KR101196445B1 Apparatus for Growing Sapphire Crystal and Method for Growing Sapphire Crystal Using the Same 有权
标题翻译：用于生长蓝宝石水晶的装置和使用其生长蓝宝石水晶的方法
公开(公告)号：KR101196445B1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR20120047019
申请日：2012-05-03
IPC分类号： C30B29/20 , C30B11/00 , C30B35/00 , H01L33/00
CPC分类号： C30B11/002 , C30B11/003 , H01L21/02598 , H01L21/67098 , H01L33/00
摘要： PURPOSE: An apparatus and method for growing a sapphire crystal are provided to obtain a single crystal with high quality by preventing radiant heat from being directly emitted from a heating device to a crucible to secure the uniformity of a temperature in a vertical direction. CONSTITUTION: A furnace(10) raises an inner temperature above a melting temperature of a sapphire scrap. A plurality of crucibles(20) melt the sapphire scrap. A thermal insulation body(30) receives a plurality of crucibles to secure the uniformity of the temperature in the crucible. A heating element(40) is installed outside the thermal insulation body to melt the sapphire scrap. A cooling unit is installed in the bottom of the crucible to prevent a seed crystal from being completely melted.
摘要翻译：目的：提供一种用于生长蓝宝石晶体的装置和方法，以通过防止辐射热从加热装置直接发射到坩埚以确保垂直方向的温度均匀性而获得高质量的单晶。构成：炉（10）将内部温度升高到高于蓝宝石废料的熔化温度。多个坩埚（20）熔化蓝宝石废料。绝热体（30）容纳多个坩埚以确保坩埚中的温度均匀性。加热元件（40）安装在绝热体外部以熔化蓝宝石废料。坩埚的底部装有一个冷却单元，以防止晶种完全熔化。

10. 发明公开

KR1020120104297A 반도체 물질의 높은 쓰로우풋 재결정 无效
标题翻译：半导体材料的高通量再结晶
公开(公告)号：KR1020120104297A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020127017695
申请日：2010-12-07
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 마줌더,프랜틱 , 수만,발람 , 쿡,글렌,비. , 벤카타라만,네이트산
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/64 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC分类号： C30B29/64 , C30B11/003 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/16 , C30B29/42 , C30B29/52 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 반도체 물질 제품의 제조 및/또는 처리 방법을 개시한다. 다양한 방법에서, 제 1 반도체 물질 제품을 제공하고, 상기 제 1 반도체 물질 제품을 충분히 가열하여 제 1 반도체 물질 제품을 용융시키고, 상기 용융된 제 1 반도체 물질 제품을 상기 용융된 제 1 반도체 물질 제품의 가장 작은 치수에 대해서 실질적으로 평행한 방향에서 고체화시킨다. 본 발명은 본원에 기재된 방법에 의해서 제조된 반도체 물질 제품을 개시한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式