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1. 发明授权

KR102303596B1 기판 처리 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102303596B1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：KR1020190140368
申请日：2019-11-05
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판을처리하는장치를제공한다. 본발명의일 실시예에따르면, 기판을처리하는장치에있어서, 내부에처리공간을제공하는하우징; 그리고처리공간에서기판을지지하는지지유닛을포함하고, 지지유닛은, 기판을지지하는지지플레이트; 지지플레이트에제공되어기판을가열하는히터부재; 그리고, 히터부재의아래에제공되며지지플레이트를강제냉각하는냉각유닛을포함하고, 냉각유닛은, 히터부재와이격되게배치되는냉각플레이트; 그리고냉각플레이트에제공되어히터부재의저면으로가스를공급하는노즐을포함하되, 노즐은회동가능하게제공될수 있다.

2. 发明公开

KR20180040096A 광소결을 이용하여 폴리실라잔 막을 소결시키는 방법 및 그 방법에 의해 생성된 실리콘 막 审中-公开
公开(公告)号：KR20180040096A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR20170129216
申请日：2017-10-10
申请人： ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RES INSTITUTE
发明人： KANG CHAN MO , DO LEE MI , BAEK KYU HA
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/477
摘要： 광소결을이용한폴리실라잔막 소결방법및 그방법으로생성된실리콘막이개시된다. 광소결을이용한폴리실라잔막(polysilazane film) 소결방법은, 기판위에폴리실라잔(polysilazane) 용액을코팅하여폴리실라잔막을형성시키는단계(S100), 폴리실라잔막이형성된상기기판을물에넣는단계(S110) 및물에잠긴상기폴리실라잔막에제논램프(xenon lamp)를조사하여폴리실라잔막을소결시키는단계(S120)를포함할수 있다. 따라서, 폴리실라잔막을물속에서광소결시킴으로써물이촉매로작용하여소결속도를향상시키고물의높은열전도도로열에의한기판변형을최소화할수 있다.

3. 发明公开

KR1020170103204A 반도체장치 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020170103204A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160025668
申请日：2016-03-03
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박규태 , 심양호 , 이혜미
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L27/108
摘要： 본기술은심 또는보이드없이고종횡비의오프닝을채울수 있는반도체장치제조방법에관한것으로, 본기술에따른반도체장치제조방법은기판상부에복수의비트라인구조물을형성하는단계; 상기비트라인구조물들사이에희생층을형성하는단계; 상기희생층을식각하여복수의희생필라및 상기희생필라사이에위치하는복수의오프닝을형성하는단계; 상기오프닝각각을채우는복수의플러그분리부를형성하는단계; 상기복수의플러그분리부사이에콘택홀을형성하기위해, 상기희생필라를제거하는단계; 상기플러그분리부및 콘택홀의측벽프로파일을변형시키기위해수소어닐링을수행하는단계; 및상기수소어닐링이수행된콘택홀내에폴리실리콘층을채우는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：的技术，以根据制造具有高chaeulsu芯或纵横比的没有空隙的开口的半导体器件的方法的描述制造半导体器件的方法包括形成多个在上基板上的位线结构的; 在位线结构之间形成牺牲层; 刻蚀所述牺牲层以形成位于所述多个牺牲柱与所述牺牲柱之间的多个开口; 形成填充每个开口的多个插塞分离部分; 去除牺牲柱以在多个插头分离部中形成接触孔; 进行氢退火以使插塞分离部分和接触孔的侧壁轮廓变形; 并且在进行了氢退火的接触孔中填充多晶硅层。

