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1. 发明专利

JP2016201407A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016201407A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015078949
申请日：2015-04-08
申请人：株式会社東芝
发明人：石崎健士 , 和田純一 , 坂田敦子 , 渡邉桂 , 北村政幸 , 池野大輔 , 若月啓 , 荻原博隆 , 奥田真也
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/1157
摘要：【課題】反りを抑えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板10と、基板10の主面上に積層された、複数の金属層70と複数の絶縁層40と複数の中間層71とを有する積層体100と、積層体100内を積層体100の積層方向に延びる半導電性または導電性を有する膜20と、膜20と金属層70との間に設けられた記憶膜32とを備えている。金属層70はタングステン層であり、中間層71は窒化タングステン層である、または、金属層70はモリブデン層であり、中間層71は窒化モリブデン層である。【選択図】図2
摘要翻译：一种半导体装置，以及它们的抑制翘曲的制造方法。根据一个实施例，一种半导体器件，层叠有基板10，层叠在基板10的主表面上，以及多个金属层70和多个绝缘层40和多个中间层71的主体100，和一膜20具有在层叠体100的层叠方向上的半导电或导电的延伸层叠体100，以及膜20和金属层之间设置的存储层32 70 。金属层70是钨层，中间层71是一个氮化钨层，或金属层70是钼层，中间层71是钼的氮化物层。 .The

2. 发明专利

JP6129772B2 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6129772B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2014051244
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：北村政幸 , 坂田敦子 , 宮崎久生 , 梶田明広 , 酒井忠司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/53276 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76879 , H01L21/76897 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L2221/1094 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L29/1606 , H01L2924/0002

3. 发明专利

JP5801221B2 半導体装置の製造方法および半導体装置有权
公开(公告)号：JP5801221B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2012036377
申请日：2012-02-22
申请人：株式会社東芝
发明人：北村政幸 , 坂田敦子 , 和田真 , 山崎雄一 , 片桐雅之 , 梶田明広 , 酒井忠司 , 佐久間尚志 , 水島一郎
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/26 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/02373 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76861 , H01L21/76876 , H01L23/53276 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

JP2015177008A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015177008A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014052126
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：若月啓 , 坂田敦子 , 内田健悟 , 東和幸 , 遠藤光芳
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/05541 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13009 , H01L2224/13011 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/94 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/206
摘要：【課題】貫通電極の応力を緩和することができる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1面に半導体素子3が形成され貫通孔2cを有する半導体基板2と、前記半導体基板2の前記貫通孔2c内に形成される貫通電極11とを備え、前記貫通電極11は、前記貫通孔2cの側壁面に形成された絶縁膜10を介して、前記貫通孔2cの側壁面に形成された導電層11aと、前記貫通孔2cの前記導電層11aを介した内部に充填された電極層11bとからなり、前記導電層11aは、前記電極層11bの材料よりも柔らかい材料で形成され、前記電極層11bは、前記導電層11aの材料よりも高融点を有する材料で形成され、内部に前記半導体基板2の第2面の近傍で閉塞された空隙部11cを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以减小通孔电极的应力的半导体器件。解决方案：根据实施例，半导体器件包括：半导体衬底2，半导体元件3形成在第一表面上，并且具有通孔2c; 以及形成在半导体基板2的通孔2d中的贯通电极11.贯通电极11由形成在通孔2c的侧壁面上的导电层11a，形成在侧壁面上的绝缘膜10 的通孔2c和通过导电层11a填充在通孔2c内的电极层11b。导电层11a由比电极层11b的材料更柔性的材料形成。电极层11b由熔点高于导电层11a的材料的材料形成，并且在半导体衬底2的第二表面附近被封闭，并且具有空腔11c。

