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1. 发明专利

JP6117588B2 Cu配線の形成方法有权
公开(公告)号：JP6117588B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2013067196
申请日：2013-03-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：石坂忠大 , 鈴木健二 , 島田篤史
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , C23C14/34 , C23C16/16 , H01L21/3205
CPC分类号： H05K3/107 , C23C14/358 , H01L21/02063 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K2201/0338

2. 发明专利

JP2016201470A 半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016201470A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015080779
申请日：2015-04-10
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：大森和幸
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/12 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/48 , H01L21/76834 , H01L21/76852 , H01L21/76855 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L2224/02373 , H01L2224/0239 , H01L2224/04042 , H01L2224/05144 , H01L2224/05623 , H01L2224/05624 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/48463 , H01L23/53238 , H01L23/564 , H01L2924/01029
摘要：【課題】再配線間の電気的なショートを防止することができる半導体装置とその製造方法とを提供する。【解決手段】銅の再配線CPHの側面には、バリア膜BRFが形成されている。バリア膜BRFは、たとえば、マンガン酸化膜BMOを含む。また、バリア膜BRFは、銅の再配線CPHの側面から内側へ後退した位置にあるバリアメタル膜MBRの端面にも接触している。銅の再配線CPH、バリア膜BRFおよびバリアメタル膜MBRによって、再配線部CRLが構成される。【選択図】図1
摘要翻译：的半导体装置可以再布线及其制造方法之间可以防止电短路。甲再布线CPH铜的侧表面上，阻挡膜BRF形成。阻挡膜BRF是，例如，含氧化锰膜BMO。阻挡膜BRF是在接触到位于从设置再布线CPH铜的侧表面后面向内的位置上的阻挡金属膜MBR的端面。重新布线CPH铜，阻挡膜BRF和阻挡金属膜的MBR，再布线部CRL被配置。点域1

3. 发明专利

JP6030439B2 マンガン含有膜の形成方法、処理システム、および電子デバイスの製造方法有权
标题翻译：形成含锰膜，处理系统，和方法，用于制造电子器件的方法
公开(公告)号：JP6030439B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2012285441
申请日：2012-12-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：松本賢治
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , C23C16/06
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/28556 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76855 , H01L21/76867 , H01L21/76882 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002

4. 发明专利

JP2016072352A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016072352A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014198373
申请日：2014-09-29
申请人：株式会社東芝
发明人：若月啓 , 北村政幸 , 坂田敦子 , 須黒恭一
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/10 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/823871 , H01L29/456 , H01L21/28556 , H01L29/167
摘要：【課題】p型不純物領域とn型不純物領域の上部に、それぞれ異なる材料を用いた金属シリサイドを容易に形成可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1導電型不純物領域と、第2導電型不純物領域を備える基板上に、第1導電型不純物を含有する金属を成膜する工程と、熱処理を施すことにより、前記第1導電型不純物領域上に選択的に前記金属を含む金属シリサイドを形成する工程とを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用在p型杂质区域和n型杂质区域的上部彼此不同的材料容易地形成金属硅化物的半导体器件制造方法。解决方案：半导体器件制造方法根据一个实施方案，包括：在包含第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区的衬底上沉积含有第一导电类型杂质的金属的工艺; 以及进行热处理以选择性地在第一导电型杂质区上形成含有金属的金属硅化物的方法。图1

5. 发明专利

JP2014526804A A method of forming a metal carbide barrier layer for fluorocarbon 有权
公开(公告)号：JP2014526804A
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：JP2014531887
申请日：2012-09-14
申请人：東京エレクトロン株式会社 , ト−キョ−・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド
发明人：良幸菊地
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76801 , C23C14/20 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , C23C16/22 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02362 , H01L21/76841 , H01L21/76855 , H01L21/76864
摘要：半導体デバイス内においてフルオロカーボン膜用の金属カーバイドバリア層を形成する方法が記載されている。当該方法は、基板上にフルオロカーボン膜を堆積する工程、及び、第1温度で前記フルオロカーボン膜上に金属含有層を堆積する工程を有する。前記金属含有層が前記フルオロカーボン膜と反応することで、前記金属含有層と前記フルオロカーボン膜との間の界面に金属フッ化物層が形成される。当該方法は、前記第1温度よりも高い第2温度で前記金属含有層を熱処理する工程をさらに有する。前記金属含有層を熱処理する工程は、前記金属含有層を介する拡散によって前記金属フッ化物層からフッ素を除去し、かつ、前記金属含有層と前記フルオロカーボン膜との間の界面に金属カーバイド層のバリア層を形成する。前記金属含有層は、ブリスタリング又は剥離を起こすことなく前記第2温度での前記熱処理工程に耐える。