4. 发明公开

KR1020170089025A 주석계 P-형 산화물 반도체 및 박막 트랜지스터 애플리케이션들 审中-实审
标题翻译：锡型P型氧化物半导体和薄膜晶体管的应用
公开(公告)号：KR1020170089025A
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：KR1020177020282
申请日：2015-12-04
申请人： 스냅트랙 인코포레이티드
发明人： 노무라겐지
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66 , H01L27/12 , H01L29/24 , H01L21/477 , H01L21/02 , G09G3/20 , G09G3/34
CPC分类号： H01L29/78693 , G09G3/2096 , G09G3/3466 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 본개시는양호한박막트랜지스트 (TFT) 특성들을표시하는 p-형금속산화물반도체박막들을제공한다. p-형금속산화물박막들은 Sn (II)-M-O 산화물들과같은터너리또는고차주석계 (Sn-계) p-형산화물들을포함하며, 여기서 M 은금속이다. 일부구현들에서, M 은주기율표의 d 블록또는 p 블록으로부터선택된금속이다. 여기에개시된산화물들은 p-형전도및 넓은밴드갭들을나타낸다. 또한 p-형산화물반도체들을포함하는채널들을포함하는 TFT 들, 및제조의방법들이제공된다. 일부구현들에서, p-채널 TFT 들은낮은오프-전류들을갖는다.
摘要翻译：本公开提供了表现出良好的薄膜晶体管（TFT）特性的p型金属氧化物半导体薄膜。 p型金属氧化物薄膜是锡（II）三元或更高的基于锡的（基于Sn的），如-M-O氧化物包括p型氧化物，其中所述凿中号银和金。在一些实施方式中，M是选自元素周期表的d个块或p个块的金属。本文公开的氧化物显示出p型导电和宽带隙。还提供了包括包含p型氧化物半导体的沟道的TFT以及制造方法。在一些实施方式中，p沟道TFT具有低关断电流。

5. 发明公开

KR1020160107310A 폴리옥소메탈레이트 및 헤테로폴리옥소메탈레이트 조성물 및 이들의 사용 방법 审中-实审
标题翻译：聚羟基乙酸酯和异丙基羟基乙酸酯组合物及其使用方法
公开(公告)号：KR1020160107310A
公开(公告)日：2016-09-13
申请号：KR1020167022066
申请日：2014-12-08
申请人： 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘.
发明人： 차다벤카타고팔레디 , 야오후이롱 , 파드마나반무니라트나 , 조준연 , 울퍼엘리자베스 , 디오시스알베르토디 , 물렌살렘케이
IPC分类号： G03F7/09 , C08L29/04 , G03F7/004 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/47 , H01L21/477
CPC分类号： H01L21/02172 , G03F7/0042 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02142 , H01L21/02282 , H01L21/31133 , H01L21/47 , H01L21/477 , C08L29/04
摘要： 본발명은하나이상의폴리옥소메탈레이트, 하나이상의헤테로폴리옥소메탈레이트및 이들의혼합물로부터선택되는금속성분; 및하나이상의유기성분을포함하는신규한조성물에관한것이다. 또한, 본발명은또한, 나노로드어레이및 나노로드물질의제조방법및 필름에관한것이다. 본발명은또한산화금속풍부필름을생성하기위한신규한조성물에관한것이고, 또한비아또는트렌치충전, 리버스비아(reverse via) 또는트렌치충전및 하지층을사용한영상화에대한공정에관한것이다. 상기물질은반도체소자, 전기-광학기기및 에너지저장산업을비롯한수많은산업에서의광범위한제조분야에서유용하다.

6. 发明公开

KR1020160044007A 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 有权
标题翻译：制造薄膜晶体管阵列基板的方法
公开(公告)号：KR1020160044007A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020167006845
申请日：2013-10-17
申请人： 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
发明人： 왕,쥔
IPC分类号： H01L29/423 , H01L27/12 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/441 , H01L21/477
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/0226 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
摘要： 박막트랜지스터어레이기판의제조방법을제공하며, 상기박막트랜지스터어레이기판은탑 게이트구조이고, 상기박막트랜지스터어레이기판의제조방법은 3회마스킹을통해 TFT(Thin Film Transistor) 어레이기판을제조하며, 그중 인듐갈륨아연산화물로박막트랜지스터어레이기판중의박막트랜지스터를제조함으로써박막트랜지스터의화소전극에대한충전속도를대폭향상시키고, 화소의응답속도를향상시켜, 보다빠른리프레시속도를구현할수 있는동시에, 빠른응답속도로인해화소의행 주사속도역시빨라지게되어, 박막트랜지스터액정디스플레이에서초고해상도가가능해졌다. 이와동시에, 상기제조방법은 3회의마스킹공정만을이용하여제조단계를현저하게감소시킬수 있고, 공정시간을단축시켜생산원가를효과적으로절감할수 있어, 생산효율이높아지고생산능력이증가된다.

