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1. 发明授权

KR101470814B1 광전 변환 소자용 단결정 캐스트 실리콘 및 단결정 캐스트 실리콘 바디들을 제조하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于制造用于光电转换元件的单晶硅和单晶硅体的方法和设备
公开(公告)号：KR101470814B1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020127014739
申请日：2007-01-18
申请人： 에이엠지 아이디얼캐스트 솔라 코포레이션
发明人： 스토다드나단지
IPC分类号： C30B11/14 , C30B15/20 , H01L31/18 , C30B29/06
CPC分类号： H01L31/1804 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/14 , C30B28/06 , C30B29/06 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/03685 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10S117/917 , Y10T117/1092
摘要： 광전지및 다른애플리케이션들을위해실리콘을캐스팅하는방법및 장치를제공한다. 이러한방법및 장치의경우, 방사상으로분포된불순물들및 결함들이없거나실질적으로없고, 각각적어도약 35 cm 인적어도 2 개의치수들을갖는단결정실리콘의캐스트바디를형성할수도있다.
摘要翻译：提供了用于为光伏和其他应用铸造硅的方法和装置。对于这样的方法和装置，或者说的杂质和缺陷的径向分布基本上不，并且可以单晶硅铸造体的每一个具有至少约35cm人类至少两个尺寸形成。

2. 发明授权

KR101400075B1 광전 변환 소자용 기하학적 다결정 캐스트 실리콘 및 기하학적 다결정 캐스트 실리콘 바디들을 제조하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于制造几何多晶硅硅和几何多晶硅陶瓷体的方法和装置
公开(公告)号：KR101400075B1
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020127013473
申请日：2007-01-18
申请人： 에이엠지 아이디얼캐스트 솔라 코포레이션
发明人： 스토다드나단지
IPC分类号： C30B11/14 , H01L31/18 , C30B29/06
CPC分类号： H01L31/1804 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/14 , C30B28/06 , C30B29/06 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/03685 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10S117/917 , Y10T117/1092
摘要： 광전지 및 다른 애플리케이션들을 위해 실리콘을 캐스팅하는 방법 및 장치를 제공한다. 이러한 방법 및 장치의 경우, 방사상으로 분포된 불순물들 및 결함들이 없거나 사실상 없고, 각각 적어도 약 10 cm 인 적어도 2 개의 치수들을 갖는 기하학적으로 정렬된 다결정 실리콘의 캐스트 바디를 형성할 수도 있다.

3. 发明授权

KR100582240B1 실리콘 단결정 웨이퍼 및 그 제조방법 有权
标题翻译：硅晶单晶及其生产方法
公开(公告)号：KR100582240B1
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1019990021743
申请日：1999-06-11
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 사꾸라다마사히로 , 야마나까히데끼 , 오오따도모히꼬
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10S117/917
摘要： 쵸코랄스키법에 의한 실리콘 단결정 제조방법에 있어서,
G가 결정성장시 결정의 고-액 경계면 부근에서 실리콘의 융점에서 1400℃까지의 온도구배이고, 결정의 중앙부에서의 온도구배 Gc(℃/mm)와 결정의 주변부에서의 온도구배 Ge(℃/mm)사이의 차이인 △G(△G=Ge-Gc)가 0 또는 (-)값이 되도록 로(爐) 내부온도를 제어하고, 또한 횡축이 결정의 직경을 나타내고 종축이 인상속도를 나타내는 결함분포도에 있어서 OSF 영역이 역 M형상으로 생성될 때, OSF의 내측라인의 최소값에 대응하는 인상속도와 외측라인의 최소값에 대응하는 인상속도 차이의 범위내에서 인상속도를 제어하면서 결정을 인상한다.
열산화시 발생된 링형상 분포된 OSF 혹은 OSF 잠재핵이 저밀도로 존재하며, 그리고 FPD, COP, L/D, LSTD 뿐만아니라 Cu데코레이션에 의해 검출되는 결함도 존재하지 않는 CZ법에 의해 안정된 제조조건하에 실리콘 단결정 웨이퍼 제조방법이 제공될 수 있다.
실리콘, 단결정, 인상, 웨이퍼, 결함