6. 发明专利

JP5487748B2 Barrier layer, a film forming method and processing system 有权
公开(公告)号：JP5487748B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2009142964
申请日：2009-06-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：秀典三好
IPC分类号： C23C16/06 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/52 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00

7. 发明专利

JP5439120B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5439120B2
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：JP2009252189
申请日：2009-11-02
申请人：株式会社東芝
发明人：陽介秋元 , 真和田
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/53276 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76838 , H01L21/76855 , H01L21/76876 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , Y10S977/72 , H01L2924/00

8. 发明专利

JP5359642B2 Film formation method 有权
公开(公告)号：JP5359642B2
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：JP2009170837
申请日：2009-07-22
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：賢治松本 , 秀典三好
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/40 , C23C16/406 , C23C16/4404 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/76843 , H01L21/76855
摘要： The present disclosure relates to a film forming apparatus for forming a thin film on a surface of an object to be processed by using an organic metal raw material gas within a processing chamber configured to exhaust air, wherein a hydrophobic layer is installed on a surface of a member exposed to the atmosphere within the processing chamber.

9. 发明专利

JP2013172083A Manufacturing method of semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2013172083A
公开(公告)日：2013-09-02
申请号：JP2012036377
申请日：2012-02-22
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KITAMURA MASAYUKI , SAKATA ATSUKO , WADA MAKOTO , YAMAZAKI YUICHI , KATAGIRI MASAYUKI , KAJITA AKIHIRO , SAKAI TADASHI , SAKUMA HISASHI , MIZUSHIMA ICHIRO
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C16/26 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/02373 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76861 , H01L21/76876 , H01L23/53276 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a semiconductor device including a high quality graphene having a lower resistivity than the conventional and fewer crystal defects as much as possible.SOLUTION: The manufacturing method of a semiconductor device comprises a step of forming a promoter layer having a face-centered cubic structure above the surface of a semiconductor substrate. The promoter layer is formed so that the (111) plane of the face-centered cubic structure is oriented in parallel with the surface of a semiconductor substrate. A catalyst layer having a face-centered cubic structure is formed on the promoter layer. The catalyst layer is formed so that the (111) plane of the face-centered cubic structure is oriented in parallel with the surface of a semiconductor substrate. A portion of the promoter layer in contact with the catalyst layer has a face-centered cubic structure. The catalyst layer is subjected to oxidation treatment and then subjected to reduction treatment thus planarizing the exposed surface of the catalyst layer. Finally, a graphene layer is formed on the catalyst layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包括尽可能多的具有比常规的更低的电阻率和更少的晶体缺陷的高质量石墨烯。解决方案：半导体器件的制造方法包括以下步骤：启动子层，其在半导体衬底的表面上方具有面心立方结构。形成促进剂层使得面心立方结构的（111）面与半导体衬底的表面平行取向。在促进剂层上形成具有面心立方结构的催化剂层。形成催化剂层，使得面心立方结构的（111）面与半导体衬底的表面平行取向。与催化剂层接触的助催化剂层的一部分具有面心立方结构。对催化剂层进行氧化处理，然后进行还原处理，从而使催化剂层的暴露表面平坦化。最后，在催化剂层上形成石墨烯层。

10. 发明专利

JP5264187B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5264187B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2008001394
申请日：2008-01-08
申请人：パナソニック株式会社
发明人：徹樋野村
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device includes: a metal-containing compound layer on a semiconductor substrate; a dielectric film on the semiconductor substrate and the metal-containing compound layer; a contact hole penetrating through the dielectric film to reach the metal-containing compound layer; a contact plug in the contact hole. The semiconductor device further includes a manganese oxide layer extending between the contact plug and respective one of the dielectric film and the metal-containing compound layer.

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