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1. 发明授权

KR100679135B1 실리콘 단결정 인양 장치의 열 차폐 부재 有权
标题翻译：硅单晶拉伸系统的热屏元件
公开(公告)号：KR100679135B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020057004687
申请日：2003-09-12
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후센린 , 스즈키요지 , 후루야히사시 , 아베히데노부
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1076 , Y10T117/1088
摘要： 열 차폐 부재(36)는, 석영도가니(13)에 저류된 실리콘 융액(12)으로부터 실리콘 단결정 봉(25)을 인양하는 장치에 설치되고, 실리콘 단결정 봉의 외주면을 포위하여 히터(18)로부터의 복사열을 차단하는 통부(37)와, 통부의 하부에 설치된 팽출부(41)와, 팽출부의 내부에 설치된 링 형상의 축열 부재(47)를 구비한다. 축열 부재는 열 전도율이 5W/(m·℃) 이하이고, 실리콘 단결정 봉의 직경을 d로 할 때 축열 부재의 내주면은 높이(H
1 )가 10㎜ 이상 d/2 이하이고 실리콘 단결정 봉의 외주면과 축열 부재의 내주면의 최소 간격(W
1 )이 10㎜ 이상 0.2d 이하이며, 축열 부재의 외주면의 상측 가장자리와 최하부의 수직 거리(H
2 )가 10㎜ 이상 d 이하이고 석영도가니 내주면과 축열 부재의 외주면의 최소 간격(W
2 )이 20㎜ 이상 d/4 이하이다.

2. 发明公开

KR1020070038484A 실리콘 단결정의 인상 방법 有权
标题翻译：提高硅单晶的方法
公开(公告)号：KR1020070038484A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020070027086
申请日：2007-03-20
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후카츠노리히토 , 후센린 , 스즈키요지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 순수 마진을 감소시키지 않고, 거의 전체 길이에 걸쳐서 점 결함의 응집체가 존재하지 않는 실리콘 단결정의 잉곳을 제조한다.
열 차폐 부재(36)가, 통부(37)의 하부에 통 내의 방향으로 팽출되어 설치되며 또한 내부에 축열 부재(47)가 설치된 팽출부(41)를 구비한다. 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 열 차폐 부재(36)에서의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량이, 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량보다 많게 하여 잉곳(25)을 인상한다. 또는, 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도가, 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도보다 크게 설정된다.

3. 发明公开

KR1020060035644A 실리콘 단결정의 인상 방법 有权
标题翻译：提高硅单晶的方法
公开(公告)号：KR1020060035644A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020057025104
申请日：2005-01-25
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후카츠노리히토 , 후센린 , 스즈키요지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： [PROBLEMS] To produce a silicon single crystal ingot free from point-defect aggregate over almost its entire length without decreasing pure margin. [MEANS OF SOLVING PROBLEMS] A heat shielding member (36) is provided with a bulging unit (41) provided at the lower part of a tube part (37) to swell in the inner side of the tube part and having a heat storing member (47) provided inside thereof. An silicon single crystal ingot (25) is lifted such that the flow rate of an inert gas flowing down between the bulging unit (41) at the heat shielding member (36) and the ingot (25) when a top-side ingot (25a) of the silicon single crystal ingot (25) is lifted is larger than the flow rate of an inert gas flowing down between the bulging unit (41) and the ingot (25) when a bottom-side ingot (25b) of the silicon single crystal ingot (25) is lifted. Alternatively, the intensity of a cusp magnetic field (53) when the top-side ingot (25a) is lifted is set larger than that of the cusp magnetic field (53) when the bottom-side ingot (25b) is lifted.
摘要翻译： [问题]在几乎整个长度上生产没有点缺陷聚集体的硅单晶锭，而不降低纯边缘。解决问题的手段隔热构件（36）设置有设置在管部（37）的下部的膨胀单元（41），以在管部的内侧膨胀并具有储热构件（47）。提升硅单晶锭（25），使得在顶部铸锭（25a）处，在隔热构件（36）的凸出单元（41）和铸锭（25）之间向下流动的惰性气体的流量硅单晶锭（25）的底侧铸锭（25b）的升高大于当单个硅单晶锭（25）的底侧铸锭（25b）处于膨胀单元（41）和铸块（25）之间时向下流动的惰性气体的流量水晶锭（25）被提起。或者，当提升底侧铸锭（25b）时，当顶侧铸锭（25a）被提升时，尖端磁场（53）的强度被设定为大于尖端磁场（53）的强度。