4. 发明授权

KR100562260B1 단결정 인상 장치, 단결정 인상 방법 및 초전도 자석 有权
标题翻译：单晶拉丝装置，单晶拉丝方法和超导磁铁
公开(公告)号：KR100562260B1
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：KR1020030034854
申请日：2003-05-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 시모노소노츠토무 , 고구치요시히로 , 사사키다카시
IPC分类号： H01F6/00
CPC分类号： C30B15/305 , H01F6/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1004 , Y10T117/1052 , Y10T117/1072
摘要： 본 발명은 보어 내부에 자장 구배가 적은 높은 균일성의 횡자장을 발생시킬 수 있는 초전도 자석, 그 초전도 자석을 이용하여 고품질의 단결정체를 양호한 제조 수율로 인상할 수 있는 단결정 인상 장치 및 단결정 인상 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
원통형 진공 용기(19) 내에 초전도 코일(4)을 내장한 초전도 자석으로서, 초전도 코일(4)을 진공 용기 내의 동일 평면 상에 배치하는 동시에, 그 배치된 각 초전도 코일을 진공 용기의 축심을 통하여 대향하는 방향으로 설정하고, 또한, 초전도 코일의 서로 인접하는 한 쌍끼리가 진공 용기의 내측을 향하는 배설 각도(θ)를 100°∼130°의 범위로 설정한다.
자장 구배, 횡자장, 초전도 자석, 단결정 인상 장치

5. 发明授权

KR1019970007427B1 결정성장방법 失效
标题翻译：晶体生长方法
公开(公告)号：KR1019970007427B1
公开(公告)日：1997-05-08
申请号：KR1019870010392
申请日：1987-09-19
申请人： 소니 주식회사
发明人： 오쿠보야스노리 , 스즈키도시히코 , 이자와노부유키
IPC分类号： C30B15/22
CPC分类号： C30B15/305 , Y10S117/917
摘要： 내용없음.

6. 发明公开

KR1020130133883A 광전 변환 소자용 단결정 캐스트 실리콘 및 단결정 캐스트 실리콘 바디들을 제조하는 방법 및 장치 无效
标题翻译：制造光伏玻璃单晶硅和单晶硅体的方法与装置
公开(公告)号：KR1020130133883A
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：KR1020137027708
申请日：2007-01-18
申请人： 에이엠지 아이디얼캐스트 솔라 코포레이션
发明人： 스토다드나단지
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/14 , C30B28/06 , C30B29/06 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/03685 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10S117/917 , Y10T117/1092
摘要： 광전지 및 다른 애플리케이션들을 위해 실리콘을 캐스팅하는 방법 및 장치를 제공한다. 이러한 방법 및 장치의 경우, 방사상으로 분포된 불순물들 및 결함들이 없거나 실질적으로 없고, 각각 적어도 약 35 cm 인 적어도 2 개의 치수들을 갖는 단결정 실리콘의 캐스트 바디를 형성할 수도 있다.

7. 发明授权

KR100986903B1 결정 성장 공정에서의 액체 실리콘의 전자기 펌핑 失效
标题翻译：液晶硅在水晶生长过程中的电磁泵送
公开(公告)号：KR100986903B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020077015050
申请日：2005-11-29
申请人： 썬에디슨, 인크.
发明人： 코브,해롤드더블유.
IPC分类号： C30B15/30 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/305 , Y10S117/917
摘要： 초크랄스키 공정에 따라 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 결정 성장 장치와 조합하여 이용하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 결정 성장 장치는, 잉곳이 인상되는 반도체 용융물을 갖는 가열된 도가니를 구비한다. 잉곳은 용융물로부터 인상된 시드 결정 상에서 성장한다. 잉곳을 인상하는 동안 용융물에 시변 자계를 인가한다. 자계는 선택적으로 조절되어 용용물에서의 펌핑력을 야기하도록 자계를 선택적으로 조절하여 잉곳이 용융물로부터 인상되는 동안 용융 흐름 속도를 제어한다.
결정 성장 제어 방법, 시변 자계, 폭 증가 정정 방법, 펌핑력