5. 发明专利

JP2016225434A 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016225434A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015109470
申请日：2015-05-29
申请人：株式会社東芝
发明人：池野大輔 , 北村政幸 , 坂田敦子
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/28282 , H01L21/764 , H01L27/11565 , H01L29/45 , H01L29/495 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66833 , H01L29/7926 , H01L21/76846
摘要：【課題】絶縁膜を、金属層に含まれるボロンから保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、ボロンを含む金属層70と、金属層70の延びる方向と交差する方向に延びる半導体膜20と、半導体膜20と金属層70との間に設けられた電荷蓄積膜32と、電荷蓄積膜32と金属層70との間に設けられた第1絶縁膜34と、第1絶縁膜34と金属層70との間に設けられた窒化膜60とを備えている。窒化膜60は、第1絶縁膜34に接して設けられた第1窒化チタン膜61と、金属層70に接して設けられた第2窒化チタン膜63と、第1窒化チタン膜61と第2窒化チタン膜63との間に設けられたアモルファス窒化膜62とを有する。【選択図】図4
摘要翻译：甲绝缘膜，半导体装置和制造方法，其能够保护从包含在金属层的硼。根据一个实施例，一种半导体器件包括一个金属层70含硼，并且在一个方向交叉的金属层70的延伸方向延伸的半导体膜20，半导体膜20和金属层70之间提供了一种电荷存储膜32，电荷存储膜32和第一绝缘膜34中的金属层70之间，在第一绝缘膜34和金属层之间设置氮化物层70 60 它配备了一扇门。氮化物膜60，在接触设置有所述第一绝缘膜34，在与金属层70，第一氮化钛膜61的第二接触的第二氮化钛膜63的第一氮化钛膜61 和氮化钛膜63之间设置有非晶质氮化物膜62。点域4

6. 发明专利

JP5931428B2 配線パターンの形成方法及び半導体装置有权
标题翻译：形成方法和上述布线图形的半导体装置
公开(公告)号：JP5931428B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2011274772
申请日：2011-12-15
申请人：株式会社東芝
发明人：吉水康人 , 若月啓 , 大口寿史 , 坂田敦子 , 冨田寛
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/288 , C23C18/18 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C18/1608 , C23C18/1893 , H01L21/4846 , H01L21/76831 , H01L21/76874 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L28/91 , C23C18/32

7. 发明专利

JP2016046324A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016046324A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014167886
申请日：2014-08-20
申请人：株式会社東芝
发明人：石倉太志 , 梶田明広 , 酒井忠司 , 磯林厚伸 , 和田真 , 斎藤達朗 , 北村政幸 , 坂田敦子
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/283 , H01L21/0243 , H01L21/02527 , H01L21/02645 , H01L21/76838 , H01L21/76864 , H01L21/76876 , H01L23/53276 , H01L23/544 , H01L21/28562 , H01L2223/54426 , H01L29/1606 , H01L2924/0002
摘要：【課題】高品質のグラフェン層を含む半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置は、互いに材料が異なる第1および第2の層101,102を含み、表面に第1および第2の層101,102の境界がある下地層100と、下地層100の表面上に形成され、凸状の領域201aを含む触媒層201とを含む。前記半導体装置は、さらに、凸状の領域201aに接して形成されたグラフェン層301を含む。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括高品质石墨烯层的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：接地层100，包括由彼此不同的材料制成的第一和第二层101,102，其中第一层101和第二层102的边界位于表面上; 以及形成在接地层100的表面上并包括凸区域201a的催化剂层201。半导体器件还包括形成在凸区域201a附近的石墨烯层301

8. 发明专利

JP2018160594A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018160594A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017057715
申请日：2017-03-23
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：関口秀樹 , 河村圭子 , 布施香織 , 小松公 , 北尾良平 , 若月啓 , 坂田敦子 , 久保光一
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/456 , H01L29/4975
摘要：【課題】閾値電圧特性への影響を低減する半導体装置を提供する。【解決手段】第1電極1と、第2電極2と、第1電極と第2電極との間に設けられた第1半導体領域4と、第1半導体領域と第1電極との間に設けられた第2半導体領域3と、第1半導体領域と第2電極との間に設けられた第3半導体領域7と、第3半導体領域と第2電極との間に設けられた第4半導体領域8と、第1半導体領域と第2電極との間に複数設けられたゲート絶縁膜5と、第2電極と、第1半導体領域との間に位置し、ゲート絶縁膜を介して複数設けられた第3電極6と、第3半導体領域と第2電極の間に位置し、第3半導体領域及び第2電極に電気的に接続する第4電極10と、第2電極と第3電極との間に位置する第1絶縁膜9と、を有する。第4電極は、第3半導体領域とオーミック接触している。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6246676B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6246676B2
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2014167886
申请日：2014-08-20
申请人：株式会社東芝
发明人：石倉太志 , 梶田明広 , 酒井忠司 , 磯林厚伸 , 和田真 , 斎藤達朗 , 北村政幸 , 坂田敦子
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/283 , H01L21/0243 , H01L21/02527 , H01L21/02645 , H01L21/76838 , H01L21/76864 , H01L21/76876 , H01L23/53276 , H01L23/544 , H01L21/28562 , H01L2223/54426 , H01L29/1606 , H01L2924/0002

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