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1. 发明专利

JP2018160462A 温度制御機能を備えるマルチプレナムシャワーヘッド审中-公开
公开(公告)号：JP2018160462A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2018087939
申请日：2018-05-01
申请人：ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド , NOVELLUS SYSTEMS INCORPORATED
发明人：パトリック・ジー.・ブレイリング , バドリ・エヌ.・バラダラジャン , ジェニファー・エル.・ペトラグリア , バート・ジェイ.・バンシュラベンジック , カール・エフ.・リーサー , マンディアム・アマンジー・スリラム , レイチェル・イー.・バッザー
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H05H1/46
CPC分类号： F28F3/02 , C23C16/4404 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32522
摘要：【課題】半導体処理操作中にラジカルを供給するためのラジカル源と共に使用するための装置が提供される。【解決手段】装置は、フェースプレートアセンブリを形成するプレートまたは構成要素のスタックを含むことがある。フェースプレートアセンブリは、ラジカル拡散器プレート101と、前駆体送達プレート103と、ラジカル拡散器プレートと前駆体送達プレートとの間に挿間された断熱体102と、を含むことがある。フェースプレートアセンブリは、ラジカル拡散器プレートに実質的に垂直な中心線を有するラジカル通過穴のパターンを有することがある。断熱体は、ラジカル拡散器プレートと前駆体送達プレートとの間の熱の流れを調整するように構成することができる。【選択図】図1A

2. 发明专利

JP6391171B2 半導体製造システムおよびその運転方法有权
公开(公告)号：JP6391171B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2015175654
申请日：2015-09-07
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：松尾和展
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , H01L21/67017 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L22/12 , H01L22/14

3. 发明专利

JP6298391B2 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6298391B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2014206665
申请日：2014-10-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：平山祐介 , 宮川正章
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , C23C16/42 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32862 , B29C59/14 , C23C16/0272 , C23C16/44 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/509 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32532 , H01J37/32917 , H01J2237/334 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46

4. 发明专利

JP6280721B2 TiN膜の成膜方法および記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6280721B2
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2013206983
申请日：2013-10-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：山▲崎▼ 英亮 , 岡部真也 , 山本健史 , 大西徹
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/34 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/76856

5. 发明专利

JP2017179612A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017179612A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2017128932
申请日：2017-06-30
申请人：株式会社ユーテック
发明人：阿部浩二 , 本多祐二 , 寺島慶一
IPC分类号： C23C16/44 , C23C4/06 , C23C4/067 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/26 , C22C30/00 , C23C16/4404 , C23C4/06 , C23C4/08
摘要：【課題】基板へのパーティクル汚染を低減できるCVD装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、基板にCVD法により膜を成膜するCVD装置において、チャンバー101と、前記チャンバー内に配置され、前記基板を保持する基板ホルダー104と、前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、を具備し、前記チャンバーの内面、前記基板ホルダー、前記チャンバー内に配置された防着板、前記チャンバー内に配置された治具および前記原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入するガスシャワー部材の少なくとも一つに、金属、セラミックス、プラスチックおよびサーメットのいずれかの材料からなる膜が形成されていることを特徴とするCVD装置である。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6141953B2 半導体工程部品の再生方法有权
公开(公告)号：JP6141953B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2015241667
申请日：2015-12-11
申请人：韓國東海炭素株式會社
发明人：金▲禎▼一
IPC分类号： H01L21/304 , C23C14/00 , C23C16/44 , H01L21/02
CPC分类号： B05D7/50 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/4405

7. 发明专利

JP2017095350A ハロゲン含有プラズマに露出された表面の浸食速度を減じる装置及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017095350A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2016239304
申请日：2016-12-09
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：ジェニファーワイサン , レングアンデュアン , ジエユアン , リースー , ケネスエスコリンズ
IPC分类号： H01L21/3065 , C04B35/505
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495
摘要：【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品の提供。【解決手段】ハロゲン含有プラズマによる浸食に耐性のある材料として、約0.1〜約65mol%の濃度の酸化ジルコニウムと、約99.9〜約35mol%の濃度の酸化イットリウム、好ましくは約30〜40mol%の酸化ジルコニウムと70〜60mol%の酸化イットリウムを含む複合粉末とをベースとし、第一の方法は、上記複合粉末を成形、焼結することにより焼結体を得る方法であり、第二の方法は、金属やセラミックスからなる基板の表面に、上記複合粉末の組成物をコーティングする方法。【選択図】図1A

8. 发明专利

JP2017069230A 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム有权
公开(公告)号：JP2017069230A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015189126
申请日：2015-09-28
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：中村吉延 , 南政克 , 浅井優幸 , 奥田和幸 , 浦野裕司
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： B08B9/093 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：【課題】クリーニング処理を行うことで生じた化合物の処理室内からの除去効果を高め、基板処理の品質を向上する。【解決手段】処理室内へパージガスを供給することで処理室内を昇圧させる工程と、処理室内を真空排気することで処理室内を降圧させる工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより、処理室内の圧力を第1の圧力幅で周期的に変動させつつ処理室内に対して第1パージを行う工程と、処理室内へパージガスを供給することで処理室内を昇圧させる工程と、処理室内を真空排気することで処理室内を降圧させる工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより、処理室内の圧力を第1の圧力幅よりも小さい第2の圧力幅で周期的に変動させつつ処理室内に対して第2パージを行う工程と、を有する。【選択図】図5

9. 发明专利

JP6071537B2 成膜方法有权
公开(公告)号：JP6071537B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2012283175
申请日：2012-12-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：大下健太郎 , 小堆正人 , 佐々木寛子 , 池川寛晃
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/34 , C23C16/4404 , C23C16/45551 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76841

10. 发明专利

JP2017017080A ウエハボート及びその製造方法有权
标题翻译：晶片舟及其制造的方法
公开(公告)号：JP2017017080A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015129432
申请日：2015-06-29
申请人：クアーズテック株式会社
发明人：荻津健
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67306 , B24C1/06 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/4581
摘要：【課題】処理対象のシリコンウエハを支持するウエハボートにおいて、基材に形成されたSiC被覆膜とデポジット膜との充分なアンカー効果が得られるとともに、デポジット膜の剥離に起因するパーティクルの発生を抑制する。【解決手段】ウエハWを搭載するための棚板部2bが形成された複数本の支柱2と、前記支柱2の上下端部を固定する天板3及び底板4とを備えた、SiC質基材10の表面にSiC被覆膜11が形成された縦型ウエハボート1であって、前記棚板部の上面に、前記ウエハの縁部と当接する係止面2b1が形成され、前記棚板部の下面2b2は、その表面粗さRaの大きさが、前記棚板部の後部側から前部側に向けて大きく形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：到用于支撑的硅晶片进行处理，以在基板上形成SiC被膜和沉积膜之间的足够的锚固效果沿提供一个晶片舟皿中获得，所造成的沉积膜的剥离颗粒的产生抑制。多个支柱2在该架板部2b的形成有用于安装所述A中的晶片W，和顶板3和底板4固定在支柱2的上端部和下端部，碳化硅Shitsumoto 形成在木材10的表面上的垂直晶片装载皿1的SiC涂层膜11，在架板，邻接该锁定表面的晶片的2B1边缘的上表面上形成，所述搁板部件的下表面2B2，表面粗糙度的大小R a是从搁板的后侧朝向前侧较大。点域1

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