8. 发明公开

KR1020070033516A 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법 有权
标题翻译：生长高品质硅单晶锭的设备，使用它的成长方法
公开(公告)号：KR1020070033516A
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050087754
申请日：2005-09-21
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1076 , Y10T117/1088
摘要： A growing apparatus of a high quality silicon crystalline ingot and a growing method using the same are provided to increase a growth speed of the high quality silicon crystalline ingot by using a heater having a maximum caloric power at a specific position in a furnace. A furnace(20) is installed on an inner of a chamber(10) and contains a silicon solution. A heater(40) is installed at a side of the furnace to heat the silicon solution. The heater has a maximum caloric power at a specific position(Tp) in the furnace. A lifting unit lifts a silicon crystal grown from the silicon solution. The specific position of the maximum caloric power is formed corresponding to a position of 30mm over and 120mm below from a surface of the silicon solution.
摘要翻译：提供高质量硅晶锭的生长装置和使用其的生长方法，以通过使用在炉中特定位置具有最大热量的加热器来提高高质量硅晶锭的生长速度。炉（20）安装在室（10）的内部并且包含硅溶液。加热器（40）安装在炉的一侧以加热硅溶液。加热器在炉中的特定位置（Tp）具有最大热量。提升单元提升从硅溶液生长的硅晶体。最大热量的具体位置对应于硅溶液表面的30mm和120mm以下的位置形成。

9. 发明授权

KR100452234B1 반도체 단결정 인상 장치 有权
标题翻译： 반도체단결정인상장치
公开(公告)号：KR100452234B1
公开(公告)日：2004-10-12
申请号：KR1020010064528
申请日：2001-10-19
申请人： 주식회사 사무코 , 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 가와니시소로쿠 , 와타나베마사히토 , 에구치미노루
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/305 , C30B15/30 , Y10S117/917 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： By using a semiconductor single crystal pulling apparatus for growing single crystals by the Czochralski method while rotating the melt by a magnetic field and electric current, namely by the EMCZ method, which comprises a main pulling means (14) for pulling a single crystal, a holding mechanism for gripping an engaging stepped portion formed on the single crystal through engaging members (17) and a sub pulling means (15) for moving the holding mechanism up and down and in which an electric current is passed through the main pulling means (14) and through the sub pulling means (15), it is possible to prevent heavy single crystals from undergoing a falling accident and, at the same time, effectively reduce the power consumption. In this pulling apparatus, it is effective to feed an electric current to the sub pulling means (15) alone and it is desirable to dispose two or more electrodes (22) whether the pulling means is of a shaft type or wire type.
摘要翻译：通过使用半导体单晶拉制设备在通过磁场和电流旋转熔体的同时通过切克劳斯基法生长单晶，即通过包括用于拉制单晶的主拉引装置（14）的EMCZ方法，保持机构，用于通过接合部件（17）和用于上下移动保持机构的副牵引机构（15）夹持形成在单晶体上的接合台阶部，并且电流通过主牵引机构（14 ）并且通过副牵引装置（15），可以防止重的单晶发生坠落事故并且同时有效地降低功耗。在该牵引装置中，仅向副牵引装置（15）供给电流是有效的，并且无论牵引装置是轴型还是线型，都希望设置两个或更多个电极（22）。＆lt;图像＆GT;

10. 发明公开

KR1020030094064A 단결정 인상 장치, 단결정 인상 방법 및 초전도 자석 有权
标题翻译：单晶提升装置，单晶提升法和超导磁体
公开(公告)号：KR1020030094064A
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：KR1020030034854
申请日：2003-05-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 시모노소노츠토무 , 고구치요시히로 , 사사키다카시
IPC分类号： H01F6/00
CPC分类号： C30B15/305 , H01F6/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1004 , Y10T117/1052 , Y10T117/1072
摘要： 본 발명은 보어 내부에 자장 구배가 적은 높은 균일성의 횡자장을 발생시킬 수 있는 초전도 자석, 그 초전도 자석을 이용하여 고품질의 단결정체를 양호한 제조 수율로 인상할 수 있는 단결정 인상 장치 및 단결정 인상 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
원통형 진공 용기(19) 내에 초전도 코일(4)을 내장한 초전도 자석으로서, 초전도 코일(4)을 진공 용기 내의 동일 평면 상에 배치하는 동시에, 그 배치된 각 초전도 코일을 진공 용기의 축심을 통하여 대향하는 방향으로 설정하고, 또한, 초전도 코일의 서로 인접하는 한 쌍끼리가 진공 용기의 내측을 향하는 배설 각도(θ)를 100°∼130°의 범위로 설정한다.

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