7. 发明授权

KR101388204B1 반도체 디바이스를 제조하는 방법, 공구 및 장치 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法，工具和装置
公开(公告)号：KR101388204B1
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020070087259
申请日：2007-08-29
申请人： 신덴겐코교 가부시키가이샤
发明人： 니시카와코이치 , 시미즈마사아키 , 노나카켄이치 , 요코야마세이이치 , 하시모토히데키
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67103 , H01L21/68721 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , Y10T29/49117 , Y10T29/49124
摘要： 본 발명은 반도체 디바이스 제조 방법으로서, 이는 부착성 증강 기구를 사용하여, 가열 소자인 서셉터와, 상기 서셉터 상에 배치되는 반도체 기판 사이의 부착성을 증강시키는 단계; 또는 열 전도 증강 기구를 사용하여 열 소자인 서셉터 상에 배치된 반도체 기판으로의 열 전도를 향상시키는 단계; 그리고 서셉터를 가열함으로써 반도체 기판을 사전 결정된 온도로 가열하는 단계를 포함한다. 부착성 증강 기구는 서셉터와 반도체 기판 상에 배치된 중량 석재, 상기 반도체 기판 상에 배치되고 서셉터와 결합되는 캡, 상기 서셉터와 상기 반도체 기판 사이에 마련된 접착층을 포함할 수 있다. 열 전도 증강 기구는 서셉터와, 상기 반도체 기판 상에 배치되며 복사광 흡수 능력을 가진 소형 부재들을 포함할 수 있다. 서셉터는 복수의 반도체 기판을 스택 형상으로 유지할 수 있다.
반도체 제조, 서셉터, 열 전도, 반도체 기판

8. 发明授权

KR101361815B1 기판 가열 장치 有权
标题翻译：用于加热基底的装置
公开(公告)号：KR101361815B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020070085367
申请日：2007-08-24
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김선오
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
摘要： 기판 가열 장치는 가열부, 베이스부, 슬라이딩부 및 고정부를 포함한다. 가열부는 기판을 진공 흡착 및 가열한다. 베이스부는 가열부의 하부에 구비되며, 가열부를 지지한다. 슬라이딩부는 가열부와 베이스부 사이에 구비되며, 가열부를 베이스부의 일측으로 슬라이딩시킨다. 고정부는 가열부의 하부면에 구비되며, 가열부를 베이스부에 고정하거나 가열부가 슬라이딩되도록 가열부와 베이스부의 고정을 해제한다.

9. 发明授权

KR101317282B1 인라인 열처리 장치 有权
标题翻译：在线式热处理设备
公开(公告)号：KR101317282B1
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020110043930
申请日：2011-05-11
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 김선아
IPC分类号： C21D1/00 , H01L21/477 , C21D9/00 , H01L21/3105
摘要： 인라인 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 히터가 기판의 이송 방향을 따라 이송 순환된다. 이로 인해, 기판의 이송 경로 상의 가열로의 내부 온도가 거의 균일하므로, 기판은 균일한 온도에서 열처리 된다. 따라서, 기판 열처리 공정의 신뢰성이 향상된다.

10. 发明授权

KR100933034B1 베이크 장치 失效
标题翻译： 베이크장치
公开(公告)号：KR100933034B1
公开(公告)日：2009-12-21
申请号：KR1020070138616
申请日：2007-12-27
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 강운규 , 함형원 , 김성언
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
摘要： A bake apparatus is provided to improve efficiency of a bake process by preventing the temperature of the substrate from being changed due to the heat from the cooling and heating plates by using a heat blocking member in a buffer unit. A housing provides a space for performing the process. A cooling plate(20) supports a substrate inside the housing and cools the substrate. A heating plate(30) supports and heats the substrate inside the housing. A buffer unit(100) is opposite to the cooling plate in the upper part of the cooling plate. A substrate inputted to the housing is on the standby before settling the substrate on the plate and drawing the processed substrate from the housing. The buffer unit includes the support plate where the substrate is loaded and the heat blocking member blocking the heat to the buffer unit.
摘要翻译：提供一种烘烤装置，通过使用缓冲单元中的热阻挡构件来防止基板的温度由于来自冷却板和加热板的热而改变，从而提高烘烤过程的效率。一个住房为执行这个过程提供了一个空间。冷却板（20）支撑壳体内部的基板并冷却基板。加热板（30）支撑并加热壳体内的基板。缓冲单元（100）与冷却板上部的冷却板相对。输入到壳体的衬底在将衬底放置在板上并从壳体中拉出处理后的衬底之前处于备用状态。缓冲单元包括装载基板的支撑板和阻挡热量到缓冲单元的热阻挡构件。

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