4. 发明授权

KR100806001B1 실리콘 단결정의 인상 방법 有权
标题翻译：硅单晶拉拔法
公开(公告)号：KR100806001B1
公开(公告)日：2008-02-26
申请号：KR1020057025104
申请日：2005-01-25
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후카츠노리히토 , 후센린 , 스즈키요지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 순수 마진을 감소시키지 않고, 거의 전체 길이에 걸쳐서 점 결함의 응집체가 존재하지 않는 실리콘 단결정의 잉곳을 제조한다.
열 차폐 부재(36)가, 통부(37)의 하부에 통 내의 방향으로 팽출되어 설치되며 또한 내부에 축열 부재(47)가 설치된 팽출부(41)를 구비한다. 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 열 차폐 부재(36)에서의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량이, 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량보다 많게 하여 잉곳(25)을 인상한다. 또는, 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도가, 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도보다 크게 설정된다.
摘要翻译：生产出一种单晶硅锭，其几乎在整个长度上不存在点缺陷聚集体而不会降低纯边距。

5. 发明授权

KR100798594B1 실리콘 단결정의 인상 방법 有权
标题翻译：提高硅单晶的方法
公开(公告)号：KR100798594B1
公开(公告)日：2008-01-28
申请号：KR1020070027086
申请日：2007-03-20
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후카츠노리히토 , 후센린 , 스즈키요지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 순수 마진을 감소시키지 않고, 거의 전체 길이에 걸쳐서 점 결함의 응집체가 존재하지 않는 실리콘 단결정의 잉곳을 제조한다.
열 차폐 부재(36)가, 통부(37)의 하부에 통 내의 방향으로 팽출되어 설치되며 또한 내부에 축열 부재(47)가 설치된 팽출부(41)를 구비한다. 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 열 차폐 부재(36)에서의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량이, 실리콘 단결정 잉곳(25) 중 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 팽출부(41)와 잉곳(25)의 사이를 하부 방향으로 흐르는 불활성 가스의 유량보다 많게 하여 잉곳(25)을 인상한다. 또는, 정상측 잉곳(25a)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도가, 바닥측 잉곳(25b)의 인상시의 커스프 자장(53)의 강도보다 크게 설정된다.

6. 发明公开

KR1020050044808A 실리콘 단결정 인양 장치의 열 차폐 부재 有权
标题翻译：硅单晶拉伸系统的热屏元件
公开(公告)号：KR1020050044808A
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：KR1020057004687
申请日：2003-09-12
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하라다가즈히로 , 후센린 , 스즈키요지 , 후루야히사시 , 아베히데노부
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1076 , Y10T117/1088
摘要： A thermal shield member (36) being provided in a system for pulling a silicon single crystal rod (25) from molten silicon (12) stored in a quartz crucible (13), comprising a tubular section (37) surrounding the outer circumferential surface of the silicon single crystal rod and shielding it from radiation heat from a heater (18), an inflating section (41) provided at a lower part of the tubular section, and a ring-like heat accumulating member (47) provided in the inflating section. The heat accumulating member has a thermal conductivity of 5 W/(m°C) or less, the inner circumferential surface of the heat accumulating member has height (H1) between 10 mm and d/2 where d is the diameter of the silicon single crystal rod, the minimum interval (W1) between the outer circumferential surface of the silicon single crystal rod and the inner circumferential surface of the heat accumulating member is between 10 mm and 0.2d, the vertical distance (H2) between the upper edge of the outer circumferential surface of the heat accumulating member and the lowermost part is between 10 mm and d, and the minimum interval (W2) between the inner circumferential surface of the quartz crucible and the outer circumferential surface of the heat accumulating member is between 20 mm and d/4.
摘要翻译：一种热屏蔽构件（36），其设置在用于将硅单晶棒（25）从存储在石英坩埚（13）中的熔融硅（12）拉出的系统中，所述系统包括管状部分（37）所述硅单晶棒并且防止来自加热器（18）的辐射热，设置在所述管状部分的下部的充气部（41）和设置在所述充气部中的环状蓄热部件（47）。蓄热构件的热导率为5W /（m℃）以下，蓄热构件的内周面的高度（H1）在10mm和d / 2之间，其中d是硅单体的直径晶体棒，硅单晶棒的外周面与蓄热构件的内周面之间的最小间隔（W1）在10mm和0.2d之间，则上边缘之间的垂直距离（H2）蓄热构件的外周面和最下部的距离在10mm和d之间，石英坩埚的内周面与蓄热构件的外周面之间的最小间隔（W2）在20mm与 D / 4。

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